頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 基于平均電流模式的同步Buck數(shù)字電源設(shè)計(jì)研究 高效率、高開(kāi)關(guān)頻率和數(shù)字控制是近年來(lái)開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。探討了基于平均電流模式的同步Buck數(shù)字電源設(shè)計(jì)策略，結(jié)合理論分析和Matlab/Simulink軟件仿真，分析了同步Buck的環(huán)路設(shè)計(jì)條件，詳細(xì)闡述了兩種電壓電流雙閉環(huán)PI補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)方法，并提出了一種基于電流環(huán)簡(jiǎn)化的電壓環(huán)設(shè)計(jì)方法。使用高性能主流MCU芯片STM32G474作為控制核心，利用高分辨率PWM技術(shù)實(shí)現(xiàn)200 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，以中斷事件觸發(fā)和狀態(tài)機(jī)運(yùn)行思想來(lái)構(gòu)建系統(tǒng)軟件的架構(gòu)。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明系統(tǒng)具有效率高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快和魯棒性強(qiáng)等特點(diǎn)，為數(shù)字電源的通用化設(shè)計(jì)提供了參考。 發(fā)表于：3/1/2023 Gridspertise和意法半導(dǎo)體20年合作新里程 賦能美國(guó)等地智能電表客戶積極參與能源轉(zhuǎn)型 意法半導(dǎo)體面向家庭的直接電力線通信（power line communication）通道將用于Gridspertise為美國(guó)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的智能電表。 發(fā)表于：2/28/2023 智能能源平臺(tái)Kaluza開(kāi)啟車(chē)與外界互聯(lián)智能充電試驗(yàn) 近期，智能能源平臺(tái)Kaluza公司宣布，將與大眾汽車(chē)集團(tuán)英國(guó)公司、OVO Energy能源公司和英德拉（Indra）公司共同推出車(chē)到萬(wàn)物的Inflexion雙向充電項(xiàng)目。 發(fā)表于：2/28/2023 詳細(xì)解讀P4電驅(qū)橋四驅(qū)技術(shù)方案 48V輕混目前已逐漸成為新能源的“香餑餑”，這主要是來(lái)源于嚴(yán)苛的汽車(chē)排放的壓力，以及搭載額外高壓功率電子等技術(shù)要求產(chǎn)生的成本增高等多方因素而形成的。 48V系統(tǒng)最大的特點(diǎn)之一就是可以對(duì)高壓系統(tǒng)進(jìn)行降本增效，以及避免12V電源的功率限制。 發(fā)表于：2/28/2023 GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案 近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。 發(fā)表于：2/28/2023 基于芯片封裝的微系統(tǒng)模塊PDN設(shè)計(jì)優(yōu)化 隨著IC芯片的供電電源趨向低電壓以及大電流，基于2.5D硅通孔技術(shù)（Through-Silicon-Via，TSV）、倒扣焊、高溫共燒陶瓷（High Temperature Co-fired Ceramics，HTCC）、3D堆疊等的微系統(tǒng)模塊的電源分配系統(tǒng)（Power Delivery Network，PDN）的設(shè)計(jì)越來(lái)越重要。芯片電流經(jīng)過(guò)PDN互連產(chǎn)生輸出噪聲，這些互連必須提供一個(gè)較優(yōu)低阻抗的信號(hào)返回路徑，保持芯片焊盤(pán)間恒定的供電電壓且維持在一個(gè)很小的容差范圍內(nèi)，通常在5%以內(nèi)?；谛酒庋b系統(tǒng)（Chip Package System， CPS），結(jié)合TSV硅基板、HTCC管殼、PCB三級(jí)協(xié)同對(duì)微系統(tǒng)模塊PDN提出設(shè)計(jì)及優(yōu)化方法，從直流設(shè)計(jì)、交流阻抗設(shè)計(jì)分別進(jìn)行闡述，并運(yùn)用芯片電源模型 （Chip Power Model， CPM），結(jié)合時(shí)域分析實(shí)現(xiàn)了電源紋波PDN低阻抗設(shè)計(jì)。 發(fā)表于：2/28/2023 對(duì)電動(dòng)汽車(chē)充電原理及充電過(guò)程予以介紹 電動(dòng)汽車(chē)越來(lái)越普及，深受消費(fèi)者歡迎。但還是有一些消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車(chē)充電的便利性和安全性有顧慮。下面對(duì)電動(dòng)汽車(chē)充電原理及充電過(guò)程予以介紹。 發(fā)表于：2/28/2023 KYET CBB21電容耐溫最高能達(dá)到多少度？ 我們發(fā)現(xiàn)，哪怕一些很好的CBB21電容，如果工作環(huán)境很惡劣，它同樣很容易損壞，薄膜電容最害怕的就是高溫和潮濕，特別是高溫最容易導(dǎo)致薄膜電容損壞，KYET CBB21電容耐溫最高能達(dá)到多少度？ 發(fā)表于：2/28/2023 入門(mén)：EMC基礎(chǔ)－總結(jié) “開(kāi)關(guān)噪聲－EMC基礎(chǔ)篇”前后共有21篇文章，本文是最后一篇。從“EMC基礎(chǔ)”知識(shí)開(kāi)始，以開(kāi)關(guān)電源為前提分別介紹了“降噪對(duì)策（步驟與概要）”、“使用電容器降低噪聲”、“使用電感降低噪聲”、“其他降噪對(duì)策”相關(guān)的基礎(chǔ)內(nèi)容。本文將對(duì)各篇文章的關(guān)鍵要點(diǎn)做最終總結(jié)。 發(fā)表于：2/27/2023 入門(mén)：簡(jiǎn)述無(wú)線充電電源管理ic原理 無(wú)線充電電源管理IC是指用于無(wú)線充電技術(shù)中的電源管理芯片。這種芯片主要包括功率管理、電池充電管理、電源切換等功能。無(wú)線充電電源管理IC的主要作用是通過(guò)控制電源、電壓等參數(shù)，來(lái)確保無(wú)線充電過(guò)程的穩(wěn)定、高效和安全。 發(fā)表于：2/27/2023 ?…78798081828384858687…?
