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工業(yè)自動化最新文章

Conformal ECO寄存器新增的掃描鏈自動化接入方案

隨著芯片規(guī)模的增加，ECO的需求和大小也隨之增加，其中當新增寄存器數量達到百位量級時，人工接入掃描鏈難度也將急劇上升。基于Cadence的Conformal和Innovus等工具，在綜合考量邏輯正確性和中后端物理實現可行性的基礎上，采用歸一思路下的“S”型連線和room值下的再分組等方法，實現了上述問題的自動化和高效化解決，在邏輯上確保了時鐘域一致性等問題，物理上同時兼顧了布局布線優(yōu)化和最大掃描鏈長度。并且其自動化的高效性，在項目實踐中能夠快速完成上百數量寄存器的掃描鏈接入。

發(fā)表于：9/4/2024

SEMI硅光子產業(yè)聯(lián)盟成立

SEMI硅光子產業(yè)聯(lián)盟成立，臺積電及日月光等30多家企業(yè)加入

發(fā)表于：9/4/2024

日本攜手英特爾建先進半導體研發(fā)中心

日本攜手英特爾建先進半導體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機

發(fā)表于：9/4/2024

2023年中國CAD市場達54.8億元同比增長12.8%

IDC：2023 年中國 CAD 市場達 54.8 億元同比增長 12.8%，達索系統(tǒng)、西門子、歐特克三巨頭份額均下滑

發(fā)表于：9/4/2024

憶恒創(chuàng)源發(fā)布基于平頭哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息，在ODCC大會上，國內知名企業(yè)級PCIe SSD產品和解決方案供應商憶恒創(chuàng)源，正式發(fā)布了國產PCIe 5.0企業(yè)級NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。這款SSD基于阿里平頭哥的鎮(zhèn)岳510 NVMe主控芯片和長江存儲閃存顆粒打造，率先實現了4K隨機寫100萬IOPS的突破，可為AI、數據庫、云計算、虛擬化等應用帶來強勁的加速能力。

發(fā)表于：9/4/2024

我國超高純石墨領域取得重大突破

99.99995%以上純度！我國超高純石墨領域取得重大突破鋰電池/半導體必用材料

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員，已有1400人自愿退休

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱美國司法部已對英偉達在AI領域主導地位升級反壟斷調查

消息稱美國司法部已對英偉達在 AI 領域主導地位升級反壟斷調查

發(fā)表于：9/4/2024

意法半導體正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半導體加入高通/恩智浦/博世/英飛凌/Nordic的RISC-V合資公司

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設備以改進EUV光刻工藝

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設備以改進EUV光刻工藝

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內存2026年后商業(yè)化

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當地時間昨日報道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結構移動內存產品將在 2026 年后實現商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國內存巨頭將堆疊式移動內存視為未來重要收入來源，計劃將“類 HBM 內存”擴展到智能手機、平板電腦和筆記本電腦中，為端側 AI 提供動力。綜合IT之家此前報道，三星電子的此類產品叫做 LP Wide I/O 內存，SK 海力士則將這方面技術稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術路線，即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內存位寬達 512bit，是現有 LPDDR 內存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內存將于 2025 年一季度技術就緒，2025 下半年至 2026 年中量產就緒。

發(fā)表于：9/3/2024

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過時會產生 JFET 效應，增加通態(tài)電阻，且寄生電容較大。

發(fā)表于：9/3/2024

傳英特爾考慮出售FPGA芯片業(yè)務Altera

9月2日消息，據路透社援引知情人士的話報道稱，英特爾CEO基辛格和高級主管預計將在本月向公司董事會提交一項計劃，以削減不必要的業(yè)務，以降低成本并減少資本支出，包括考慮剝離晶圓制造業(yè)務，暫停德國晶圓廠建設，以及出售可編程芯片（FPGA）部門Altera。英特爾已經在今年一季度將其制造業(yè)務進行了獨立，并單獨報告財務業(yè)績，以確保設計部門和制造部門保持獨立的市場化運作，進一步推動其晶圓代工業(yè)務的發(fā)展。英特爾預期，分拆制造業(yè)務后，2023年可以節(jié)省 30 億美元成本， 2025 年將節(jié)省 80-100 億美元成本。并且，基于這種模式，英特爾2025年還有望成為全球第二大晶圓代工廠，代工收入將超過 200 億美元。同時，設計部門毛利率也將提升至 45%、營業(yè)利潤率為 20%。

發(fā)表于：9/3/2024

國內首個五星5G工廠建設完成

9月2日消息，據中國信通院CAICT，在工信部《5G全連接工廠建設指南》發(fā)布兩周年之際，國內首個五星5G工廠——中興通訊南京智能濱江5G工廠（濱江工廠）宣布建設完成。該工廠通過了中國信息通信研究院泰爾認證中心的認證，成為5G技術與電子設備制造業(yè)深度融合的全新標桿。

發(fā)表于：9/3/2024

2024年二季度全球晶圓代工市場營收排名公布

9月2日消息，全球市場研究機構TrendForce發(fā)布的最新研究報告顯示，隨著今年二季度中國618年中消費季到來，以及消費類終端庫存水位已在相對健康水位，客戶陸續(xù)啟動消費性零組件備貨或庫存回補，使得晶圓代工廠接獲急單，帶動產能利用率向上提升，較前一季明顯改善。再加上AI服務器相關需求持續(xù)強勁，推升第二季全球前十大晶圓代工廠的產值環(huán)比增長9.6%至320億美元。從具體的排名來看，二季度的前五大晶圓代工廠商與一季度一致，排名依次為臺積電、三星、中芯國際、聯(lián)電與格羅方德。第六至十名，排行依序為華虹、高塔半導體、世界先進、力積電與晶合集成。其中，世界先進受益于DDI急單及去中化店員管理IC紅利帶動出貨成長，排行升至第八名，力積電、晶合集成分別降至第九與第十名。

發(fā)表于：9/3/2024