消費電子最新文章 這臺“持證上崗”的機器人，是石頭科技的又一次技術勝利 2021年10月底，也就是“雙11”來臨前，在國內的服務型機器人行業(yè)發(fā)生了一件看似不大，但卻很可能影響深遠的事件。這就是來自石頭科技的T7S Plus自動集塵掃拖機器人，獲得了“中國機器人產品CR認證證書”。 發(fā)表于：11/8/2021 業(yè)內消息稱iPhone 13系列零部件短缺正在逐步緩解 集微網消息，據供應鏈消息人士稱，隨著供應商增加產量，10月初出現(xiàn)的 iPhone 13系列IC組件短缺正在逐步緩解，組裝商有望在明年2月之前加緊生產以滿足終端需求。 發(fā)表于：11/8/2021 國產芯片規(guī)模量產，成功解決芯片短缺問題，確保芯片價格合理 去年四季度以來，由于全球芯片面臨供應短缺問題，價格持續(xù)暴漲，但是由于中國開始規(guī)模量產NAND flash芯片，SSD硬盤卻保持了價格穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)價格下跌。 發(fā)表于：11/8/2021 明年新款iMac有望搭載自研芯片？蘋果芯片已有多少技術儲備？ 近日，有消息稱，27英寸版iMac產品有望在明年上半年搭載蘋果自研的M1 Pro或M1 Max芯片。 發(fā)表于：11/8/2021 臺積電本周將敲定50億美元赴日設廠事宜 2024年起生產22、28納米芯片 臺灣《經濟日報》11月8日報道，消息人士稱，臺積電董事會將在本周的一次會議上簽署在日本投資50億美元的新代工廠。 發(fā)表于：11/8/2021 英特爾對戰(zhàn)蘋果 第12代酷睿跑分比M1 Pro高但能效比低 新浪數碼訊 11月8日上午消息，英特爾上周推出了其首款第12代酷睿處理器“Alder Lake”，有外媒將其和蘋果的最新芯片進行了數據對比。 發(fā)表于：11/8/2021 盛美半導體用于晶圓級封裝的濕法去膠設備獲IDM大廠重復訂單 11月5日，盛美半導體宣布，一家全球領先的IDM芯片廠商向其簽發(fā)了兩份Ultra C pr濕法去膠設備訂單。訂購的產品將售給該IDM設在中國的工廠，用于在WLP中去除光刻膠。第一份訂單已于2021年10月交貨，第二份訂單計劃于2022年第一季度交貨。 發(fā)表于：11/8/2021 笑科技：合肥露笑半導體一期已進入正式投產階段 露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）于2021年11月8日公布了《關于公司碳化硅項目的進展公告》，露笑科技公告稱，合肥露笑半導體一期已完成主要設備的安裝調試，進入正式投產階段。后續(xù)公司會根據市場訂單情況及一期投產情況完成產能的進一步擴張。 發(fā)表于：11/8/2021 無錫首支集成電路設計產業(yè)投資基金發(fā)布 據微信公眾號無錫高新區(qū)在線消息稱，無錫集成電路設計產業(yè)投資基金發(fā)布暨合作簽約儀式于11月6日在無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地舉行。 發(fā)表于：11/8/2021 中國移動發(fā)布首款RISC-V內核MCU芯片：最高頻率144MHz 近日，中國移動旗下專業(yè)芯片子公司，中移芯昇（芯昇科技有限公司）在2021中國移動全球合作伙伴大會上發(fā)布了首款基于RISC-V架構內核的MCU微控制器芯片“CM32M4xxR”。 發(fā)表于：11/8/2021 臺積電70億美元熊本廠將制造20nm范圍的芯片 據臺灣地區(qū)《經濟日報》報道，11月8日有業(yè)內人士透露臺積電董事會將在本周的一次會議上簽署在日本投資50億美元的新代工廠，以滿足汽車行業(yè)和工業(yè)應用對芯片日益增長的需求。 發(fā)表于：11/8/2021 SEMI：Q3硅晶圓出貨量36.49億平方英寸創(chuàng)歷史新高 國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）的報告顯示，2021年第三季度，全球半導體硅晶圓出貨量季增3.3%，達36.49億平方英寸，續(xù)創(chuàng)歷史新高。 發(fā)表于：11/8/2021 蘋果3nm芯片或2023年問世：最高集成40核CPU 近日，據外媒9to5Mac消息，蘋果計劃在未來幾年內推出性能更強的第二代和第三代Apple Silicon芯片。 發(fā)表于：11/8/2021 助推集成電路等兩大重點產業(yè)發(fā)展，合肥謀劃開通“合肥-東京”貨運新航線 據合肥發(fā)布消息，近日，為滿足京東方、晶合、唯信諾等集成電路和新型顯示企業(yè)對原材料和精密儀器設備的進出口需求，助推集成電路和新型顯示兩大重點產業(yè)加快發(fā)展，合肥正謀劃開通“合肥-東京”航空貨運新航線。 發(fā)表于：11/8/2021 中國大陸存儲器行業(yè)方興未艾？ 存儲器，顧名思義，用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。目前，現(xiàn)代計算系統(tǒng)通常采取高速緩存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存儲（NAND Flash）的三級存儲結構。 發(fā)表于：11/8/2021 ?…502503504505506507508509510511…?
