2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。

    NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile RAM等存儲(chǔ)器都供給吃緊且價(jià)格喊漲之際，NAND Flash價(jià)格反而持續(xù)呈現(xiàn)緩跌，第2季仍是傳統(tǒng)淡季，因此終端需求持續(xù)疲弱中。

    存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，第1季NAND Flash需求雖然清淡，但因?yàn)镹AND Flash大廠沒有太大壓力，加上力守獲利水平，因此價(jià)格跌幅有限，預(yù)計(jì)要到第3季傳統(tǒng)淡季來臨，消費(fèi)性電子產(chǎn)品開始展開備貨動(dòng)作后，NAND Flash價(jià)格才有反彈機(jī)會(huì)。

    再者，2011年各廠許多新產(chǎn)能要開出，以及30奈米制程微縮的產(chǎn)品陸續(xù)出籠，也是影響NAND Flash產(chǎn)業(yè)供需的關(guān)鍵。

    集邦統(tǒng)計(jì)指出，全球2010年第1季NAND Flash市場(chǎng)中，三星市占率高達(dá)39.2%，東芝以34.4%市占率緊追在后，接著是美光(Micron)9.1%、海力士(Hynix)占7.9%、英特爾(Intel)占6.4%。

    其中，三星第1季NAND Flash芯片的位元成長(zhǎng)率持續(xù)增加，且手機(jī)客戶的訂單也持續(xù)回籠，因此第1季營(yíng)收成長(zhǎng)14.2%，達(dá)17.1億美元；而東芝的位元成長(zhǎng)率也是正向成長(zhǎng)，第1季營(yíng)收成長(zhǎng)18.5%，達(dá)15.1億美元。

    再者，美光的市占率持續(xù)領(lǐng)先海力士，第1季位元出貨量也是小幅增加，營(yíng)收約3.97億美元，海力士和英特爾的位元成長(zhǎng)率則約莫持平，營(yíng)收貢獻(xiàn)分別為3.45億美元和2.8億美元。