12 月 30 日消息，韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r間 26 日報(bào)道稱，三星電子準(zhǔn)備啟動采用常規(guī)結(jié)構(gòu)的 1e nm（注：即第 8 代 10 納米級）制程 DRAM，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)內(nèi)存開發(fā)多軌化，為未來可能的商業(yè)化提供更豐富技術(shù)儲備。

結(jié)合三星前任存儲器業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人李禎培今年 9 月展示的路線圖和《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》10 月的報(bào)道，三星電子原計(jì)劃在 2026 年推出的 1d nm 內(nèi)存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的 0a nm 內(nèi)存。

韓媒表示 1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最終走向商業(yè)化則 4F2 VCT DRAM 的量產(chǎn)預(yù)計(jì)將至少延至 2029 年。

▲ 三星 1b nm 制程 DDR5 內(nèi)存

4F2 VCT DRAM 的優(yōu)勢在于其 DRAM 單元更為小巧，且能更有效利用垂直方向空間，但這也意味著其生產(chǎn)流程將引入大量新技術(shù)、新設(shè)備，將大幅提升資本支出和生產(chǎn)成本；相比之下延續(xù)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的 1e nm DRAM 具有明顯成本優(yōu)勢。

內(nèi)部消息人士表示，在經(jīng)歷縮小 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模導(dǎo)致未能在 HBM 市場占據(jù)有利地位的重大戰(zhàn)略錯誤后，三星內(nèi)部忽視非主要產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)的氛圍已有很大改善，這一變化推動了 1e nm DRAM 等 " 備選技術(shù) " 的發(fā)展。