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EDA與制造相關(guān)文章

第一次高NA EUV！Intel 14A工艺密度提升20% 能效提升15%！

根据外媒的报道，近日Intel高级副总裁Anne Kelleher在SPIE 2024光学与光子学会议上透露了Intel 14A制程的相关技术细节。在不久前举办的IFS Direct Connect活动中，Intel分享了其“4年5节点”的工艺路线图的最新进展，并公布了最后一个节点Intel 18A制程之后的计划，新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的强化版本。 Intel计划在Intel 14A才导入High-NA EUV曝光设备，在Intel 18A则仅是发展与学习阶段。

發(fā)表于：2024/3/14

台积电年底CoWoS封装月产能有望达到4万片晶圆

3 月 13 日消息，根据 MoneyDJ 报道，台积电近期追加新一轮的生产设备订单，并要求 2024 年第 4 季度交付，表明台积电要进一步提振 CoWoS 封装月产能。

發(fā)表于：2024/3/14

三星和SK海力士已全面停止对外出售二手半导体设备

三星和SK海力士已全面停止对外出售二手半导体设备

發(fā)表于：2024/3/13

全球前十大晶圆代工厂最新排名出炉：中芯国际第五

TrendForce集邦咨询研究显示，2023年第四季全球前十大晶圆代工业者营收季增7.9%，达304.9亿美元，主要受惠于智能手机零部件拉货动能延续，包含中低端Smartphone AP与周边PMIC，以及苹果新机出货旺季，带动A17主芯片、周边IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中，台积电（TSMC）3nm高价制程贡献营收比重大幅提升，推升台积电第四季全球市占率突破六成。三星接获部分智能手机新机零部件订单，第四季三星晶圆代工事业营收季减1.9%，达36.2亿美元。在消费性终端季节性备货红利加持下，中芯国际（SMIC）第四季营收季增3.6%，约16.8亿美元，位列第五。

發(fā)表于：2024/3/13

多家日本车企陆续使用生成式AI开发新车

3 月 12 日消息，据日经新闻今日报道，日本各大汽车企业已陆续在开发新款车型时使用生成式 AI，包括丰田、马自达、斯巴鲁、本田等车企。据悉，AI 可通过导出零部件的组合等来提高工作效率，有望使策划和设计所需时间减半。

發(fā)表于：2024/3/13

ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装

3 月 13 日消息，光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装，新机型将带来更高的生产效率。

發(fā)表于：2024/3/13

比18A高15%，英特尔高管透露英特尔14A节点性能功耗比信息

3 月 12 日消息，英特尔高级副总裁安妮・凯莱赫（Anne Kelleher）近日出席 SPIE 2024 会议，透露 Intel 14A 工艺节点的性能功耗比（Performance per watt），会比 Intel 18A 提高 15%，而后续增强的 14A-E 工艺在普通 14A 节点的基础上再增加 5%。

發(fā)表于：2024/3/13

现代汽车将研发5纳米车用半导体

据外媒 ZDNET 韩国站周一报道，业内人士消息称，现代汽车将采用 5 纳米工艺开发自家的车用半导体。这将是一个大项目，耗资至少达到 1000 亿韩元（当前约 5.48 亿元人民币）。报道称，为了开发自有的汽车半导体，现代汽车于去年 6 月成立了一个半导体开发实验室，并聘请了曾在三星电子的系统 LSI 部门从事车载芯片 Exynos Auto 开发工作的工程师 Kim Jong-sun。现代汽车正计划为其半导体相关业务选择一家半导体设计公司，预计代工厂将是三星电子或台积电。目前，三星电子和台积电是唯二使用 5 纳米工艺生产汽车芯片的代工厂。

