微波射頻相關(guān)文章 Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設(shè)定新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并開啟電阻全新應(yīng)用領(lǐng)域 器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns；H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有±0.2ppm/℃ 發(fā)表于：2010/1/6 MOSFET柵漏電流噪聲模型研究 基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電 流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的特性和局限性進行了分析。 發(fā)表于：2010/1/6 光電式電流互感器原理及應(yīng)用 光電式電流互感器原理及應(yīng)用。 發(fā)表于：2010/1/6 Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：2010/1/5 第十屆高交會電子展現(xiàn)場采訪TDK中國本部董事中尾禮次 在第十屆高交會電子展的TDK展示區(qū)，《電子技術(shù)應(yīng)用》記者采訪了TDK中國本部董事、副總經(jīng)理中尾禮次。中尾禮次先生就展會效果、TDK目前發(fā)展?fàn)顩r，主要展示產(chǎn)品回答了記者的提問。 發(fā)表于：2008/10/15 SiRF遭遇侵權(quán)官司，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了？ SiRF遭遇侵權(quán)官司，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了？ 發(fā)表于：2008/9/2 德州儀器高度集成2.4GHz RF前端將低功耗無線系統(tǒng)覆蓋范 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向低功耗與低電壓無線應(yīng)用推出業(yè)界集成度最高的 2.4GHz 射頻 (RF) 前端 CC2591。該產(chǎn)品集成了可將輸出功率提高 ＋22 dBm 的功率放大器以及可將接收機靈敏度提高 ＋6 dB 的低噪聲放大器，從而能夠顯著增加無線系統(tǒng)的覆蓋范圍。 發(fā)表于：2008/8/5 SiGe技術(shù)提高無線前端性能 這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線性度方面的影響還在研究中。 發(fā)表于：2006/5/19 430MHz/144MHz廉價同軸高增益天線 UV波段由于通信話音質(zhì)量好、干擾小，器材易得，是廣大HAM常用的理想近距離通信波段。但由于頻率較高，傳播特性為視距傳播，通信距離較近。如何提高它的通信效果，是每個HAM所不斷追求的。 發(fā)表于：2006/4/27 無線電臺站類別表 無線電臺站類別表 發(fā)表于：2006/4/16 關(guān)于VHF和UHF信號的遠(yuǎn)距離傳播 30MHZ以下的短波段（HF段）無線電信號是依靠電離層的反射進行遠(yuǎn)距離的傳播，傳播的距離可以由數(shù)百公里至上萬公里，由于電離層本身的特殊性，正常情況下電離層對高于40MHZ的無線電信號的反射是很微弱的，絕大部分信號會穿透電離層射入太空。所以通常情況下，40MHZ以上的無線電信號基本上都是沿直線方式傳播，傳播的距離一般在一、二百公里以內(nèi)，也就是我們常說的在“視距”范圍內(nèi)傳播。 發(fā)表于：2006/4/14 ?…165166167168169170171172173174?
