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MEMS慣性傳感器優(yōu)勢(shì)解析：THELMA制程和低成本封裝方法

意法半導(dǎo)體公司推出一系列慣性傳感器，極具誘惑力的價(jià)格配合卓越的產(chǎn)品性能，讓意法半導(dǎo)體迅速擴(kuò)大了在消費(fèi)電子MEMS傳感器市場(chǎng)的份額。公司在MEMS技術(shù)特性上實(shí)現(xiàn)了兩全其美：更小尺寸、更低價(jià)格、更高性能、更多功能(技術(shù)推動(dòng))與更具創(chuàng)新力的設(shè)計(jì)方法(設(shè)計(jì)推動(dòng)的創(chuàng)新) ，使最終的MEMS器件更適合消費(fèi)電子市場(chǎng)的需求

發(fā)表于：2010/11/22

扭虧為贏，本土晶圓代工市場(chǎng)的好光景已經(jīng)到來(lái)？

中芯在連續(xù)12季虧損后，于第2季正式轉(zhuǎn)盈，第3季持續(xù)獲利，在臺(tái)灣電子業(yè)受到歐債風(fēng)暴沖擊PC市場(chǎng)的同時(shí)，大陸晶圓代工由于大部分需求來(lái)自于通訊與消費(fèi)性電子，反而并未受到太大的波及。中芯重新回歸到成長(zhǎng)之路，由于坐擁地利之便，現(xiàn)下也是大陸最先進(jìn)且規(guī)模最大的晶圓代工廠，2010年業(yè)績(jī)將大幅成長(zhǎng)，未來(lái)2、3年也可望持續(xù)保持目前的態(tài)勢(shì)。

發(fā)表于：2010/11/22

大氣壓強(qiáng)傳感器在海拔高度測(cè)量中的應(yīng)用研究

本文采用測(cè)量大氣壓強(qiáng)來(lái)間接的獲得海拔高度的方法。通過(guò)大氣壓強(qiáng)傳感器得到表征大氣壓強(qiáng)的電壓信號(hào)，該信號(hào)通過(guò)放大電路和濾波電路后，再進(jìn)行A／D轉(zhuǎn)換。單片機(jī)作為本系統(tǒng)的控制單元，主要完成三個(gè)功能：其一是對(duì)MD轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化，以得到海拔的準(zhǔn)確值；二是控制溫度傳感器；三是控制液晶顯示，以將海拔和溫度準(zhǔn)確值在液晶上顯示。

發(fā)表于：2010/11/21

一種抗SEU存儲(chǔ)器電路的FPGA設(shè)計(jì)

為了改善星載存儲(chǔ)器的抗SEU性能，增加星載存儲(chǔ)器在空間使用的靈活性，文中基于ACTEL公司的ProAsic系列A3P400FPGA并采用擴(kuò)展?jié)h明碼和TMR兩種檢錯(cuò)糾錯(cuò)方法相結(jié)合的方式，同時(shí)使用可變內(nèi)存配置方案，設(shè)計(jì)了一種新型的抗SEU存儲(chǔ)器電路。與傳統(tǒng)的EDAC芯片相比，本設(shè)計(jì)不僅可以對(duì)出錯(cuò)數(shù)據(jù)進(jìn)行修正而且還可以實(shí)時(shí)的進(jìn)行回寫(xiě)。

發(fā)表于：2010/11/20

大聯(lián)大旗下富威集團(tuán)代理產(chǎn)線(xiàn)Micron推出寫(xiě)入效能領(lǐng)先業(yè)界RealSSD P300固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品

大聯(lián)大旗下富威集團(tuán)旗下產(chǎn)線(xiàn)Micron美光科技推出RealSSD P300 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)，為企業(yè)環(huán)境提供更快的系統(tǒng)效能和更佳的資料完整性，RealSSDTM P300 固態(tài)硬盤(pán)可提高整體系統(tǒng)效能和資料可靠度，寫(xiě)入效能領(lǐng)先業(yè)界高達(dá)15倍。

