《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 新型-30V P 溝道功率 MOSFET 使設(shè)計更簡單靈活

2010-09-15
作者:IR

  全球功率半導體管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關(guān),以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路,使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
 
  IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“相比上一代產(chǎn)品,這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力,更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇,以適應(yīng)他們對溫度和成本的要求。同時,P 溝道技術(shù)也可以簡化電路設(shè)計。”
 
  P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準,所采用的材料不含鉛,且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。 
 
產(chǎn)品規(guī)格

器件編號

封裝

BV (V)

最大Vgs  (V)

10V下的

典型/ 最大

RDS(on) (mΩ)

4.5V下的

典型/ 最大

RDS(on)

(mΩ)

IRF9310

SO-8

-30

20

3.9 / 4.6

5.8 / 6.8

IRF9317

SO-8

-30

20

5.4 / 6.6

8.3 / 10.2

IRF9321

SO-8

-30

20

5.9 / 7.2

9.3 / 11.2

IRF9328

SO-8

-30

20

10.0 / 11.9

16.1 / 19.7

IRF9332

SO-8

-30

20

13.6 / 17.5

22.5 / 28.1

IRF9333

SO-8

-30

20

15.6 / 19.4

25.6 / 32.5

IRF9335

SO-8

-30

20

48 / 59

83 / 110

IRF9362

SO-8 (dual)

-30

20

17.0 /  21.0

25.7 / 32

  新器件現(xiàn)已接受訂單,數(shù)據(jù)和應(yīng)用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。
  
專利和商標
 
  IR是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標。
 
IR簡介
 
  國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
 
  IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。
 

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