隨著許多標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機(jī)柜的尺寸越來(lái)越小，功率密度會(huì)越來(lái)越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來(lái)越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的ticle/index.aspx?id=22631">DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)對(duì)處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。
TI中國(guó)區(qū)電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師吳濤向記者介紹：“NexFET MOSFET技術(shù)本身就具有高密度結(jié)構(gòu)、低門極電荷、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，比溝槽技術(shù)的充電電荷降低了一半左右。全新的DualCool NexFET功率MOSFET是TI面向高電流DC/DC應(yīng)用推出的業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET產(chǎn)品系列。相對(duì)其他標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，該產(chǎn)品系列具有高效的雙面散熱技術(shù)，將允許通過FET的電流提高了50%，設(shè)計(jì)人員無(wú)需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動(dòng)的處理器。”
DualCool NexFET功率MOSFET使得功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱量能通過對(duì)流冷卻從頂端散出，不但提高了功率密度、電流承受能力，同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)穩(wěn)定性。圖1為DualCool NexFET和標(biāo)準(zhǔn)的QFN封裝截面視圖。由圖1可以看出，與傳統(tǒng)的MOSFET相比，DualCool上面有一塊金屬表層，其具有減少上表面熱阻的功能。也就是說(shuō)，DualCool NexFET功率MOSFET上表面產(chǎn)生的熱量既可以通過下表面?zhèn)鞯桨迳先ィ部梢酝ㄟ^上表面源極的金屬片傳遞到熱阻很小的額外的這塊金屬片上，再通過接觸傳遞到Heat Sink上去。通過系統(tǒng)級(jí)仿真證明，這種增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10~15 ℃/W降至1.2 ℃/W，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%。
DualCool NexFET功率MOSFET采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)5 mm×6 mm SON封裝，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本，與使用2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)5×6封裝相比，可節(jié)省 30 mm2的空間。此外，作為單相35 A同步降壓轉(zhuǎn)換器的MOSFET，它采用1個(gè)MOSFET即可滿足高電流DC/DC應(yīng)用中的高、低側(cè)2種開關(guān)需求。該系列包含的5款NexFET器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的MOSFET可廣泛用于各種終端，如臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。
DualCool NexFET功率MOSFET是TI自2009年2月收購(gòu)高頻率高效率電源管理半導(dǎo)體設(shè)計(jì)商CICLON半導(dǎo)體器件公司以來(lái)推出的第一款全新的功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步壯大了TI現(xiàn)有的電源管理產(chǎn)品系列，也標(biāo)志著TI能夠?yàn)榭蛻籼峁┛芍С指咝щ娫丛O(shè)計(jì)的完整解決方案。