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Vishay發(fā)布用于在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁(yè)面

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 8 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁(yè)面。視頻中心的新首頁(yè)按照產(chǎn)品分類進(jìn)行設(shè)計(jì)和布局，使設(shè)計(jì)者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視頻。　

發(fā)表于：8/9/2010

DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一；目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。

發(fā)表于：8/5/2010

英飛凌推出具備180A額定電流和不足1毫歐通態(tài)電阻的30V車用 MOSFET

2010年8月4日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　

發(fā)表于：8/5/2010

基于無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠(yuǎn)程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)節(jié)省時(shí)間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時(shí)地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來(lái)，為實(shí)現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個(gè)控制信號(hào)采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_(tái)，可遠(yuǎn)程對(duì)電表進(jìn)行參數(shù)設(shè)置、實(shí)時(shí)監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對(duì)水表、氣表等其他儀表的遠(yuǎn)程監(jiān)控。

發(fā)表于：8/4/2010

IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

發(fā)表于：8/4/2010

Ramtron開始提供MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器商用樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation（簡(jiǎn)稱Ramtron）宣布，已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias?無(wú)線存儲(chǔ)器商用樣片。Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器是高價(jià)值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護(hù)歷史數(shù)據(jù)記錄收集，以及智能電表抄表等廣泛應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：8/4/2010

電動(dòng)車用霍爾位置傳感器芯片的使用

電動(dòng)自行車用的直流無(wú)刷電機(jī)的轉(zhuǎn)子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構(gòu)成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)500mT，電動(dòng)自行車用的直流無(wú)刷電機(jī)里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續(xù)的信號(hào)處理電路，包括前置放大器，施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級(jí)可以方便地集成在同一個(gè)硅片上，形成霍耳集成電路芯片。

發(fā)表于：8/3/2010

分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(zhǎng)33.4%，達(dá)215億美元。

發(fā)表于：8/2/2010

LSI 推出全新高端口數(shù)存儲(chǔ)適配器，進(jìn)一步擴(kuò)展6Gb/s SAS 系列

全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產(chǎn)品使單個(gè)卡能夠直接連接服務(wù)器內(nèi)多達(dá) 24 個(gè)驅(qū)動(dòng)器，或外部連接多達(dá) 512 個(gè)器件，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的存儲(chǔ)擴(kuò)展

發(fā)表于：8/2/2010

美光推出新型內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

2010年7月29日，北京訊美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對(duì)平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)? 的Oak Trail平臺(tái)。尺寸和電池壽命對(duì)于平板電腦市場(chǎng)十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場(chǎng)的理想存儲(chǔ)解決方案。

發(fā)表于：7/30/2010

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來(lái)全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴(kuò)充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

發(fā)表于：7/29/2010

Vishay推出業(yè)內(nèi)最耐熱的薄膜貼片電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為其用于極高溫度環(huán)境的無(wú)源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對(duì)用在鉆井勘探和航天應(yīng)用的多芯片模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

發(fā)表于：7/27/2010

Spansion、爾必達(dá)（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟

　2010年7月26日，中國(guó)上?！獱柋剡_(dá)（Elpida）存儲(chǔ)器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴(kuò)展在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。此外，爾必達(dá)公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術(shù)的Spansion® NAND IP非專屬性授權(quán)。爾必達(dá)公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產(chǎn)廠生產(chǎn)全新NAND產(chǎn)品。雙方將分開經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品銷售。

發(fā)表于：7/27/2010