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基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠(yuǎn)程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)節(jié)省時(shí)間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時(shí)地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實(shí)現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠(yuǎn)程對電表進(jìn)行參數(shù)設(shè)置、實(shí)時(shí)監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠(yuǎn)程監(jiān)控。

發(fā)表于：8/4/2010

IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。

發(fā)表于：8/4/2010

Ramtron開始提供MaxArias無線存儲器商用樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation（簡稱Ramtron）宣布，已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias?無線存儲器商用樣片。Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無線存儲器是高價(jià)值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護(hù)歷史數(shù)據(jù)記錄收集，以及智能電表抄表等廣泛應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：8/4/2010

電動車用霍爾位置傳感器芯片的使用

電動自行車用的直流無刷電機(jī)的轉(zhuǎn)子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構(gòu)成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場強(qiáng)度超過500mT，電動自行車用的直流無刷電機(jī)里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續(xù)的信號處理電路，包括前置放大器，施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級可以方便地集成在同一個硅片上，形成霍耳集成電路芯片。

發(fā)表于：8/3/2010

分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達(dá)215億美元。

發(fā)表于：8/2/2010

LSI 推出全新高端口數(shù)存儲適配器，進(jìn)一步擴(kuò)展6Gb/s SAS 系列

全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產(chǎn)品使單個卡能夠直接連接服務(wù)器內(nèi)多達(dá) 24 個驅(qū)動器，或外部連接多達(dá) 512 個器件，從而實(shí)現(xiàn)簡單高效的存儲擴(kuò)展

發(fā)表于：8/2/2010

美光推出新型內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

2010年7月29日，北京訊美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動? 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的理想存儲解決方案。

發(fā)表于：7/30/2010

先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求

Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競賽劃下句點(diǎn)。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴(kuò)充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。

發(fā)表于：7/30/2010

Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

發(fā)表于：7/29/2010

Vishay推出業(yè)內(nèi)最耐熱的薄膜貼片電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環(huán)境的無源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應(yīng)用的多芯片模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

發(fā)表于：7/27/2010

Spansion、爾必達(dá)（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟

　2010年7月26日，中國上?！獱柋剡_(dá)（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴(kuò)展在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。此外，爾必達(dá)公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術(shù)的Spansion® NAND IP非專屬性授權(quán)。爾必達(dá)公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產(chǎn)廠生產(chǎn)全新NAND產(chǎn)品。雙方將分開經(jīng)營產(chǎn)品銷售。

發(fā)表于：7/27/2010

基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的遠(yuǎn)程智能抄表系統(tǒng)設(shè)計(jì)

智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)節(jié)省時(shí)間、人力、物力、提高工作效率，降低物業(yè)成本，準(zhǔn)確及時(shí)地將住戶所使用的電表數(shù)據(jù)顯示出來，為實(shí)現(xiàn)小區(qū)科學(xué)、系統(tǒng)的物業(yè)管理提供了有效的解決方法。智能遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的核心是提供了一個控制信號采集和數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠脚_，可遠(yuǎn)程對電表進(jìn)行參數(shù)設(shè)置、實(shí)時(shí)監(jiān)控和故障判斷。該系統(tǒng)可用于對水表、氣表等其他儀表的遠(yuǎn)程監(jiān)控。

發(fā)表于：7/26/2010

全球MEMS技術(shù)應(yīng)用及其市場發(fā)展?fàn)顩r

MEMS有廣泛的應(yīng)用，但其封裝測試成本是決定其能否有光明市場前景的重要因素

發(fā)表于：7/26/2010

市場低迷大廠獲益誰是下一個奇夢達(dá)

近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計(jì)劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達(dá)到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計(jì)這些支出中將有相當(dāng)一部分進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。

發(fā)表于：7/23/2010