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微波射頻相關(guān)文章

Toko DG6045C

Low Profile (H=4.5mm max) ?Magnetic Shield (1uH - 100uH) ?DC/DC converter choke coil (TV, STB, etc.).

發(fā)表于：2010/11/16

高速大深度新型FIFO存儲(chǔ)器IDT72V3680的應(yīng)用

FIFO芯片是一種具有存儲(chǔ)功能的高速邏輯芯片，可在高速數(shù)字系統(tǒng)中用作數(shù)據(jù)緩存。FIFO通常利用雙口RAM和讀寫(xiě)地址產(chǎn)生模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能。FIFO的接口信號(hào)包括異步寫(xiě)時(shí)鐘（wr-clk）和讀時(shí)鐘（rd-clk）、與寫(xiě)時(shí)鐘同步的寫(xiě)有效（wren）和寫(xiě)數(shù)據(jù)（wr-data）、與讀時(shí)鐘同步的讀有效（rden）和讀數(shù)據(jù)（rd-data）。

發(fā)表于：2010/11/16

陶瓷電容(MLCC)

BDC國(guó)際以提供電子元器件為切入點(diǎn),在陶瓷電容(MLCC),等領(lǐng)域投入大量人力、資金、設(shè)備進(jìn)行開(kāi)發(fā)工作，確保產(chǎn)品的高品質(zhì)，了產(chǎn)品的高品質(zhì)，產(chǎn)品廣泛用于變頻頭，電源，數(shù)碼相機(jī)，手機(jī)，攝像頭等通信電腦周邊產(chǎn)品。

發(fā)表于：2010/11/16

大容量薄膜電容器

精研發(fā)、制造的在新能源領(lǐng)域電動(dòng)汽車(chē)EV、HEV、電驅(qū)控制等平滑電路使用的大容量薄膜電容器。容量從0.47uF至2000uF，電壓主要集中在600~800V。我公司開(kāi)發(fā)的DC LINK大容量薄膜電容已經(jīng)在比亞迪、奇瑞等小批量使用，且在長(zhǎng)安、吉利、一汽、上汽、廣汽、東風(fēng)等汽車(chē)推廣。眾多客戶對(duì)我們的大容量薄膜電容替代傳統(tǒng)的電解電容產(chǎn)生濃厚的興趣。結(jié)合新能源汽車(chē)市場(chǎng)國(guó)家政策,及全球汽車(chē)廠商紛紛推出混動(dòng)、純動(dòng)車(chē)的步伐，我司將加大研發(fā)和生產(chǎn)力度，以滿足新能源市場(chǎng)的需求。

發(fā)表于：2010/11/16

內(nèi)置ESD功能的薄膜共模濾波器

作為被廣泛應(yīng)用在移動(dòng)機(jī)器以及影像機(jī)器的信號(hào)傳送線，如USB3.0、HDMI等的EMI對(duì)策產(chǎn)品，薄膜共模濾波器通過(guò)活用TDK獨(dú)創(chuàng)的薄膜電路成型技術(shù)以及材料技術(shù)，成功的增加了ESD瞬態(tài)電壓抑制功能。而且，即使增加了功能，但產(chǎn)品的尺寸仍與原來(lái)相同，為1.25ｘ1.00x0.60mm。相較與之前必須在電路上使用防靜電對(duì)策的壓敏電阻等產(chǎn)品，此次產(chǎn)品成功地實(shí)現(xiàn)了內(nèi)裝零件數(shù)量的減少以及實(shí)裝面積的縮小。

發(fā)表于：2010/11/16

E6xx 系列Atom處理用同伴芯片

半導(dǎo)體廠商羅姆株式會(huì)社（總公司：日本京都市）與羅姆集團(tuán)的日沖半導(dǎo)體公司共同開(kāi)發(fā)完成了LSI芯片組的3個(gè)部件，它與美國(guó)Intel®公司針對(duì)嵌入用途而新開(kāi)發(fā)的“Intel®ATOMTM處理器 E6xx系列”（開(kāi)發(fā)代號(hào)“Tunnel Creek”）共同構(gòu)成系統(tǒng)，

發(fā)表于：2010/11/16

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開(kāi)關(guān)缺陷的改進(jìn)

本文主要從結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了創(chuàng)新，通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)仿真分析得到了理論解，一定程度上滿足了設(shè)計(jì)初衷，但在工藝上還不成熟。更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更高的開(kāi)關(guān)頻率仍是亟待解決的問(wèn)題，另外如何保證實(shí)際產(chǎn)品的可靠性、實(shí)用性也是未來(lái)的研究重點(diǎn)。

