《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出適用于汽車的 DirectFET®2 功率 MOSFET,實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度和性能

2010-01-27
作者:IR

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
  IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛,與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比,可降低整體系統(tǒng)級(jí)尺寸和成本,實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。
  IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 結(jié)合了經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 DirectFET 封裝技術(shù)帶來的卓越可靠性和性能,以及 IR 的最新溝道硅工藝。新款 DirectFET2 器件在應(yīng)用于下一代車輛平臺(tái)時(shí)可以達(dá)到最佳表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 、柵極電荷 (Qg) 或邏輯電平操作,從而極大提升性能和效率,并縮減了系統(tǒng)尺寸和元件數(shù)量。”
  采用新款大罐式封裝的 AUIRF7739L2 具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,在給定 PCB 區(qū)域 40V 電壓時(shí)的導(dǎo)通電阻典型值僅為 0.7mΩ 。此外,與 D2PAK 相比,大罐式封裝的占位面積可以減少60%,厚度可以降低85%。這款器件可提供卓越的功率密度和效率,非常適合高負(fù)載電機(jī)控制應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 和微型混合動(dòng)力車的電池開關(guān)和集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) ,以及底盤、傳動(dòng)系統(tǒng)和動(dòng)力系統(tǒng)等。
  AUIRF7665S2 小罐器件可提供極低的柵極電荷,表現(xiàn)出非常小的寄生效應(yīng),以及快速、高效的開關(guān)性能。DirectFET2 MOSFET 是汽車開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,包括D類音頻放大器的輸出級(jí)電路,以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和燃油噴射系統(tǒng)。
  AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),是在 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS)。
產(chǎn)品基本規(guī)格

器件編號(hào)

封裝

Vds

典型Rds(on)

最大Rds(on)

典型Qg

AUIRF7739L2

DF2 L Can

40V

0.7mΩ

1mΩ

220nC

AUIRF7665S2

DF2 S Can

100V

51mΩ

62mΩ

8.3nC

  有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單,相關(guān)數(shù)據(jù)表、應(yīng)用報(bào)告、模擬工具和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)可瀏覽 IR 網(wǎng)頁 www.irf.com
IR簡(jiǎn)介
  國際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR,紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
  IR成立于1947年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn

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