【2020年11月3日，德國慕尼黑訊】當代的電源系統(tǒng)設計需要高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統(tǒng)級性能。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通過專注于強化元器件產(chǎn)品達到系統(tǒng)創(chuàng)新，來應對這一挑戰(zhàn)。繼2 月份推出 25 V 裝置后，英飛凌又推出了 OptiMOS 40 V 低電壓功率 MOSFET，采用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用于服務器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用于電池保護、電動工具和充電器等應用。

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。采用源極底置 (SD) PQFN 封裝的裝置尺寸為 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低25%，接面與外殼間的熱阻 RDS(on)亦獲得大幅改善。

SD 封裝的內部采用上下倒置的芯片。如此一來，讓源極電位 (而非汲極電位) 能通過導熱片連接至 PCB。與現(xiàn)有技術相比，此版本最終可使 RDS(on)大大降低 25%。相較于傳統(tǒng)的PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續(xù)電流。此外，經(jīng)過優(yōu)化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實現(xiàn)更高的設計靈活性和出色的性能。

供貨情況

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。兩個版本皆采用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封裝，已開始接受訂購。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來。2019財年（截止9月30日），公司的銷售額達80億歐元，在全球范圍內擁有約41,400名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有約2000名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。