2010年8月17日， 北京訊
　　美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (Intel Corporation)今天聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存，該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預(yù)計(jì)在今年年底時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品。 
　
　　與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 USB、SD （Secure Digital） 閃存卡和消費(fèi)電子產(chǎn)品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存儲(chǔ)設(shè)備的性價(jià)比更高且存儲(chǔ)量更大。閃存主要用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、照片或其它多媒體，如計(jì)算機(jī)應(yīng)用和數(shù)碼設(shè)備（數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器、便攜式數(shù)碼攝像機(jī)和各類個(gè)人電腦）之間的數(shù)據(jù)捕捉和傳輸。這些市場(chǎng)一直處在以更低成本提供更高存儲(chǔ)容量產(chǎn)品的壓力之下。
　
　　由雙方合資組建的 NAND 閃存公司IM Flash Technologies（簡(jiǎn)稱 IMFT） 所開發(fā)的這項(xiàng) 64Gb（或8GB）25nm 光刻技術(shù)，可提供每單位3比特的信息容量，而傳統(tǒng)技術(shù)只能提供1比特（單層存儲(chǔ)單元）或2比特（多層存儲(chǔ)單元）。業(yè)內(nèi)也將3bpc稱為三層存儲(chǔ)單元（triple-level cell, 簡(jiǎn)稱 TLC）。
　
　　該設(shè)備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25nm MLC（多層存儲(chǔ)單元）相比，體積要小20%以上，是目前市場(chǎng)上最小的單個(gè) 8GB 設(shè)備。從產(chǎn)品固有的緊湊型設(shè)計(jì)上看，小尺寸閃存對(duì)消費(fèi)終端產(chǎn)品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131平方毫米，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TSOP（薄型小尺寸封裝）封裝。
　
　　美光 NAND 解決方案事業(yè)部副總裁 Brian Shirley 說：“鑒于 NAND 閃存對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性日益顯著，我們將及早向 25nm TLC 過渡視為不斷擴(kuò)大 NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品組合的一大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。我們已經(jīng)在努力根據(jù)包括 Lexar Media（雷克沙）和美光的更高容量終端產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，來打造符合要求的 8GB TLC NAND 閃存產(chǎn)品。”
　
　　英特爾副總裁兼NAND 解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Tom Rampone 表示：“自業(yè)界尺寸最小的 25nm 芯片在1月問世，25nm 3bpc 產(chǎn)品也緊隨其后，我們將繼續(xù)加速向前發(fā)展，為客戶提供一系列卓越的領(lǐng)先產(chǎn)品。Intel 計(jì)劃在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 設(shè)備的基礎(chǔ)上，利用 IMFT 在設(shè)計(jì)和制造上的優(yōu)勢(shì)，為我們的客戶打造更高密度、更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。”