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ADI MEMS運(yùn)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)走進(jìn)好萊塢：《鋼鐵俠2》和《愛(ài)麗絲漫游奇境》借助ADI公司和技術(shù)增強(qiáng)動(dòng)畫(huà)特效

利用ADI公司的iMEMS®高性能運(yùn)動(dòng)傳感器和Blackfin® DSP，Xsens MVN三維運(yùn)動(dòng)捕獲捕獲技術(shù)使電影和視頻游戲的計(jì)算機(jī)角色動(dòng)畫(huà)制作大變模樣

發(fā)表于：5/20/2010

閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)！可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND（一）

致力于新存儲(chǔ)器技術(shù)開(kāi)發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Unity Semiconductor公司，宣稱(chēng)已開(kāi)發(fā)出一種可取代NAND快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)，為記憶卡和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）提供了新的儲(chǔ)存媒介選擇。

發(fā)表于：5/20/2010

只買(mǎi)不賣(mài)　逢低布局DRAM產(chǎn)業(yè)鏈

臺(tái)股受到國(guó)際環(huán)境影響呈現(xiàn)震蕩向下修正走勢(shì)，當(dāng)然電子股淡季效應(yīng)也是拖累大盤(pán)上攻無(wú)力的主因，然而逢低布局正是好時(shí)機(jī)，尤其第1季電子業(yè)上游零組件缺料狀況，第3季有可能重演，DRAM在無(wú)新產(chǎn)能投入下，產(chǎn)業(yè)鏈賣(mài)相最佳。

發(fā)表于：5/20/2010

連接器：電子裝備中的隱形支柱

在武器裝備的各類(lèi)電子系統(tǒng)中，連接器在器件與器件、組件與組件、系統(tǒng)與系統(tǒng)之間進(jìn)行電氣連接和信號(hào)傳遞，是構(gòu)成一個(gè)完整系統(tǒng)所必須的基礎(chǔ)元件，是軍用電子裝備中不可或缺的隱形支柱。

發(fā)表于：5/18/2010

基于AS3990/AS3991的超高頻RFID讀寫(xiě)器的設(shè)計(jì)

介紹了超高頻RFID讀寫(xiě)專(zhuān)用芯片AS3990/AS3991的主要功能與特點(diǎn)，以及采用這款芯片設(shè)計(jì)讀寫(xiě)器的整體方案。分析了在兼容ISO18000-6A/B協(xié)議的工作模式下，對(duì)解碼、校驗(yàn)電路處理速度的最低要求；介紹了直接采用MCU進(jìn)行解碼、校驗(yàn)的方法，并為設(shè)計(jì)讀寫(xiě)器選取合適的MCU提供了依據(jù)。

發(fā)表于：5/17/2010

應(yīng)用RFID技術(shù)實(shí)現(xiàn)醫(yī)用植入裝置的通信

典型的醫(yī)用植入裝置由體外部分和植入體兩部分組成，二者之間通過(guò)射頻載波傳輸能量和信息，這與廣泛應(yīng)用的射頻識(shí)別技術(shù)非常相似。本文分析研究了它們?cè)诩夹g(shù)和應(yīng)用層面的特點(diǎn)，提出了一種基于商用RFID技術(shù)及其器件實(shí)現(xiàn)的醫(yī)用植入裝置雙向通信的設(shè)計(jì)，對(duì)于具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)、必要的技術(shù)裁剪和技術(shù)擴(kuò)展進(jìn)行了較為詳細(xì)的介紹。

發(fā)表于：5/17/2010

泰科電子新型POLYZEN器件滿(mǎn)足USB掛起模式下的功耗要求

美國(guó)加利福尼亞州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科電子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen? ZEN059V130A24LS 器件。這款集成器件可為帶有USB接口的電子產(chǎn)品提供全面電路保護(hù)，同時(shí)滿(mǎn)足USB3.0掛起模式下的功耗要求。

發(fā)表于：5/17/2010

5月DRAM合約價(jià)出爐　DDR2持平　DDR3小漲

原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開(kāi)出，一如市場(chǎng)預(yù)期，在PC大廠(chǎng)和DRAM大廠(chǎng)多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開(kāi)出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿(mǎn)意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠(chǎng)都不敢把話(huà)說(shuō)的太滿(mǎn)，對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間？ DRAM廠(chǎng)僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。

發(fā)表于：5/17/2010

機(jī)臺(tái)遞延交貨 DRAM大廠(chǎng)40奈米戰(zhàn)局延后

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年！

發(fā)表于：5/12/2010

ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用

ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動(dòng)、低功耗的MEMS陀螺儀，具有0.03°/sec/g的線(xiàn)性加速度靈敏度，功耗僅為6mA。

發(fā)表于：5/12/2010

Spansion完成破產(chǎn)法第十一章重整，成功脫離破產(chǎn)保護(hù)

2009年3月1日，Spansion申請(qǐng)第11章破產(chǎn)保護(hù)。2009年10月26日，公司第一次提交重組計(jì)劃，其修訂后的披露聲明于2009年12月22日獲得美國(guó)破產(chǎn)法院批準(zhǔn)。2010年4月16日，Spansion重組計(jì)劃獲得美國(guó)破產(chǎn)法院認(rèn)可并于2010年5月10日正式脫離第11章。隨著Spansion成功脫離第11章，Spansion以往的普通股將被取消，不再交易。一些破產(chǎn)前的債權(quán)和其他行政事項(xiàng)將繼續(xù)進(jìn)行直到最終解決。從今日起，Spansion將不再受美國(guó)特拉華州地區(qū)破產(chǎn)法庭管轄。

發(fā)表于：5/12/2010

iSuppli預(yù)測(cè)2010年NOR Flash市場(chǎng)收益將止跌回升

據(jù)iSuppli預(yù)估，由于受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境好轉(zhuǎn)和需求回升的鼓舞，NOR Flash閃存市場(chǎng)的整體收益會(huì)在2010年止跌回升。

發(fā)表于：5/12/2010

可管理的存儲(chǔ)器：為存儲(chǔ)器系統(tǒng)增加智能的途徑

選用可管理的非易失性存儲(chǔ)器解決方案具有明顯優(yōu)勢(shì)和直接效果，體現(xiàn)在：NAND閃存技術(shù)變化不影響整個(gè)系統(tǒng)；閃存廠(chǎng)商獨(dú)立共存；移植性；互操作性；存儲(chǔ)控制器上軟件負(fù)荷降低；可擴(kuò)展性。

發(fā)表于：5/11/2010

NOR Flash持續(xù)缺貨　宜揚(yáng)4月?tīng)I(yíng)收受惠

NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月?tīng)I(yíng)收相對(duì)出色！旺宏自結(jié)營(yíng)收為新臺(tái)幣22.94億元，較上月小幅增加2.1%，華邦4月?tīng)I(yíng)收則為34.61億元，較上月成長(zhǎng)10.22%，其中宜揚(yáng)則以黑馬之姿竄出，4月?tīng)I(yíng)收較上月成長(zhǎng)37%，達(dá)5.99億元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價(jià)之賜。

發(fā)表于：5/11/2010

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。

發(fā)表于：5/11/2010