工業(yè)自動化最新文章 英國監(jiān)管機構(gòu)啟動對Synopsys以350億美元收購Ansys的交易調(diào)查 8月14日 據(jù)外媒報道，針對美國電子設(shè)計自動化軟件供應(yīng)商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購工程模擬和3D設(shè)計軟件公司Ansys的交易，英國競爭與市場管理局(CMA)日前已展開調(diào)查。 作為英國競爭監(jiān)管機構(gòu)，CMA正在考慮該交易是否會根據(jù)《2002年企業(yè)法》的合并條款造成相關(guān)合并的情況，即這筆擬議的交易是否會導(dǎo)致英國任何服務(wù)或商品市場的競爭大幅減少。 為了幫助評估，CMA正在征求有關(guān)各方對此次擬議收購交易的意見。提交意見的最后日期將由英國反壟斷監(jiān)管機構(gòu)確認。第一階段決定和啟動合并調(diào)查的截止日期尚未得到反壟斷監(jiān)管機構(gòu)的確認。 發(fā)表于：8/14/2024 Intel拋售全部Arm持股籌集約1.47億美元 Intel拋售全部Arm持股！籌集約1.47億美元 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM 為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM 發(fā)表于：8/14/2024 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士DDR5被曝漲價15~20% 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。 今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲。 發(fā)表于：8/14/2024 HBM帶動三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。 發(fā)表于：8/14/2024 寧德時代全固態(tài)電池2027年有望小批量生產(chǎn) 寧德時代：全固態(tài)電池技術(shù)我們行業(yè)領(lǐng)先 2027年有望小批量生產(chǎn) 發(fā)表于：8/14/2024 英飛凌推出PSOC? Control MCU系列 【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動器，以及照明和計算/通信電源等。 發(fā)表于：8/13/2024 復(fù)旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝 8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術(shù)。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨?，實現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。 從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發(fā)表于：8/13/2024 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新 發(fā)表于：8/13/2024 傳臺積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠 因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術(shù)留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。 針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場傳言。 發(fā)表于：8/13/2024 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。 發(fā)表于：8/13/2024 美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。 發(fā)表于：8/13/2024 武漢光谷實驗室研發(fā)量子點光刻膠 8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發(fā)出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉(zhuǎn)換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業(yè)領(lǐng)先水平。 發(fā)表于：8/13/2024 日本研究團隊提出EUV光刻新方案 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！ 發(fā)表于：8/13/2024 ?…160161162163164165166167168169…?