發(fā)表于：2024/3/13

三星电子有意引入SK海力士使用的MUF封装工艺

AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF封装工艺

發(fā)表于：2024/3/13

消息称中芯国际前技术研发执行副总裁周梅生加入长鑫存储

消息称中芯国际前技术研发执行副总裁周梅生加入长鑫存储

發(fā)表于：2024/3/13

龙芯2K3000计划上半年交付流片

3月12日消息，近日，龙芯中科在投资者互动平台回应用户提问时表示，龙芯第二代GPU核LG200将在2K3000中应用，2K3000计划在今年上半年交付流片。 LG200支持图形加速、科学计算加速、AI加速，其中图形渲染支持OpenGL 4.0，通用计算支持OpenCL 3.0，AI加速支持INT8张量计算加速部件。

發(fā)表于：2024/3/12

SK海力士加大HBM封装投入：投资10亿美元建造先进封装设施

据媒体报道，SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出，希望抓住市场对高带宽内存（HBM）需求日益增长而带来的机遇。 SK海力士研发工作的副总裁表示，SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出，打算在韩国投资10亿美元建造先进封装设施，以进一步扩大先进封装产能。希望能够抓住市场对高带宽存储器日益增长的需求带来的机遇，同时巩固SK海力士目前在HBM市场的领导地位。在当前数据中心GPU加速器的发展中，HBM内存所担任的角色极为重要。而在HBM生产的过程中，芯片封装工艺变得越来越重要。

發(fā)表于：2024/3/12

印度芯片野心：5年16座晶圆厂

印度芯片野心：5年16座晶圆厂印度政府计划在目前的 7600 亿卢比基础上提高芯片行业的激励措施，因为预计未来几年该国芯片工厂和测试单位将如雨后春笋般涌现。 IT 部长 Ashwini Vaishnaw 在接受采访时表示，印度将在未来五年内成为世界排名前五的半导体生态系统之一。这位部长表示，这将得到全球巨头投资的支持，这些巨头越来越多地考虑在印度建立制造或其他单位。 “未来五年，印度预计将新增约 4-6 座晶圆厂、6-10 座化合物半导体晶圆厂、1-2 座显示器晶圆厂和 8-10 座 ATMP 工厂。整个设计、晶圆厂和 ATMP 价值链将在巴拉特建立。未来五年，Bharat 将成为世界排名前五的半导体生态系统之一。”同时负责电信和铁路业务的 Vaishnaw 表示。

發(fā)表于：2024/3/12

台积电美国亚利桑那州晶圆厂将获50亿美元补贴

根据彭博社报道，台积电位于美国亚利桑那州的半导体晶圆厂有望获得超过 50 亿美元的联邦补贴。报道称美国政府还需要和台积电敲定一些细节，因此暂时并未公布。如果有关台积电获得 50 亿美元（当前约 360 亿元人民币）奖励的信息是准确的，那么有关英特尔获得约 100 亿美元奖励的报道很可能也是准确的。此外，英特尔在美国的项目远比台积电雄心勃勃、耗资巨大。例如，英特尔正在俄亥俄州建造一个全新的厂址，耗资将超过 1000 亿美元。

發(fā)表于：2024/3/11

Marvell 美满电子宣布与台积电合作

3 月 11 日消息，据 Marvell 美满电子官方新闻稿，美满电子正在扩大与台积电的合作，开发业界首款针对加速基础设施优化的 2nm 芯片生产平台。从新闻稿中得知，美满电子将与台积电协作提升芯片性能和效率，投资于互连和高级封装等平台组件，从而降低多芯片解决方案的成本，加快相关芯片上市时间。美满电子首席开发官 Sandeep Bharathi 表示：“未来的人工智能工作负载将需要在性能、功率、面积和晶体管密度方面取得显著的进步。2nm 平台将使 Marvell 能够提供高度差异化的模拟、混合信号和基础 IP，以构建能够实现人工智能承诺的加速基础设施。我们与台积电在 5nm、3nm 和现在的 2nm 平台上的合作，有助于 Marvell 扩大在芯片方面所能取得的成就。”

發(fā)表于：2024/3/11