微波射頻相關(guān)文章 NOR Flash持續(xù)缺貨 宜揚(yáng)4月營收受惠 NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月營收相對(duì)出色！旺宏自結(jié)營收為新臺(tái)幣22.94億元，較上月小幅增加2.1%，華邦4月營收則為34.61億元，較上月成長10.22%，其中宜揚(yáng)則以黑馬之姿竄出，4月營收較上月成長37%，達(dá)5.99億元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價(jià)之賜。 發(fā)表于：2010/5/11 三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān) 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 發(fā)表于：2010/5/11 美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù) 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 發(fā)表于：2010/5/11 下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲 近期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達(dá)128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動(dòng)攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來！ 發(fā)表于：2010/5/11 為存儲(chǔ)器測試開發(fā)低成本的解決方案 本文將探討存儲(chǔ)器測試解決方案的開發(fā)以及驗(yàn)證功能和物理連接所需的測試設(shè)備功能。并分析除了滿足存儲(chǔ)器基本功能測試之外，如何擴(kuò)展測試能力。 發(fā)表于：2010/5/11 德州儀器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET 隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來越小，功率密度會(huì)越來越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對(duì)處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。 發(fā)表于：2010/5/10 英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無管腳SMD封裝，旨在實(shí)現(xiàn)更高功率密度解決方案 2010年5月10日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 發(fā)表于：2010/5/10 加強(qiáng)布局新興市場 益登科技擴(kuò)增國內(nèi)及東南亞營銷據(jù)點(diǎn) 專業(yè)電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）今日宣布，為了提供新興市場更實(shí)時(shí)而完整的服務(wù)，該公司近期相繼于西安、成都、青島以及印度設(shè)立營運(yùn)處，重點(diǎn)覆蓋當(dāng)?shù)貥I(yè)務(wù)，并輻射周邊市場，在國內(nèi)及東南亞地區(qū)構(gòu)建更綿密的分銷格局。 發(fā)表于：2010/5/10 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9% 根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與14%；DDR２合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)持平，持續(xù)維持在高檔價(jià)格。 發(fā)表于：2010/5/7 Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻。 發(fā)表于：2010/5/6 Vishay Siliconix發(fā)布首款采用PowerPAK 1212-8封裝的30V P溝道TrenchFET功率MOSFET 在緊湊的3.3mmx3.3mm占位面積內(nèi)，該器件具有業(yè)內(nèi)同類30V MOSFET中最低的導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為7mΩ和11mΩ 發(fā)表于：2010/5/5 IDT 推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅 CMOS振蕩器 致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費(fèi)、計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供的晶圓形式實(shí)現(xiàn)了板上芯片（CoB）和多芯片模塊（MCM）組裝設(shè)計(jì)，有效節(jié)省了空間。 發(fā)表于：2010/5/4 恒憶下一代存儲(chǔ)助力醫(yī)療電子設(shè)計(jì) 在日前舉辦的第三屆中國國際醫(yī)療電子技術(shù)大會(huì)（CMET2010）上，恒憶嵌入式系統(tǒng)事業(yè)部亞洲市場部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理祁峰為我們帶來了醫(yī)療應(yīng)用市場對(duì)閃存的要求以及恒憶存儲(chǔ)器技術(shù)的介紹。 發(fā)表于：2010/4/29 Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用T”-level要求 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 4 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。 發(fā)表于：2010/4/29 HDbaseT技術(shù)解析 以色列初創(chuàng)無晶圓半導(dǎo)體廠商Valens開發(fā)的HDbaseT技術(shù)將解決HDMI面臨的這些困難。據(jù)Valens亞洲區(qū)銷售總監(jiān)Marvin介紹，HDbaseT支持最高20Gbps的傳輸速率，能更好的支持未來的3D和2K×4K視頻格式，傳輸采用普通的CAT5e/6網(wǎng)絡(luò)線纜，連接器也采用普通的RJ45接頭，而傳輸距離達(dá)到了100米，此外，還提供以USB、太網(wǎng)功能、100W的供電能力（PoC）和其他控制信號(hào)通道。 發(fā)表于：2010/4/28 ?…169170171172173174175176177178…?