發(fā)表于：2010/11/19

Spansion推出業(yè)內(nèi)首款針對(duì)交互式三維應(yīng)用的2Gb NOR 閃存提升游戲、學(xué)習(xí)設(shè)備和汽車(chē)應(yīng)用等用戶(hù)體驗(yàn)

Spansion公司(NYSE: CODE)日前宣布推出業(yè)內(nèi)首款單芯片2Gb（千兆）的NOR閃存產(chǎn)品—2Gb Spansion GL-S，該款產(chǎn)品可為游戲、學(xué)習(xí)設(shè)備、汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)和儀表群車(chē)載提供高質(zhì)量、交互式二維和三維圖像、動(dòng)畫(huà)和視頻。

發(fā)表于：2010/11/19

IDT 召開(kāi)2010年度分銷(xiāo)商大會(huì)并發(fā)布新產(chǎn)品

致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）于2010年11月10至12日在北京舉辦了2010年度分銷(xiāo)商大會(huì)。此次活動(dòng)，有超過(guò)70位來(lái)自IDT中國(guó)區(qū)主要分銷(xiāo)商的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師、銷(xiāo)售工程師和高級(jí)經(jīng)理人參加。IDT在大會(huì)上展示了最新產(chǎn)品系列涉及消費(fèi)應(yīng)用、通信、計(jì)算等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。針對(duì)新產(chǎn)品，IDT與分銷(xiāo)商一起探討年度行業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)策略。大會(huì)還評(píng)選出2010年度IDT優(yōu)秀分銷(xiāo)商及個(gè)人并為其頒獎(jiǎng)。

發(fā)表于：2010/11/19

Vishay繼續(xù)擴(kuò)充IHLP®系列小外形、高電流電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍標(biāo)準(zhǔn)感值。

發(fā)表于：2010/11/19

Vishay繼續(xù)擴(kuò)展Power Metal Strip®電阻系列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級(jí)和低至0.0003Ω的極低阻值。

發(fā)表于：2010/11/19

飛兆半導(dǎo)體改進(jìn)型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器功耗更低、開(kāi)關(guān)速度更快

為了滿(mǎn)足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開(kāi)關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開(kāi)發(fā)出一款輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達(dá)250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動(dòng)，相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動(dòng)器，新器件的傳輸遲延時(shí)間縮短了50%，功耗降低了13%。

發(fā)表于：2010/11/19

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列　為工業(yè)負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用提供高密度解決方案

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。

發(fā)表于：2010/11/19

激光測(cè)距傳感器原理及應(yīng)用

激光傳感器（lasertransducer）利用激光技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的傳感器。它由激光器、激光檢測(cè)器和測(cè)量電路組成。

發(fā)表于：2010/11/19

顯存市場(chǎng)格局生變集成解決方案更受青睞

據(jù)iSuppli公司，由于市場(chǎng)不再特別推崇專(zhuān)用顯卡解決方案，而是越來(lái)越傾向于把圖形功能集成到電腦的中央處理器(CPU)之中，顯存市場(chǎng)面臨的局面發(fā)生變化。顯存市場(chǎng)向來(lái)是競(jìng)爭(zhēng)的熱門(mén)領(lǐng)域。

發(fā)表于：2010/11/19

晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用

為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無(wú)功平衡，必須對(duì)各種電力負(fù)荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補(bǔ)償。本文通過(guò)對(duì)低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置兩種投切開(kāi)關(guān)的分析與比較，可以看出晶閘管電子無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)不但具有過(guò)零投切涌流小、無(wú)過(guò)電壓等優(yōu)點(diǎn)，而且可以解決工作時(shí)的散熱問(wèn)題。

發(fā)表于：2010/11/18

信利半導(dǎo)體IPS技術(shù)

具有抗按壓能力強(qiáng)、環(huán)保低耗能、超寬視角、超薄設(shè)計(jì)、高透過(guò)率、視網(wǎng)膜顯示屏、高對(duì)比度、動(dòng)態(tài)畫(huà)面清晰等亮點(diǎn)。

發(fā)表于：2010/11/16