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IR 針對(duì)節(jié)能汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用推出堅(jiān)固可靠、符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的600V IC

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布針對(duì)節(jié)能汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用推出堅(jiān)固可靠的 600V IC 系列，應(yīng)用領(lǐng)域包括壓電與共軌噴射系統(tǒng)、起動(dòng)發(fā)電機(jī)、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、風(fēng)扇和壓縮機(jī)等。

發(fā)表于：8/31/2010

LEM電流傳感器在電梯專用變頻器中的應(yīng)用

本文介紹了LEM電流傳感器在電梯專用變頻器中的應(yīng)用，分析了電流傳感器在電流檢測(cè)和控制中的作用，并提供了相應(yīng)傳感器的性能參數(shù)。并給出了傳感器的檢測(cè)電路原理圖。

發(fā)表于：8/30/2010

基于電容檢測(cè)芯片的電容檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

針對(duì)電容式傳感器研發(fā)過程中缺乏有效的微小電容檢測(cè)儀器的問題，設(shè)計(jì)了一種基于電容檢測(cè)芯片MS31lO的電容式傳感器檢測(cè)系統(tǒng)，給出了系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)以及單片機(jī)和上位機(jī)部分的軟件設(shè)計(jì)，并對(duì)系統(tǒng)的檢測(cè)精度進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果證明，該系統(tǒng)具有較高的檢測(cè)精度。

發(fā)表于：8/24/2010

音頻模擬開關(guān)的設(shè)計(jì)要素

本文將闡釋音頻模擬開關(guān)的微小特性，以及如何利用總諧波失真(THD)、布局和性能來優(yōu)化音頻路徑的保真度。

發(fā)表于：8/24/2010

金融危機(jī)影響漸行漸遠(yuǎn) 西部電子市場(chǎng)成大熱點(diǎn)

發(fā)表于：8/24/2010

高頻功率轉(zhuǎn)換器的光耦合器及反饋回路

如果設(shè)計(jì)人員計(jì)劃在頻率超過8kHz且具有0dB交越的封閉反饋回路中使用光耦合器，必須先測(cè)試光耦合器，以了解其中的相位及增益特性。如果無(wú)法使用網(wǎng)絡(luò)分析儀，可制作如圖6所示的簡(jiǎn)易電路。這有助于設(shè)計(jì)人員以簡(jiǎn)易的元件、具DC偏移功能的變頻信號(hào)產(chǎn)生器及電源供應(yīng)器來辨識(shí)相位及增益。

發(fā)表于：8/20/2010

美光和英特爾率先利用業(yè)界領(lǐng)先的25納米硅工藝技術(shù)推出3-bit-per-cell NAND 閃存

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預(yù)計(jì)在今年年底時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品。

發(fā)表于：8/19/2010

傳感器技術(shù)面臨新型突破

日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、攝像機(jī)、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫(yī)學(xué)設(shè)備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機(jī)市場(chǎng)的大規(guī)模增長(zhǎng)，八十年代開始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數(shù)碼相機(jī)等CCD傳統(tǒng)應(yīng)用市場(chǎng)。

發(fā)表于：8/18/2010

高分辨率顏色傳感器TCS230的原理和應(yīng)用

TCS230是美國(guó)TAOS公司生產(chǎn)的一種可編程彩色光到頻率的轉(zhuǎn)換器。論文主要介紹它的原理和應(yīng)用。該傳感器具有分辨率高、可編程的顏色選擇與輸出定標(biāo)、單電源供電等特點(diǎn)；輸出為數(shù)字量，可直接與微處理器連接。文中還介紹色光和白平衡的知識(shí)，并用一個(gè)實(shí)例來介紹TCS230識(shí)別顏色的過程。

發(fā)表于：8/17/2010

Micron 推出新款企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤

美光科技(Micron Technology, Inc) 今天推出 RealSSD P300 固態(tài)硬盤 (SSD)，為企業(yè)環(huán)境帶來了更快的系統(tǒng)性能和更好的數(shù)據(jù)完整性。RealSSD P300 硬盤采用了 SATA 6 Gbps 接口，這在企業(yè)固態(tài)硬盤市場(chǎng)還是首例。新款 P300 固態(tài)硬盤每秒輸入/輸出操作 (IOPS) 穩(wěn)定，讀寫次數(shù)分別高達(dá)44,000次和16,000次——寫入性能為與之競(jìng)爭(zhēng)的 SATA 固態(tài)硬盤的15倍多。

發(fā)表于：8/17/2010

iPhone 4 MEMS傳感器技術(shù)詳細(xì)解析

近陣子由于iPhone 4走紅，許多媒體紛紛宣揚(yáng)iPhone將引爆傳感器題材商機(jī)，在報(bào)導(dǎo)描述中也用上了熱門的技術(shù)名詞：微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），期望使題材能更熱。

發(fā)表于：8/17/2010

中國(guó)電力需求帶動(dòng)電力電子元器件快速增長(zhǎng)

水清木華研究報(bào)告指出，受中國(guó)大規(guī)模、遠(yuǎn)距離輸電、特高壓電網(wǎng)建設(shè)、新農(nóng)村電網(wǎng)建設(shè)以及電氣化鐵道改造等重點(diǎn)項(xiàng)目拉動(dòng)，2009年中國(guó)輸配電及控制設(shè)備行業(yè)取得了快速發(fā)展，全年共實(shí)現(xiàn)銷售收入6561.9億元，同比增長(zhǎng)15.7%;實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額491.3億元，同比增長(zhǎng)19.5%.

發(fā)表于：8/16/2010

Spansion對(duì)三星（Samsung）侵權(quán)提起追訴

Spansion此次追訴旨在阻止進(jìn)口侵權(quán)生產(chǎn)的MP3、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)及平板電腦2010年8月16日，中國(guó)上?！W存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Spansion公司（NYSE: CODE）日前宣布，追加三項(xiàng)對(duì)三星公司（Samsung）的侵權(quán)訴訟，以進(jìn)一步解決在三星日益擴(kuò)大的閃存產(chǎn)品中一直存在的侵權(quán)問題。Spansion此次在美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）、美國(guó)弗吉尼亞東區(qū)地方法院及加利福尼亞州北部地方法院均提交了訴訟。2008年11月，Spansion首次向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)和美國(guó)特拉華州地方法院首次提交針對(duì)三星公司的訴訟。國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)法官就首次立案定于九月中旬宣布初步裁定。

發(fā)表于：8/16/2010

Maxim推出質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC

Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實(shí)現(xiàn)整個(gè)認(rèn)證過程。器件提供靈活的64位至288位私鑰設(shè)置，主機(jī)質(zhì)詢長(zhǎng)度為96位。較長(zhǎng)的密鑰和質(zhì)詢徹底杜絕了通過算術(shù)攻擊獲取私鑰的可能性。由于管芯探針是一種更強(qiáng)的安全攻擊方式，DS28E10采用專有電路和方法對(duì)敏感數(shù)據(jù)加以保護(hù)，防止這些數(shù)據(jù)被竊取。該認(rèn)證方案非常適合眾多成本敏感的消費(fèi)類、醫(yī)療和工業(yè)產(chǎn)品。

發(fā)表于：8/13/2010

電容器的檢測(cè)方法與更換

更換電容時(shí)主要應(yīng)注意電容的耐壓值一般要求不低于原電容的耐壓要求。在要求較嚴(yán)格的電路中，其容量一般不超過原容量的±20％即可。在要求不太嚴(yán)格的電路中，如旁路電路，一般要求不小于原電容的1/2且不大于原電容的2倍～6倍即可。

發(fā)表于：8/12/2010