全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年！

    瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨，預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)進(jìn)來，屆時(shí)將加快轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的速度。

    陳正坤進(jìn)一步指出，三星電子(Samsung Electronics)這次在40奈米世代的技術(shù)再度超前，其實(shí)是臺(tái)系DRAM廠和美日同業(yè)都遇到相同的瓶頸，其中大部分都是卡在浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)遞延交貨之故。

    根據(jù)DRAM業(yè)者透露，三星早在2009年初就開始預(yù)定浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)，加上東芝(Toshiba)、臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠在50奈米以下制程，也都需要浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)，2009年臺(tái)系DRAM廠因?yàn)樨?cái)務(wù)缺口還身陷泥淖，現(xiàn)在面對(duì)機(jī)臺(tái)遞延的狀況，只能無(wú)奈接受。

    不過，瑞晶為了彌補(bǔ)45奈米制程進(jìn)度遞延，內(nèi)部也決定將旗下8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程? A原本內(nèi)部計(jì)劃只轉(zhuǎn)一部分，另一部分要從65奈米直接跳45奈米，但依據(jù)現(xiàn)在情勢(shì)發(fā)展，瑞晶已決定加速全轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程，才能趕上下半年個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC)傳統(tǒng)旺季。

    陳正坤表示，目前63奈米已開始大量投片，預(yù)計(jì)6月有30%產(chǎn)出會(huì)是63奈米制程產(chǎn)品，7月就會(huì)全線轉(zhuǎn)? 3奈米制程，等下半年浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)陸續(xù)到位后，會(huì)再逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程。

    瑞晶原本計(jì)劃在2010年底之前，旗下12吋晶圓廠8萬(wàn)片產(chǎn)能會(huì)全轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程，但因?yàn)榻?rùn)式機(jī)臺(tái)交貨的時(shí)間點(diǎn)比預(yù)期晚上2~3個(gè)月，因此內(nèi)部經(jīng)過評(píng)估，年底前8萬(wàn)片全轉(zhuǎn)45奈米制程的目標(biāo)無(wú)法達(dá)陣，將會(huì)遞延1 季，預(yù)計(jì)要到2011年第1季才會(huì)全轉(zhuǎn)完。

    此外，力晶下半年也將加入45奈米制程大戰(zhàn)，但投片和量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)大約會(huì)比瑞晶晚上1季。

    在南亞科和華亞科陣營(yíng)方面，則仍是預(yù)定下半年會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)42奈米制程，此技術(shù)是由美光(Micron)和南亞科共同研發(fā)。

    再者，韓系大廠在40 奈米世代制程進(jìn)度上，仍是呈現(xiàn)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)，三星和海力士(Hynix)將分別轉(zhuǎn)進(jìn)46奈米和44奈米制程，下半年可望大量出貨，但全球真正40奈米世代之戰(zhàn)，時(shí)間點(diǎn)會(huì)是在2011年，屆時(shí)登場(chǎng)的主流產(chǎn)品會(huì)是2Gb容量的DDR3芯片。