《電子技術(shù)應(yīng)用》
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安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案

經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值,能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010-02-03
作者:安森美半導(dǎo)體

  應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN) 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過(guò)渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。
  安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無(wú)鉛器件,符合RoHS指令,關(guān)鍵的規(guī)范特性包括:
  * 導(dǎo)通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
  * 電流能力高達(dá)76安培(A)
  * 經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試
  * 通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
  安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō):“為了應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)電感型負(fù)載時(shí)潛在的大電壓尖峰,以及推動(dòng)更高能效,安森美半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET提供強(qiáng)固及可靠的方案。我們100 V產(chǎn)品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇,幫助他們獲得適合他們特定應(yīng)用的最優(yōu)器件。”
封裝及價(jià)格
  NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000片批量的價(jià)格為0.92至1.90美元?,F(xiàn)提供樣品。
  更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站:http://www.onsemi.cn。
關(guān)于安森美半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)是應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、LED照明、醫(yī)療、工業(yè)、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界級(jí)、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。


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