RS添加4100余種泰科電子新產(chǎn)品

國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，增加泰科電子（Tyco Electronics）4100余種新產(chǎn)品。RS目前擁有種類齊全的泰科電子多媒體技術(shù)產(chǎn)品，共計超過18000種，全部產(chǎn)品均有庫存，根據(jù)客戶需求量彈性訂購，以行業(yè)標準包裝形式為設(shè)計、原型開發(fā)和小批量生產(chǎn)提供服務(wù)。

發(fā)表于：2/25/2010

Diodes推出能夠容忍電話線瞬變的高壓二極管陣列

Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。

發(fā)表于：2/25/2010

4% 準確度的可編程平均輸入電流限制降壓-升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出效率為 96% 的同步降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器 LTC3127，該器件用高于、低于或等于輸出的輸入向穩(wěn)定輸出電壓提供高達 1A 的輸出電流。LTC3127 具有一個準確度達 ±4% 的可編程平均輸入電流限值 (范圍為 200mA 至 1000mA)，從而使其非常適合于從 GSM 調(diào)制解調(diào)器或超級電容器充電器 (具有嚴格輸出電流限值的電源來供電)。這使系統(tǒng)設(shè)計師能夠最大限度地提高從受限電源吸取的電流，從而顯著改善數(shù)據(jù)速率或充電時間。LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 輸入范圍和 1.8V 至 5.25V 的輸出范圍與所有類型的 PC 卡槽、USB 和單節(jié)鋰離子或雙節(jié)/三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫金屬電池應(yīng)用兼容。LTC3127 的電流模式降壓-升壓型拓撲通過所有工作模式提供連續(xù)傳輸模式，從而簡化了設(shè)計并確保卓越的性能。LTC3127 的恒定 1.35MHz 開關(guān)頻率提供低噪聲工作，同時最大限度地減小所需為數(shù)不多的幾個外部組件的尺寸。纖巧外部組件結(jié)合 3mm x 3mm DFN 或 MSOP-12 封裝為空間受限應(yīng)用提供高度緊湊的占板面積

發(fā)表于：2/24/2010

Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規(guī)定的新款器件

采用緊湊的PowerPAK® MLP 6x6封裝；集成高邊、低邊功率MOSFET、驅(qū)動IC和陰極輸出二極管；具有27V的輸入電壓、超過1MHz的工作頻率和92%的高效率

發(fā)表于：2/23/2010

安森美半導(dǎo)體擴充功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出高壓MOSFET系列

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。

發(fā)表于：2/22/2010

Vishay發(fā)布六款新型80V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器

器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB,TO-262AA和TO-263AB封裝、具有10A～30A的電流額定范圍,典型VF低至0.57V

發(fā)表于：2/8/2010

安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強固負載性能的方案

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計。

發(fā)表于：2/3/2010

Vishay的新款TF3系列低ESR固鉭貼片電容器適用于以安全為首要考慮的應(yīng)用中

器件在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25Ω;容值范圍為0.47μF~470μF;電壓范圍為4V~50V；工作溫度范圍為-55℃~+125℃

發(fā)表于：1/29/2010

用電容實現(xiàn)LVDS連接交流耦合的設(shè)計分析

　使用電容實現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)連接的交流耦合有很多益處，比如電平轉(zhuǎn)換、去除共模誤差以及避免輸入電壓故障的發(fā)生。本文不僅介紹了電容的適當選型，也為和終端拓撲提供指導(dǎo)，同時也討論了共模故障分析的問題。

發(fā)表于：1/28/2010

IR 推出適用于汽車的 DirectFET®2 功率 MOSFET，實現(xiàn)卓越的功率密度和性能

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應(yīng)用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。

發(fā)表于：1/27/2010

Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，繼續(xù)擴展Super Junction FET®技術(shù)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

發(fā)表于：1/27/2010

用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器具有強大的柵極驅(qū)動

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。這個驅(qū)動器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

發(fā)表于：1/27/2010

Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。

發(fā)表于：1/25/2010

Vishay推出ESD級別高達2kV的新款車用精密薄膜電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。 　　由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經(jīng)過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控、能量管理、測試、傳感器標度和汽車電子產(chǎn)品中穩(wěn)定的固定電阻應(yīng)用進行了優(yōu)化。

發(fā)表于：1/22/2010

Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器

發(fā)表于：1/21/2010