Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經(jīng)過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應(yīng)用的負載點轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。
低側(cè)DIOFET器件在一個芯片內(nèi)集成了一個功率MOSFET和反并聯(lián)肖特基二極管。DIOFET的典型RDS(ON) 值較低，能確保傳導損耗保持在最低水平，而其正向電壓 (VSD) 比同類MOSFET/肖特基解決方案低25%，因此在脈寬調(diào)制（PWM）死區(qū)時，通過體二極管把傳導損耗減至最低。此外，DMS3017SSD和DMS3019SSD內(nèi)的高側(cè)MOSFET具有低柵極電荷和快速開關(guān)功能，能把高側(cè)開關(guān)損耗減至最低。
憑借這些特性，DMS3017SSD和DMS3019SSD可在滿載狀態(tài)下提供94%的負載點轉(zhuǎn)換效率，同時減少占板面積，并通過減少聯(lián)合封裝或外部貼裝肖特基二極管相關(guān)的寄生電感來改善電路設(shè)計。
在低于同類解決方案的工作溫度下，DMS3017SSD及DMS3019SSD同樣可提供這些性能。這些元件可在更低溫度下工作，有助提高可靠性，因為當MOSFET的結(jié)溫每降低10°C，負載點轉(zhuǎn)換器的壽命可靠性將增加一倍。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。