賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。為實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻，工作溫度可達(dá)+175 °C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK? 8x8L封裝采用無(wú)引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力，有助于提高板級(jí)可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導(dǎo)功耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的效果。

為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來(lái)取代兩個(gè)并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。

器件規(guī)格表：

該Vishay Siliconix器件工作溫度可達(dá)+175 °C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理和電動(dòng)工具等應(yīng)用同步整流。器件采用無(wú)鉛 (Pb) 封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試。

封裝對(duì)比表:

SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關(guān)信息，請(qǐng)與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系。