“我們2012年將推出64Gbit品并將少量量產(chǎn)，甚至可能推出256Gbit品。”美國Unity Semiconductor公司設(shè)計(jì)工程副總裁Christophe Chevallier說。
致力于新存儲(chǔ)器技術(shù)開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Unity Semiconductor公司，宣稱已開發(fā)出一種可取代NAND快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)，為記憶卡和固態(tài)硬盤（SSD）提供了新的儲(chǔ)存媒介選擇。
新技術(shù)稱為CMOx，這種電阻變化式存儲(chǔ)器比NAND快閃存儲(chǔ)器更具成本競爭力，該公司希望利用它來切入現(xiàn)有的龐大存儲(chǔ)器市場。Unity已經(jīng)在于今年2月舉行的國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2010）上提交論文，并在一次訪談中透露了其未來的計(jì)劃。
成本競爭力勝過NAND
可以說Unity的CMOx象征著新型存儲(chǔ)器將取代閃存儲(chǔ)器和DRAM的（圖1）轉(zhuǎn)折點(diǎn)。此前，新型存儲(chǔ)器的研發(fā)以存儲(chǔ)器單元等要素技術(shù)層面為中心，但現(xiàn)在芯片級(jí)樣品已經(jīng)成為可能，甚至可望進(jìn)行大規(guī)模的商業(yè)化部署。
一個(gè)例子是采用垂直磁化技術(shù)的自旋注入式MRAM，這也是首度在ISSCC上揭露的產(chǎn)品。開發(fā)商日本的東芝公司似乎想要充份運(yùn)用垂直磁化技術(shù)的優(yōu)勢，以取代現(xiàn)有的DRAM。
新興存儲(chǔ)器展現(xiàn)發(fā)展動(dòng)力
發(fā)展新興存儲(chǔ)器技術(shù)以取代閃存，已進(jìn)入了一個(gè)嶄新階段。很明顯地，相變化存儲(chǔ)器亟欲取代NOR閃存，而取代NAND閃存和DRAM的新興技術(shù)也正在加速發(fā)展。圖由Nikkei Electronics依東芝提供的資料制成。
相變存儲(chǔ)器（PCM）則是在更早之前就已出現(xiàn)在ISSCC上，現(xiàn)在也取得了重大的技術(shù)進(jìn)展。在2010年ISSCC上，瑞士的恆憶公司（Numonyx）發(fā)布了1Gbit的PCM芯片，其芯片面積只有37.5mm2，為成為NOR快閃存儲(chǔ)器替代品提供了可能性。該公司的人士表示，該芯片的規(guī)格是“基于傳統(tǒng)的NOR快閃存儲(chǔ)器規(guī)格，以位元為寫入單位。”
如果這些在ISSCC 2010上展示的新興存儲(chǔ)器的潛力與性能得以發(fā)揮，則龐大的存儲(chǔ)器市場的主角會(huì)悄然改換一點(diǎn)也不足為奇。
Unity公司制定的計(jì)劃極具野心，從芯片面積就可明顯看出該公司的目標(biāo)。與在ISSCC上發(fā)表的最新的NAND閃存儲(chǔ)器芯片的每Gbit芯片面積一比較就一清二楚了（圖2）。
圖2 CMOx存儲(chǔ)器旨在取代NAND閃存
在ISSCC 2010上公布的CMOx存儲(chǔ)器（目標(biāo)規(guī)格），和在ISSCC 2009中發(fā)表先進(jìn)的NAND閃存的比較。后者包含Hynix的32Gbit元件、東芝／SanDisk的32Gbit元件；SanDisk／東芝的64Gbit元件。相較之下，CMOx存儲(chǔ)器顯然具有優(yōu)勢。
2009年，東芝和SanDisk公司在ISSCC上聯(lián)合發(fā)表了一份最高密度的NAND閃存芯片的論文。這款采用32nm制程技術(shù)的32Gbit芯片采用每單元3位元（3bit/cell）的多位元架構(gòu)，并封裝為一顆面積僅有113mm2的芯片，每Gbit芯片面積僅3.53 mm2。
而Unity在ISSCC 2010上所發(fā)表的64Gbit芯片則賦予了存儲(chǔ)器芯片面積全新指標(biāo)，即使采用45nm制程技術(shù)，芯片面積僅有123mm2（表1）。這款芯片的每Gbit面積僅有1.92mm2，大約是上述最先進(jìn)NAND閃存的一半。
如果Unity公司在2012年如期推出256Gbit的芯片，那么它可望比NAND快閃存儲(chǔ)器更具成本競爭力。Unity規(guī)劃中的256Gbit芯片即使采用45nm技術(shù)，面積僅約200mm2。這意味著將每Gbit的面積大幅削減到0.78mm2，甚至比現(xiàn)有的64Gbit芯片更小。“CMOx擁有更大的容量，以及更高的密度”，該公司解釋道。（未完待續(xù)）