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機(jī)臺(tái)遞延交貨 DRAM大廠40奈米戰(zhàn)局延后

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年！

發(fā)表于：5/12/2010

ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用

ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動(dòng)、低功耗的MEMS陀螺儀，具有0.03°/sec/g的線性加速度靈敏度，功耗僅為6mA。

發(fā)表于：5/12/2010

Spansion完成破產(chǎn)法第十一章重整，成功脫離破產(chǎn)保護(hù)

2009年3月1日，Spansion申請(qǐng)第11章破產(chǎn)保護(hù)。2009年10月26日，公司第一次提交重組計(jì)劃，其修訂后的披露聲明于2009年12月22日獲得美國(guó)破產(chǎn)法院批準(zhǔn)。2010年4月16日，Spansion重組計(jì)劃獲得美國(guó)破產(chǎn)法院認(rèn)可并于2010年5月10日正式脫離第11章。隨著Spansion成功脫離第11章，Spansion以往的普通股將被取消，不再交易。一些破產(chǎn)前的債權(quán)和其他行政事項(xiàng)將繼續(xù)進(jìn)行直到最終解決。從今日起，Spansion將不再受美國(guó)特拉華州地區(qū)破產(chǎn)法庭管轄。

發(fā)表于：5/12/2010

iSuppli預(yù)測(cè)2010年NOR Flash市場(chǎng)收益將止跌回升

據(jù)iSuppli預(yù)估，由于受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境好轉(zhuǎn)和需求回升的鼓舞，NOR Flash閃存市場(chǎng)的整體收益會(huì)在2010年止跌回升。

發(fā)表于：5/12/2010

可管理的存儲(chǔ)器：為存儲(chǔ)器系統(tǒng)增加智能的途徑

選用可管理的非易失性存儲(chǔ)器解決方案具有明顯優(yōu)勢(shì)和直接效果，體現(xiàn)在：NAND閃存技術(shù)變化不影響整個(gè)系統(tǒng)；閃存廠商獨(dú)立共存；移植性；互操作性；存儲(chǔ)控制器上軟件負(fù)荷降低；可擴(kuò)展性。

發(fā)表于：5/11/2010

NOR Flash持續(xù)缺貨　宜揚(yáng)4月?tīng)I(yíng)收受惠

NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月?tīng)I(yíng)收相對(duì)出色！旺宏自結(jié)營(yíng)收為新臺(tái)幣22.94億元，較上月小幅增加2.1%，華邦4月?tīng)I(yíng)收則為34.61億元，較上月成長(zhǎng)10.22%，其中宜揚(yáng)則以黑馬之姿竄出，4月?tīng)I(yíng)收較上月成長(zhǎng)37%，達(dá)5.99億元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價(jià)之賜。

發(fā)表于：5/11/2010

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。

發(fā)表于：5/11/2010

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。

發(fā)表于：5/11/2010

下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起國(guó)際大廠攻勢(shì)凌厲

近期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對(duì)PC、消費(fèi)性電子和通訊市場(chǎng)使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達(dá)128Mb，隨著國(guó)際大廠接連發(fā)動(dòng)攻勢(shì)，讓原本冷門(mén)的相變化內(nèi)存市場(chǎng)一夕之間熱了起來(lái)！

發(fā)表于：5/11/2010

為存儲(chǔ)器測(cè)試開(kāi)發(fā)低成本的解決方案

本文將探討存儲(chǔ)器測(cè)試解決方案的開(kāi)發(fā)以及驗(yàn)證功能和物理連接所需的測(cè)試設(shè)備功能。并分析除了滿(mǎn)足存儲(chǔ)器基本功能測(cè)試之外，如何擴(kuò)展測(cè)試能力。

發(fā)表于：5/11/2010

德州儀器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET

隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來(lái)越小，功率密度會(huì)越來(lái)越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來(lái)越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶(hù)需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿(mǎn)足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)對(duì)處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

發(fā)表于：5/10/2010

英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD封裝，旨在實(shí)現(xiàn)更高功率密度解決方案

2010年5月10日，德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。

發(fā)表于：5/10/2010

加強(qiáng)布局新興市場(chǎng) 益登科技擴(kuò)增國(guó)內(nèi)及東南亞營(yíng)銷(xiāo)據(jù)點(diǎn)

專(zhuān)業(yè)電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）今日宣布，為了提供新興市場(chǎng)更實(shí)時(shí)而完整的服務(wù)，該公司近期相繼于西安、成都、青島以及印度設(shè)立營(yíng)運(yùn)處，重點(diǎn)覆蓋當(dāng)?shù)貥I(yè)務(wù)，并輻射周邊市場(chǎng)，在國(guó)內(nèi)及東南亞地區(qū)構(gòu)建更綿密的分銷(xiāo)格局。

發(fā)表于：5/10/2010

全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與14%；DDR２合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)持平，持續(xù)維持在高檔價(jià)格。

發(fā)表于：5/7/2010

Vishay幫助客戶(hù)進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿(mǎn)足特定用戶(hù)的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻。

發(fā)表于：5/6/2010