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微波射頻相關(guān)文章

Vishay發(fā)布業(yè)界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --- 146 CTI，低阻抗和高紋波電流能夠?qū)崿F(xiàn)更好的濾波和更高的可靠性。該器件同時滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接標準的苛刻回流焊條件，使加工更加靈活。

發(fā)表于：9/21/2010

物聯(lián)網(wǎng)傳感器芯片3年后30%國產(chǎn)化

近日，中國傳感產(chǎn)業(yè)研究中心主任張小飛在2010第五屆粵港射頻識別(RFID)技術(shù)應(yīng)用高峰論壇上表示，作為構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)單元，目前國內(nèi)傳感器芯片90%靠進口。未來幾年主要靠進口的局面尚不能扭轉(zhuǎn)，但3年后國產(chǎn)芯片占有率可達30%。

發(fā)表于：9/20/2010

DRAM恐續(xù)跌20%，DRAM廠Q4營運爆發(fā)落空

　根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，9月上旬合約價持續(xù)下跌，DDR3 2GB模塊合約均價從40美元下跌至36美元，跌幅達10%，為一年來單次最大跌幅，DDR2模塊合約價亦受到DDR3影響，下跌約2.8%，來到35美元價位。

發(fā)表于：9/17/2010

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計算機服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。

發(fā)表于：9/17/2010

高精度低成本車用超聲波傳感器的研制

本文介紹了利用超聲波傳感器實現(xiàn)無接觸式測距。系統(tǒng)由AT89C2051 單片機、超聲波電路、環(huán)境溫度電路及顯示電路組成。該測距儀具有高精度（±1mm）、低成本的特點。

發(fā)表于：9/16/2010

飛思卡爾Xtrinsic加速計延長消費電子器件的電池使用壽命

2010年9月14日，東京（飛思卡爾技術(shù)論壇）訊－據(jù)iSuppli公司報道，由于動作手機、游戲控制器和數(shù)碼相機銷售出現(xiàn)強勁勢頭，預(yù)計2010年全球MEMS市場將會增長11%。大部分此類設(shè)備將動作感應(yīng)技術(shù)用于以下功能，如圖像穩(wěn)定、拍打控制、防盜和方向檢測。隨著市場對下一代應(yīng)用（如直觀的用戶界面和基于位置的服務(wù)）的需求在不斷增長，在精度和電池使用壽命方面占據(jù)優(yōu)勢顯得至關(guān)重要。

發(fā)表于：9/16/2010

IR 新型-30V P 溝道功率 MOSFET 使設(shè)計更簡單靈活

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。

發(fā)表于：9/15/2010

連接器市場迎來上升期

由于消費電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)市場的快速增長以及全球連接器生產(chǎn)能力不斷向亞洲及中國轉(zhuǎn)移，亞洲已成為連接器市場最有發(fā)展?jié)摿Φ牡胤?，而中國預(yù)計成為全球連接器增長最快和容量最大的市場。

發(fā)表于：9/14/2010

國內(nèi)傳感器產(chǎn)業(yè)增長31%卻緣何陷入死循環(huán)

據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院微電子研究所預(yù)測，今年中國傳感器市場銷量將達到905億元。未來五年，國內(nèi)傳感器市場平均銷售增長率將達31%。

發(fā)表于：9/9/2010

NAND Flash跌價深上游大廠對模塊廠讓步

NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。

發(fā)表于：9/8/2010

意法半導(dǎo)體（ST）引領(lǐng)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，出貨量瞄準十億大關(guān)

全球最大的消費電子與便攜設(shè)備MEMS（微機電系統(tǒng)）供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，事業(yè)部副總裁兼MEMS、傳感器和高性能模擬產(chǎn)品部總經(jīng)理Benedetto Vigna將于2010年臺灣SEMICON 國際半導(dǎo)體展MEMS創(chuàng)新技術(shù)趨勢論壇發(fā)表開幕演講，以移動市場為主軸，探討傳感器集成技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)及未來智能傳感器系統(tǒng)解決方案的發(fā)展趨勢。

發(fā)表于：9/8/2010

全球電子巨頭看好西部工業(yè)和電子產(chǎn)業(yè)升級大勢緊跟西部災(zāi)后重建市場，借CEF探路成都

2010年是實施西部大開發(fā)戰(zhàn)略10周年。7月中共中央、國務(wù)院召開了西部大開發(fā)工作會議，經(jīng)過10年不懈努力，西部地區(qū)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)取得突破性進展，經(jīng)濟增長速度高于全國平均水平，西部地區(qū)已站在新的歷史起點上。今后10年是深入推進西部大開發(fā)承前啟后的關(guān)鍵時期。作為西部大開發(fā)的重要一環(huán)，面向西部的產(chǎn)業(yè)大轉(zhuǎn)移已拉開帷幕。

發(fā)表于：9/8/2010

Vishay的新款長邊接頭厚膜電阻可有效提高系統(tǒng)可靠性

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列長邊接頭厚膜貼片電阻 --- RCL e3。新電阻的外形尺寸為0612和1218，功率等級高達1.0W，可耐受高溫循環(huán)。

發(fā)表于：9/8/2010

數(shù)字電位器的研究及應(yīng)用

數(shù)字電位器(Digital PotenTIometer)亦稱數(shù)控可編程電阻器，是一種代替?zhèn)鹘y(tǒng)機械電位器(模擬電位器)的新型CMOS數(shù)字、模擬混合信號處理的集成電路。數(shù)字電位器采用數(shù)控方式調(diào)節(jié)電阻值的，具有使用靈活、調(diào)節(jié)精度高、無觸點、低噪聲、不易污損、抗振動、抗干擾、體積小、壽命長等顯著優(yōu)點，可在許多領(lǐng)域取代機械電位器。

發(fā)表于：9/7/2010

MEMS晶圓制造趨于成熟帶動IC設(shè)計發(fā)展

有別于以往打印機噴墨頭、數(shù)字光源處理技術(shù)(DigitalLightProcessing;DLP)等領(lǐng)域是微機電系統(tǒng)(MEMS)的主要應(yīng)用，隨著任天堂(Nintendo)Wii以及蘋果(Apple)iPhone等重量級產(chǎn)品問世候，已帶動MEMS開發(fā)新世代產(chǎn)品，并快速帶動整體產(chǎn)業(yè)需求起飛。

發(fā)表于：9/6/2010