賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 7 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK?  SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。

　　12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關速度更快，可替換性能較低的標準雙片器件，而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現更小尺寸的PCB設計。

　　今天發(fā)布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓≤ 8V的應用，通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用，最大導通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素。

　　器件規(guī)格表：

　　SQJ200EP和SQJ202EP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。