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微波射頻相關(guān)文章

2010年4季度電子元器件行業(yè)投資策略

電子行業(yè)將步入后景氣時(shí)代,產(chǎn)能釋放將成為主導(dǎo)因素。決大多數(shù)的電子元器件領(lǐng)域ROE 都明顯超越歷史平均水平,這導(dǎo)致行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)充從年初開始并逐漸加強(qiáng),預(yù)計(jì)產(chǎn)能釋放和需求季節(jié)波動將使景氣從年底前開始下行。庫存和需求都不大會有重大負(fù)面影響,我們預(yù)計(jì)需求將平穩(wěn)增長。預(yù)計(jì)2011 年仍好于正常年景,但景氣將低于10 年,整體業(yè)績增速將顯著減慢。

發(fā)表于：2010/10/21

國產(chǎn)傳感器和儀器儀表發(fā)展重點(diǎn)

我國傳感器和儀器儀表的技術(shù)和產(chǎn)品，經(jīng)過發(fā)展，有了較大的提高。但與國外相比，我國傳感器和儀表元器件的產(chǎn)品品種和質(zhì)量水平，尚不能滿足國內(nèi)市場的需求，總體水平還處于國外上世紀(jì)90年代初期的水平。

發(fā)表于：2010/10/21

教你如何做連接器

電子連接器種類繁多,但制造過程是基本一致的,一般可分為下面四個(gè)階段：·沖壓、電鍍、注塑、組裝。

發(fā)表于：2010/10/20

淺析杜比耳機(jī)技術(shù)

杜比耳機(jī)技術(shù)使你能用傳統(tǒng)的立體聲耳機(jī)來欣賞多聲道節(jié)目，例如杜比數(shù)字(DolbyDigital)或者杜比環(huán)繞聲(DolbySurround)編碼的電影節(jié)目，你能感受到震撼、真實(shí)的環(huán)繞聲效。本文詳細(xì)介紹了杜比耳機(jī)技術(shù)。

發(fā)表于：2010/10/20

Spansion公司擴(kuò)大串行閃存產(chǎn)品線，發(fā)布小扇區(qū)閃存系列

日前，Spansion(NYSE: CODE)宣布推出全新Spansion® FL-K串行接口 (SPI) 小扇區(qū)架構(gòu)閃存產(chǎn)品線（S25FL-K）。Spansion FL-K系列支持統(tǒng)一4-千字節(jié)（KB）的小扇區(qū)設(shè)計(jì)。目前整個(gè)Spansion SPI產(chǎn)品組合覆蓋密度范圍為4Mb至256Mb，是市場上最廣泛的產(chǎn)品組合之一。

發(fā)表于：2010/10/20

基于多數(shù)決定邏輯門的低功耗全加器設(shè)計(jì)

全加器是算術(shù)運(yùn)算的基本單元，提高一位全加器的性能是提高運(yùn)算器性能的重要途徑之一。首先提出多數(shù)決定邏輯非門的概念和電路設(shè)計(jì)，然后提出一種基于多數(shù)決定邏輯非門的全加器電路設(shè)計(jì)。該全加器僅由輸入電容和CMOS反向器組成，較少的管子、工作于極低電源電壓、短路電流的消除是該全加器的三個(gè)主要特征。對這種新的全加器，用PSpice進(jìn)行了晶體管級模擬。結(jié)果顯示，這種新的全加器能正確完成加法器的邏輯功能。

發(fā)表于：2010/10/19

Vishay推出業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10mΩ～100mΩ，可在+170℃的高溫下工作。　

發(fā)表于：2010/10/19

Vishay Siliconix 推出新款超低導(dǎo)通電阻

器件具有低至0.38 Ω的導(dǎo)通電阻和68nC的柵極電荷，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝

發(fā)表于：2010/10/18

Maxim推出內(nèi)置鉗位二極管的發(fā)送/接收(T/R)開關(guān)

Maxim推出完全集成的八通道高壓發(fā)送/接收(T/R)開關(guān)MAX4936/MAX4937。這兩款開關(guān)內(nèi)置鉗位二極管，用于隔離低壓接收通道與高壓發(fā)送通道，保護(hù)接收器輸入不會被T/R開關(guān)漏電流產(chǎn)生的電壓尖峰損壞。與分立電路方案相比，Maxim的集成方案可節(jié)省超過50%的電路板空間，并且具有寬帶、低抖動和低信號失真特性。MAX4936/MAX4937理想用于對電路板空間要求嚴(yán)格的超聲成像和工業(yè)探傷應(yīng)用。

發(fā)表于：2010/10/15

關(guān)于功率二極管的疑難解析

疑難解析關(guān)于功率二極管問題。

發(fā)表于：2010/10/14

電子元器件封裝秘籍大公開

BGA(ballgridarray)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。

發(fā)表于：2010/10/14

MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

隨著超大型集成電路(VLSI)的快速發(fā)展，淺溝槽隔離(STI)技術(shù)在MOSFET制成中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)MOSFET的有效通道長度(L)和寬度(W)的尺寸越來越小時(shí)，一種MOS器件的失效模式：雙峰效應(yīng)(double-hump)也越來越受到人們的重視。

發(fā)表于：2010/10/14

柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。因此，柵極電阻必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。

發(fā)表于：2010/10/14

一種基于RFID的移動目標(biāo)監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

以NRF2401和Atmega8L為硬件核心，設(shè)計(jì)了一個(gè)RFID監(jiān)控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜電磁環(huán)境下的移動目標(biāo)跟蹤監(jiān)控。針對信號頻率、標(biāo)簽容量、識別效率間的關(guān)系，從理論上進(jìn)行描述和分析，結(jié)合單片機(jī)的處理速度，對系統(tǒng)的標(biāo)簽容量進(jìn)行了估算，得出了掃描次數(shù)、標(biāo)簽容量以及系統(tǒng)效率三者之間的關(guān)系；通過實(shí)驗(yàn)，對系統(tǒng)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，得到閱讀器在不同發(fā)射功率下的通信距離等相關(guān)數(shù)據(jù)，適當(dāng)選擇系統(tǒng)工作頻率能較好地控制誤碼率，提高系統(tǒng)工作的可靠性。實(shí)驗(yàn)表明，在系統(tǒng)功率參數(shù)一定的條件下，單標(biāo)簽掃描次數(shù)與系統(tǒng)的識別效率和吞吐量存在一定關(guān)系，適當(dāng)選擇可使系統(tǒng)性能最優(yōu)化。

發(fā)表于：2010/10/14

工程熱設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)解讀

在調(diào)試或維修電路的時(shí)候，我們常提到一個(gè)詞“××燒了”，這個(gè)××有時(shí)是電阻、有時(shí)是保險(xiǎn)絲、有時(shí)是芯片，可能很少有人會追究這個(gè)詞的用法，為什么不是用“壞”而是用“燒”？其原因就是在機(jī)電產(chǎn)品中，熱失效是最常見的一種失效模式，電流過載，局部空間內(nèi)短時(shí)間內(nèi)通過較大的電流，會轉(zhuǎn)化成熱，熱聚。集不易散掉，導(dǎo)致局部溫度快速升高，過高的溫度會燒毀導(dǎo)電銅皮、導(dǎo)線和器件本身。

發(fā)表于：2010/10/13