微波射頻相關文章 IDT 召開2010年度分銷商大會并發(fā)布新產(chǎn)品 致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）于2010年11月10至12日在北京舉辦了2010年度分銷商大會。此次活動，有超過70位來自IDT中國區(qū)主要分銷商的現(xiàn)場應用工程師、銷售工程師和高級經(jīng)理人參加。IDT在大會上展示了最新產(chǎn)品系列涉及消費應用、通信、計算等眾多應用領域。針對新產(chǎn)品，IDT與分銷商一起探討年度行業(yè)趨勢和市場營銷策略。大會還評選出2010年度IDT優(yōu)秀分銷商及個人并為其頒獎。 發(fā)表于：2010/11/19 Vishay繼續(xù)擴充IHLP®系列小外形、高電流電感器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍標準感值。 發(fā)表于：2010/11/19 Vishay繼續(xù)擴展Power Metal Strip®電阻系列 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級和低至0.0003Ω的極低阻值。 發(fā)表于：2010/11/19 飛兆半導體改進型柵極驅動光耦合器功耗更低、開關速度更快 為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅動，相比常用的FOD3120柵極驅動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。 發(fā)表于：2010/11/19 IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列 為工業(yè)負載點應用提供高密度解決方案 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。 發(fā)表于：2010/11/19 激光測距傳感器原理及應用 激光傳感器（lasertransducer）利用激光技術進行測量的傳感器。它由激光器、激光檢測器和測量電路組成。 發(fā)表于：2010/11/19 顯存市場格局生變 集成解決方案更受青睞 據(jù)iSuppli公司，由于市場不再特別推崇專用顯卡解決方案，而是越來越傾向于把圖形功能集成到電腦的中央處理器(CPU)之中，顯存市場面臨的局面發(fā)生變化。顯存市場向來是競爭的熱門領域。 發(fā)表于：2010/11/19 晶閘管電子開關模塊的特點與應用 為了在電力系統(tǒng)運行中進行無功平衡，必須對各種電力負荷所需的無功功率進行補償。本文通過對低壓無功補償裝置兩種投切開關的分析與比較，可以看出晶閘管電子無觸點開關不但具有過零投切涌流小、無過電壓等優(yōu)點，而且可以解決工作時的散熱問題。 發(fā)表于：2010/11/18 信利半導體IPS技術 具有抗按壓能力強、環(huán)保低耗能、超寬視角、超薄設計、高透過率、視網(wǎng)膜顯示屏、高對比度、動態(tài)畫面清晰等亮點。 發(fā)表于：2010/11/16 Toko DG6045C Low Profile (H=4.5mm max) ?Magnetic Shield (1uH - 100uH) ?DC/DC converter choke coil (TV, STB, etc.). 發(fā)表于：2010/11/16 高速大深度新型FIFO存儲器IDT72V3680的應用 FIFO芯片是一種具有存儲功能的高速邏輯芯片，可在高速數(shù)字系統(tǒng)中用作數(shù)據(jù)緩存。FIFO通常利用雙口RAM和讀寫地址產(chǎn)生模塊來實現(xiàn)其功能。FIFO的接口信號包括異步寫時鐘（wr-clk）和讀時鐘（rd-clk）、與寫時鐘同步的寫有效（wren）和寫數(shù)據(jù)（wr-data）、與讀時鐘同步的讀有效（rden）和讀數(shù)據(jù)（rd-data）。 發(fā)表于：2010/11/16 陶瓷電容(MLCC) BDC國際以提供電子元器件為切入點,在陶瓷電容(MLCC),等領域投入大量人力、資金、設備進行開發(fā)工作，確保產(chǎn)品的高品質(zhì)，了產(chǎn)品的高品質(zhì)，產(chǎn)品廣泛用于 變頻頭，電源，數(shù)碼相機，手機，攝像頭等通信電腦周邊產(chǎn)品。 發(fā)表于：2010/11/16 大容量薄膜電容器 精研發(fā)、制造的在新能源領域電動汽車EV、HEV、電驅控制等平滑電路使用的大容量薄膜電容器。容量從0.47uF至2000uF，電壓主要集中在600~800V。我公司開發(fā)的DC LINK大容量薄膜電容已經(jīng)在比亞迪、奇瑞等小批量使用，且在長安、吉利、一汽、上汽、廣汽、東風等汽車推廣。眾多客戶對我們的大容量薄膜電容替代傳統(tǒng)的電解電容產(chǎn)生濃厚的興趣。結合新能源汽車市場國家政策,及全球汽車廠商紛紛推出混動、純動車的步伐，我司將加大研發(fā)和生產(chǎn)力度，以滿足新能源市場的需求。 發(fā)表于：2010/11/16 內(nèi)置ESD功能的薄膜共模濾波器 作為被廣泛應用在移動機器以及影像機器的信號傳送線，如USB3.0、HDMI等的EMI對策產(chǎn)品，薄膜共模濾波器通過活用TDK獨創(chuàng)的薄膜電路成型技術以及材料技術，成功的增加了ESD瞬態(tài)電壓抑制功能。而且，即使增加了功能，但產(chǎn)品的尺寸仍與原來相同，為1.25ｘ1.00x0.60mm。相較與之前必須在電路上使用防靜電對策的壓敏電阻等產(chǎn)品，此次產(chǎn)品成功地實現(xiàn)了內(nèi)裝零件數(shù)量的減少以及實裝面積的縮小。 發(fā)表于：2010/11/16 E6xx 系列Atom處理用同伴芯片 半導體廠商羅姆株式會社（總公司：日本京都市）與羅姆集團的日沖半導體公司共同開發(fā)完成了LSI芯片組的3個部件，它與美國Intel®公司針對嵌入用途而新開發(fā)的“Intel®ATOMTM處理器 E6xx系列”（開發(fā)代號“Tunnel Creek”）共同構成系統(tǒng)， 發(fā)表于：2010/11/16 ?…149150151152153154155156157158…?
