日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外,TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計,敬請訪問:www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉(zhuǎn)換效率,同時在計算機服務(wù)器和電信應(yīng)用中確保安全的運作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大導通電阻,而30-V CSD17570Q5B 則實現(xiàn)了0.69 mΩ 的最大導通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設(shè)計,來進一步進行了解。
TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應(yīng)用的LM27403配合使用,從而構(gòu)成一套完整的同步降壓型轉(zhuǎn)換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩(wěn)健可靠的熱插拔設(shè)計》,可進一步了解如何將一個晶體管選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。
如下是TI 推出具有業(yè)界最低導通電阻的NexFET™ N溝道功率MOSFE。
新型 NexFET 產(chǎn)品及主要特點
器件型號 |
應(yīng)用 |
Vds/Vgs |
封裝 (mm) |
導通電阻最大值 (m?) |
Qg (4.5) (nC) |
|
4.5V |
10V |
|||||
CSD16570Q5B |
ORing / 熱插拔 |
25/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
0.82 |
0.59 |
95 |
CSD17570Q5B |
30/20 |
0.92 |
0.69 |
93 |
||
CSD17573Q5B |
低端降壓 / ORing / 熱插拔 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
1.45 |
1.0 |
49 |
CSD17575Q3 |
低端降壓 |
30/20 |
QFN 3.3x3.3 (Q3) |
3.2 |
2.3 |
23 |
CSD17576Q5B |
QFN 5x6 (Q5B) |
2.9 |
2.0 |
25 |
||
CSD17577Q5A |
高端降壓 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5A) |
5.8 |
4.2 |
13 |
CSD17577Q3A |
QFN 3.3x3.3 (Q3A) |
6.4 |
4.8 |
13 |
||
CSD17578Q3A |
9.4 |
7.3 |
7.9 |
|||
CSD17579Q3A |
14.2 |
10.2 |
5.3 |
|||
CSD85301Q2 |
雙路獨立 FET |
20/10 |
QFN 2x2 (Q2) |
27 |
不適用 |
4.2 |
CSD13383F4 |
負載開關(guān) |
12/10 |
FemtoFET 0.6x1.0 (0402) |
44 |
不適用 |
2.0 |
供貨情況、封裝和價格
目前,F(xiàn)emtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產(chǎn)品可通過 TI 及其授權(quán)分銷商批量采購。
關(guān)于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和電源應(yīng)用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統(tǒng)設(shè)計人員能夠運用現(xiàn)有的最先進的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。
獲取有關(guān) TI 電源管理產(chǎn)品系列的更多詳情:
· 下載NexFET功率MOSFET選擇指南。
· 采用TI的WEBENCH電源設(shè)計庫在線設(shè)計一個完整的電源管理系統(tǒng)。
· 通過德州儀器在線支持社區(qū)的搜尋解決方案、獲取幫助并分享知識。
· 從TI Designs 參考設(shè)計庫下載電源參考設(shè)計。