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設(shè)計(jì)基于數(shù)字溫度傳感器DSl8B20芯片的多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)

本文在介紹數(shù)字溫度傳感器DSl8B20的基礎(chǔ)上，采用AT89C5l單片機(jī)設(shè)計(jì)多點(diǎn)采集溫度系統(tǒng)的方案，并給出了重要電路圖和初始化DSl8B20程序。該方案采用從機(jī)采集多點(diǎn)溫度，主機(jī)顯示溫度，主、從機(jī)之間通過RS 485通信，且具有廣闊的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：9/26/2010

MOS管擊穿原因及解決方案

討論MOS管被擊穿的原因及解決方案.

發(fā)表于：9/26/2010

串聯(lián)電感的作用及解決方案

電感為什么在低頻時(shí)要把并聯(lián)改為串聯(lián)？從感抗與電阻的比值來分析Q值，不容易找到答案，并改串應(yīng)該是不能提高Q值的。

發(fā)表于：9/26/2010

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)方案

提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND FLASH存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND FLASH的讀、寫、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFLASH當(dāng)成NOR FLASH或SRAM來對(duì)待，這樣存儲(chǔ)器的物理地址對(duì)程序員而言是透明的，只需要在遇到壞塊(BAD BLOCK)時(shí)跳過該塊就可以了。該方法降低了使用NAND FLASH存儲(chǔ)器的難度和成本，且不僅適用于EPG3231，也可以推廣到一般的8位單片機(jī)系統(tǒng)中使用。

發(fā)表于：9/26/2010

片外FIash存儲(chǔ)器IAP的n種方案

針對(duì)嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)片外Flash存儲(chǔ)器IAP無現(xiàn)成方案的問題，介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲(chǔ)器IAP解決方案。結(jié)合LPC2210及SST39VFl60芯片，簡(jiǎn)介兩款芯片特點(diǎn)，給出應(yīng)用連接框圖；分析IAP實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)，并給出IAP的實(shí)現(xiàn)代碼。

發(fā)表于：9/25/2010

Vishay推出業(yè)界首款采用緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達(dá)+170℃。

發(fā)表于：9/25/2010

人體接近傳感器在ATM監(jiān)控中的運(yùn)用

人體接近傳感器又稱無觸點(diǎn)接近傳感器，是理想的電子開關(guān)量傳感器。它廣泛地應(yīng)用于機(jī)床、冶金、化工、輕紡和印刷等行業(yè)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中可作為限位、計(jì)數(shù)、定位控制和自動(dòng)保護(hù)環(huán)節(jié)。接近傳感器具有使用壽命長(zhǎng)、工作可靠、重復(fù)定位精度高、無機(jī)械磨損、無火花、無噪音、抗振能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

發(fā)表于：9/25/2010

Vishay發(fā)布業(yè)界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --- 146 CTI，低阻抗和高紋波電流能夠?qū)崿F(xiàn)更好的濾波和更高的可靠性。該器件同時(shí)滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接標(biāo)準(zhǔn)的苛刻回流焊條件，使加工更加靈活。

發(fā)表于：9/21/2010

物聯(lián)網(wǎng)傳感器芯片3年后30%國(guó)產(chǎn)化

近日，中國(guó)傳感產(chǎn)業(yè)研究中心主任張小飛在2010第五屆粵港射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)應(yīng)用高峰論壇上表示，作為構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)單元，目前國(guó)內(nèi)傳感器芯片90%靠進(jìn)口。未來幾年主要靠進(jìn)口的局面尚不能扭轉(zhuǎn)，但3年后國(guó)產(chǎn)芯片占有率可達(dá)30%。

發(fā)表于：9/20/2010

DRAM恐續(xù)跌20%，DRAM廠Q4營(yíng)運(yùn)爆發(fā)落空

　根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，9月上旬合約價(jià)持續(xù)下跌，DDR3 2GB模塊合約均價(jià)從40美元下跌至36美元，跌幅達(dá)10%，為一年來單次最大跌幅，DDR2模塊合約價(jià)亦受到DDR3影響，下跌約2.8%，來到35美元價(jià)位。

發(fā)表于：9/17/2010

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。

發(fā)表于：9/17/2010

高精度低成本車用超聲波傳感器的研制

本文介紹了利用超聲波傳感器實(shí)現(xiàn)無接觸式測(cè)距。系統(tǒng)由AT89C2051 單片機(jī)、超聲波電路、環(huán)境溫度電路及顯示電路組成。該測(cè)距儀具有高精度（±1mm）、低成本的特點(diǎn)。

發(fā)表于：9/16/2010

飛思卡爾Xtrinsic加速計(jì)延長(zhǎng)消費(fèi)電子器件的電池使用壽命

2010年9月14日，東京（飛思卡爾技術(shù)論壇）訊－據(jù)iSuppli公司報(bào)道，由于動(dòng)作手機(jī)、游戲控制器和數(shù)碼相機(jī)銷售出現(xiàn)強(qiáng)勁勢(shì)頭，預(yù)計(jì)2010年全球MEMS市場(chǎng)將會(huì)增長(zhǎng)11%。大部分此類設(shè)備將動(dòng)作感應(yīng)技術(shù)用于以下功能，如圖像穩(wěn)定、拍打控制、防盜和方向檢測(cè)。隨著市場(chǎng)對(duì)下一代應(yīng)用（如直觀的用戶界面和基于位置的服務(wù)）的需求在不斷增長(zhǎng)，在精度和電池使用壽命方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)顯得至關(guān)重要。

發(fā)表于：9/16/2010

IR 新型-30V P 溝道功率 MOSFET 使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單靈活

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。

發(fā)表于：9/15/2010

連接器市場(chǎng)迎來上升期

由于消費(fèi)電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)以及全球連接器生產(chǎn)能力不斷向亞洲及中國(guó)轉(zhuǎn)移，亞洲已成為連接器市場(chǎng)最有發(fā)展?jié)摿Φ牡胤?，而中?guó)預(yù)計(jì)成為全球連接器增長(zhǎng)最快和容量最大的市場(chǎng)。

發(fā)表于：9/14/2010