微波射頻相關(guān)文章 安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。 發(fā)表于：2010/2/3 Vishay的新款TF3系列低ESR固钽贴片电容器适用于以安全为首要考虑的应用中 器件在+25℃和100kHz条件下的ESR低至0.25Ω;容值范围为0.47μF~470μF;电压范围为4V~50V；工作温度范围为-55℃~+125℃ 發(fā)表于：2010/1/29 用电容实现LVDS连接交流耦合的设计分析 使用电容实现LVDS数据连接的交流耦合有很多益处，比如电平转换、去除共模误差以及避免输入电压故障的发生。本文不仅介绍了电容的适当选型，也为和终端拓扑提供指导，同时也讨论了共模故障分析的问题。 發(fā)表于：2010/1/28 IR 推出适用于汽车的 DirectFET®2 功率 MOSFET，实现卓越的功率密度和性能 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。 發(fā)表于：2010/1/27 Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，继续扩展Super Junction FET®技术 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。 發(fā)表于：2010/1/27 用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。 發(fā)表于：2010/1/27 Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。 發(fā)表于：2010/1/25 Vishay推出ESD级别高达2kV的新款车用精密薄膜电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q200认证、ESD级别高达2kV的新款PAT系列精密车用薄膜电阻。该电阻的标准TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度、湿度提出的新需求，同时具有可靠的可重复性和稳定的性能。 由于在高纯度的氧化铝基板上涂上了一层氮化钽电阻薄膜，使PAT电阻实现了稳定的薄膜，在+70℃下经过10,000小时后的性能特性为1000ppm。器件针对混合动力/电控、能量管理、测试、传感器标度和汽车电子产品中稳定的固定电阻应用进行了优化。 發(fā)表于：2010/1/22 Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器 發(fā)表于：2010/1/21 连接器第一讲:连接器权威分类法 连接器有不同的分类方法。按照频率分，有高频连接器和低频连接器；按照外形分有圆形连接器，矩形连接器；按照用途分，有印制板用连接器，机柜用连接器，音响设备用连接器，电源连接器，特殊用途连接器等等。 發(fā)表于：2010/1/21 连接器第四讲：连接器的测试详解 连接器测试的目的是确认产品的功能是否已达成设计目标以及产品是否能够达到应用要求。测试将作为设计／产品开发阶段的一个延续加以考虑。 發(fā)表于：2010/1/21 连接器第三讲：电连接器的制造过程 电子连接器种类繁多,但制造过程是基本一致的,一般可分为下面四个阶段：冲压(Stamping) 、电镀(Plating)、注塑(Molding) 、组装(Assembly) 。 發(fā)表于：2010/1/21 连接器第二讲：连接器的基本技术性能 连接器是电子设备中不可缺少的部件，它在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。尽管连接器种类众多，但基本性能可分归纳为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。 發(fā)表于：2010/1/21 LSI 推出新型 MegaRAID 控制卡和主机总线适配器，进一步扩展6Gb/s SAS 产品系列 LSI 公司 (NYSE: LSI) 日前宣布推出新型 MegaRAID® 控制卡和主机总线适配器 (HBA)，进一步壮大了业界最丰富的 6Gb/s SATA+SAS 存储适配器产品阵营。最新推出的产品包括：业界首款MegaRAID 入门级 6Gb/s 控制卡、MegaRAID 经济型和功能型系列扩展产品，以及采用多端口配置的新型 HBA。 發(fā)表于：2010/1/21 详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 本文对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 發(fā)表于：2010/1/16 <…171172173174175176177178179180>
