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使用壓電薄膜傳感器作為加速度計

加速度計可以用在儀表中，測量加速度(速度對時間的變化率)和測量傾斜度(物體的縱軸和與地球表面相切的平面的垂線之間形成的傾角)。傾斜度測量可以被看成“直流”或穩(wěn)態(tài)測量。在理論上，加速度可以是穩(wěn)態(tài)的，但在實際應用當中，加速度通常是一個短期的暫時現(xiàn)象。

發(fā)表于：7/15/2010

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　

發(fā)表于：7/14/2010

DRAM廠制程轉換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導致產(chǎn)能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。

發(fā)表于：7/14/2010

美光科技推出第三代低延時內(nèi)存

2010年7月14日，北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術，能更有效的傳輸網(wǎng)絡信息。視頻內(nèi)容、移動應用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡應用中性能更好。

發(fā)表于：7/14/2010

傳感器：物聯(lián)網(wǎng)成引擎新技術催生新機遇

作為政府從戰(zhàn)略層面進行推進的產(chǎn)業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)如何從愿景走向現(xiàn)實應用并得到快速發(fā)展已成為業(yè)界關注的話題。正所謂“萬丈高樓平地起”，作為構成物聯(lián)網(wǎng)的基礎單元，傳感器在物聯(lián)網(wǎng)信息采集層面能否如愿以償完成它的“使命”，成為物聯(lián)網(wǎng)成敗的關鍵。并且未來MEMS、MOEMS(微光機電系統(tǒng))將成為物聯(lián)網(wǎng)的技術核心，使無線傳感網(wǎng)、光網(wǎng)快速加入物聯(lián)網(wǎng)的應用系統(tǒng)，為其提供更明確的應用方向和更豐富的市場機會，物聯(lián)網(wǎng)也將成為傳感器市場的新引擎。

發(fā)表于：7/13/2010

全面解析今年一季全球半導體硅片產(chǎn)能

國際半導體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機構SICAS近期的統(tǒng)計數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計?？偟陌雽wSC數(shù)據(jù)，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉換成8英寸利用轉換率0.391及分立器件由6英寸轉換成8英寸，利用轉換率0.563。

發(fā)表于：7/13/2010

2010中國電子制造商采購行為調(diào)查

中國電子展兩年前首次在展覽期間推出“中國市場電子元器件領軍廠商評選活動”，這一評選活動一經(jīng)推出，就受到了業(yè)界的廣泛關注，參與和反響都很不錯。今年將于11月3-5日在上海新國際博覽中心召開的第76屆中國電子展仍然會將這一評選活動作為一場重量級的業(yè)內(nèi)互動交流平臺推廣。

發(fā)表于：7/12/2010

中國(成都)電子展　數(shù)以萬計專業(yè)觀眾追捧為哪般？

中國電子展自07年首次移師西部以來贏得了數(shù)以萬計買家的大力支持。去年召開的成都展接待觀眾13109人次，近500家展商參與展示活動，包括了IBM、英特爾、安捷倫、泰克科技、力科、福祿克、德國羅森伯格、羅德與施瓦茨、ESPEC等行業(yè)巨頭，以及元器件和半導體的國際領軍廠商泰科電子、威世國際、村田制作所、安富利、太陽誘電、飛兆半導體、德州儀器、ALTERA、Actel、Xilinx、微芯科技、ADI等。還有很多優(yōu)秀的國內(nèi)企業(yè)：中科泛華、泉州火炬、常州堅力、常州銀河、常州同惠、寧波晨翔等。

發(fā)表于：7/12/2010

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設計

隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快，大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對內(nèi)存條控制的應用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理，內(nèi)存條電路設計的注意事項，以及如何使用FPGA實現(xiàn)對DDR內(nèi)存條的控制，最后給出控制的仿真波形。

發(fā)表于：7/12/2010

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。

發(fā)表于：7/9/2010

Avnet Express推出面向亞洲的電子商務網(wǎng)站

中國北京– 2010年7月8日 - 安富利公司(NYSE: AVT)運營機構之一安富利電子元件(Avnet Electronics Marketing) 旗下Avnet Express近日推出亞洲最完善的電子元件電子商務網(wǎng)站 www.avnetexpress.com/asia ，該網(wǎng)站也是業(yè)界首個支持中國在線支付系統(tǒng)的亞洲分銷商網(wǎng)站。

發(fā)表于：7/8/2010

AMOLED短缺引發(fā)智能手機市場擔憂

據(jù)iSuppli公司，有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)供應短缺，正在妨礙其在智能手機市場挑戰(zhàn)AMLCD技術的主導地位。

發(fā)表于：7/6/2010

2011年DRAM均價將跌三成，眾廠商加大投入搏競爭力

針對 DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉進、成本下降， DRAM 廠營業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢最佳者，今年營業(yè)利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢落后者，今年下半年轉虧為營，明年營業(yè)利益率約可維持在10%上下。

發(fā)表于：7/6/2010

LED晶粒年底可達供需平衡

LED供需爭議未止，昨公布的一項報告指出，電視用LED晶粒缺貨狀況將到年底，估計第四季就會達成平衡。

發(fā)表于：7/5/2010

磁性材料前景樂觀

磁性材料是電子工業(yè)的重要基礎功能材料，廣泛應用于計算機、電子器件、通訊、汽車和航空航天等工業(yè)領域和家用電器、兒童玩具等日常生活用品，隨著世界經(jīng)濟和科學技術的迅猛發(fā)展，磁性材料的需求將空前廣闊。

發(fā)表于：7/2/2010