發(fā)表于：2010/11/15

基于箔式有感電容器在高溫高壓下的探討

因節(jié)能燈的燈管與電子鎮(zhèn)流器為一體，當(dāng)節(jié)能燈正常點(diǎn)燃時(shí)，燈管的溫度在100℃以上，由于燈管緊貼密閉的電子鎮(zhèn)流器塑殼，受熱傳遞影響，一部分熱量向空間散發(fā)，另一部分傳導(dǎo)給電子鎮(zhèn)流器，再加上塑殼內(nèi)部元器件發(fā)熱等綜合因素，因此，塑殼內(nèi)空間的溫度可達(dá)105℃左右。也就是說(shuō)電容器要在105℃左右的環(huán)境溫度下工作。

發(fā)表于：2010/11/15

電容器與聲音的關(guān)系

如眾所知，電容器(C)于聲音線路上是和電感器(L)組成LC網(wǎng)路(NETWORK)用于分頻線路-功率放大器(POWERAMPLIFIER)的輸出綜合信號(hào)通過(guò)此LC網(wǎng)路時(shí),會(huì)依所設(shè)計(jì)的分頻點(diǎn)及音路，將各高低頻率分開(kāi)輸往各不同的揚(yáng)聲器.

發(fā)表于：2010/11/15

網(wǎng)絡(luò)線纜連接器和線槽

網(wǎng)絡(luò)線纜連接器和線槽信息插座信息插座的外型類(lèi)似于電源插座，而且和電源插座一樣也是固定于墻壁上的。

發(fā)表于：2010/11/14

MEMS振蕩器技術(shù)設(shè)計(jì)概要

頻率信號(hào)對(duì)于所有電子產(chǎn)品就像是心跳對(duì)所有動(dòng)物的生命一般重要，所有電子電路的動(dòng)作都以此重復(fù)性且穩(wěn)定的頻率信號(hào)作為參考信號(hào)源。設(shè)計(jì)優(yōu)良的頻率信號(hào)，幾乎是系統(tǒng)是否能夠達(dá)到高效能、持續(xù)性穩(wěn)定工作的重要基礎(chǔ)。一般而言，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的參考頻率信號(hào)可由不同的頻率組件來(lái)產(chǎn)生，如諧振器（Resonator）、振蕩器（Oscillator）以及頻率產(chǎn)生器（Clock Generator），不同的系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)根據(jù)不同的設(shè)計(jì)考慮，選擇不同的組件來(lái)提供參考頻率。

發(fā)表于：2010/11/14

我國(guó)傳感器行業(yè)存七大癥結(jié)

經(jīng)過(guò)近十年對(duì)國(guó)外傳感器技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收，現(xiàn)階段，我國(guó)已經(jīng)形成了一定規(guī)模的傳感器生產(chǎn)能力，研究開(kāi)發(fā)領(lǐng)域由單一的品種擴(kuò)展到光敏、熱敏、力敏、電壓敏、磁敏、氣敏、濕敏、聲敏、射線敏、離子敏、生物敏等傳感器類(lèi)型，主要產(chǎn)品研制領(lǐng)域與國(guó)外已經(jīng)基本相當(dāng)。其中，熱敏電阻器、ZnO壓敏電阻器、可燃性氣體傳感器、發(fā)光二極管等十幾個(gè)品種已經(jīng)形成了一定規(guī)模的生產(chǎn)能力。

發(fā)表于：2010/11/12

G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法的實(shí)踐及數(shù)據(jù)分析

2010年11月9日消息，光纖宏彎損耗測(cè)試，在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB。

發(fā)表于：2010/11/12

超級(jí)電容技術(shù)分析及應(yīng)用

無(wú)論如何稱呼，超電容(ultracapacitor)或者超級(jí)電容(supercapacitor)這類(lèi)新型電容都比傳統(tǒng)的電容器的電容大得多。直接地說(shuō)，您現(xiàn)在可以購(gòu)買(mǎi)到額定值為5～10F/2.5V的徑向引線式板載電容、額定值為120～150F/5V的閃光

發(fā)表于：2010/11/12

基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器特征與應(yīng)用

由于其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念,基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器，已經(jīng)成為業(yè)界流行的電流隔離測(cè)量的最佳解決方案,并被廣泛的應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)器、高頻大電流測(cè)量、UPS及電力電子行業(yè)上,使其成為是與電力電子行業(yè)發(fā)展與用戶的需求同步的產(chǎn)品。值此以LEM公司的新型LTSR產(chǎn)品系列為例對(duì)其基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器特征與應(yīng)用作分析介紹。

發(fā)表于：2010/11/12