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Spansion公司發(fā)布2010年第二財季報告

2010年7月23日，中國上?！蝾I(lǐng)先的閃存解決方案供應(yīng)商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天發(fā)布截止至2010年6月27日第二財季的運(yùn)營情況。由于公司重組后實行的新會計計量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國GAAP凈銷售額為2.557億美元，經(jīng)營虧損300萬美元，凈收入為3.418億美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.927億美元，調(diào)整后運(yùn)營收入4030萬美元，調(diào)整后凈收入為2740萬美元。

發(fā)表于：7/23/2010

Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝

發(fā)表于：7/22/2010

飛兆半導(dǎo)體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應(yīng)用中實現(xiàn)更高性能

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計人員對具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。

發(fā)表于：7/22/2010

Vishay推出使用壽命長達(dá)10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達(dá)10,000小時。

發(fā)表于：7/21/2010

將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費(fèi)類產(chǎn)品設(shè)計

MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)，是利用微米級立體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)感應(yīng)和執(zhí)行功能的一項關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現(xiàn)的微米大小的立體機(jī)械結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：7/21/2010

先柵極還是后柵極業(yè)界爭論高K技術(shù)

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級別制程的必備技術(shù).不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first（先柵極）工藝流派和以Intel為代表的Gate-last（后柵極）工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點(diǎn)則在于工藝較復(fù)雜，芯片的管芯密度同等條件下要比Gate-first工藝低，需要設(shè) 計方積極配合修改電路設(shè)計才可以達(dá)到與Gate-first工藝相同的管芯密度級別。

發(fā)表于：7/21/2010

Vishay推出業(yè)界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首類具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：7/20/2010

SD協(xié)會為 SDXC和SDHC內(nèi)存卡以及設(shè)備定義新的高速性能選擇

近日，SD 協(xié)會宣布針對速度最快的 SDXC 和 SDHC 設(shè)備以及內(nèi)存卡推出兩個全新的高速性能符號。第一個符號是用來表示總線界面速度每秒高達(dá) 104 MB、可提高設(shè)備性能的產(chǎn)品。第二個符號是用來表示具備允許實時視頻錄制的性能選項之 SD 內(nèi)存卡和產(chǎn)品。

發(fā)表于：7/20/2010

Diodes全新小巧晶體管實現(xiàn)小型化產(chǎn)品設(shè)計

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計 (5 matrix emitter Bipolar process)。

發(fā)表于：7/19/2010

NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖醞釀大挪移　臺廠大舉擴(kuò)產(chǎn)

2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲，但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能，飛索(Spansion)脫離破產(chǎn)保護(hù)而獲得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新營運(yùn)策略出爐，其亞洲獨(dú)家代理商倍微對于搶回低容量NOR Flash市場龍頭信誓旦旦，都讓2010年NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖呈現(xiàn)即將大幅變動的氛圍。

發(fā)表于：7/19/2010

半導(dǎo)體材料市場反彈至創(chuàng)新的記錄

根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預(yù)期2011年的增速減緩。

發(fā)表于：7/19/2010

28nm節(jié)點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅戰(zhàn)

按Gartner副總裁Dean Freeman看法，能進(jìn)行先進(jìn)制程設(shè)計的fabless公司目前正處于極好時光。因為Freeman看到頂級代工廠正義無反顧的向40及28nm進(jìn)軍，同時為爭奪更大的市場份額，而使硅片代工的價格迅速下降。

發(fā)表于：7/16/2010

使用壓電薄膜傳感器作為加速度計

加速度計可以用在儀表中，測量加速度(速度對時間的變化率)和測量傾斜度(物體的縱軸和與地球表面相切的平面的垂線之間形成的傾角)。傾斜度測量可以被看成“直流”或穩(wěn)態(tài)測量。在理論上，加速度可以是穩(wěn)態(tài)的，但在實際應(yīng)用當(dāng)中，加速度通常是一個短期的暫時現(xiàn)象。

發(fā)表于：7/15/2010

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　

發(fā)表于：7/14/2010

DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順　新產(chǎn)能變數(shù)多

近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進(jìn)而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。

發(fā)表于：7/14/2010