工業(yè)自動化最新文章 2025半導體產(chǎn)業(yè)增速將超10% 12月23日消息，綜合多家研究機構的預測數(shù)據(jù)來看，2025年全球半導體產(chǎn)值有望將維持兩位數(shù)百分比的同比增長。不過，隨著美國新一屆總統(tǒng)特朗普即將上任，地緣政治不確定性恐將升高，并為全球經(jīng)濟形勢與半導體產(chǎn)業(yè)增長添增變數(shù)。 發(fā)表于：2024/12/24 5G確定性工業(yè)基站首次商用 近日，在“無線通算智融合技術標準攻關及基站研制”央企聯(lián)合體、浙江中心5G-A實驗室的支持下，中國移動溫州分公司聯(lián)手華為在溫州煙草配送中心成功開通浙江省內(nèi)首個5G確定性工業(yè)基站，滿足客戶業(yè)務場景對時延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭運輸產(chǎn)線上完成5*24小時穩(wěn)定性測試。這一創(chuàng)新性成果標志著5G工業(yè)應用邁出了關鍵一步，為工業(yè)自動化、智能化發(fā)展提供強有力的技術支撐，有望推動更多工廠向星級工廠邁進。 發(fā)表于：2024/12/24 二極管/三極管/場效應管完整測試方案設計及選擇 二極管/三極管/場效應管完整測試方案設計及選擇 發(fā)表于：2024/12/23 場效應管的重要參數(shù)介紹 場效應管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場效應管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場效應管能夠承受的最大漏極電流，超過此值可能會導致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場效應管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的最小柵源電壓。 發(fā)表于：2024/12/23 場效應管的主要類型介紹 場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導體器件，它利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流。 場效應管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級或輸出級。 發(fā)表于：2024/12/23 三極管的重要參數(shù)介紹 三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)： 發(fā)表于：2024/12/23 三極管的主要類型介紹 半導體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件 它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。 發(fā)表于：2024/12/23 二極管的重要參數(shù)介紹 二極管的重要參數(shù)包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導通電流（IFM）、靜態(tài)電阻（RS）、正向壓降（VF）、動態(tài)電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復時間（trr）、反向恢復電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。?? 發(fā)表于：2024/12/23 二極管的主要類型介紹 二極管是一種具有兩個電極的電子器件，其主要功能是允許電流在一個方向上通過，而在另一個方向上則阻止電流通過，這種特性被稱為單向?qū)щ娦浴? 具體來說，二極管由兩個主要部分構成：一個是P型半導體，另一個是N型半導體，它們的交界處形成PN結。 發(fā)表于：2024/12/23 北電數(shù)智構建首個國產(chǎn)算力PoC平臺 助力國產(chǎn)算力場景化應用 近日，2024中國企業(yè)家博鰲論壇-2024數(shù)字科技創(chuàng)新發(fā)展大會盛大舉行，共話AI行業(yè)發(fā)展。北京電?數(shù)智科技有限責任公司（以下簡稱“北電數(shù)智”）董事長荊磊發(fā)表《打造“AI工廠”，建設數(shù)字中國》主題演講，梳理了當前我國AI行業(yè)發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn)，并分享北電數(shù)智的解題思路和實踐路徑。 發(fā)表于：2024/12/23 英特爾股東起訴前CEO基辛格 12月20日消息，據(jù)The Register 報道，英特爾股東 LR Trust 已對英特爾高管提起訴訟，指控英特爾前首席執(zhí)行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger） 和英特爾臨時聯(lián)合首席執(zhí)行官兼首席財務官大衛(wèi)·津斯納 （David Zinsner） 管理不善、誤導性披露，并要求將他們獲得的賠償金和其他收益退還給公司。在列出的要求中，該股東要求基辛格退還其在 2021 年、2022 年和 2023 年任職期間賺取的 2.07 億美元工資的全部款項。 發(fā)表于：2024/12/23 2023年中國廠商占據(jù)了全球SiC專利申請量的70% 近日，法國市場研究機構KnowMade最新發(fā)布的一份針對碳化硅（SiC）的知識產(chǎn)權 （IP） 報告，全面介紹了全球最近的碳化硅專利申請活動。在該報告中，KnowMade重點介紹了整個碳化硅供應鏈中最新的專利動態(tài)，并重點介紹了SiC行業(yè)內(nèi)一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的專利動態(tài)。 發(fā)表于：2024/12/23 晶華微宣布2億元收購芯邦智芯微100%股權 晶華微宣布2億元收購智芯微100%股權，承諾未來三年凈利不低于4000萬元 發(fā)表于：2024/12/23 美光公布其HBM4和HBM4E項目最新進展 12 月 22 日消息，據(jù)外媒 Wccftech 今日報道，美光發(fā)布了其 HBM4 和 HBM4E 項目的最新進展。 具體來看，下一代 HBM4 內(nèi)存采用 2048 位接口，計劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而 HBM4E 將會在后續(xù)幾年推出。 HBM4E 不僅會提供比 HBM4 更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，還可根據(jù)需求定制基礎芯片，這一變化有望推動整個行業(yè)的發(fā)展。 發(fā)表于：2024/12/23 NVIDIA有望采用日本Rapidus 2nm工藝 12月22日消息，日本半導體代工企業(yè)Rapidus日前宣布，已接收到從ASML采購的先進EUV光刻機并開始安裝，這也是日本首家擁有EUV光刻機的公司。 Rapidus計劃2025年春季完成2nm芯片原型開發(fā)，并在2027年實現(xiàn)量產(chǎn)，相比之下臺積電則計劃2025年開始量產(chǎn)2nm芯片。 至于Rapidus目前的2nm客戶，Rapidus CEO小池淳義先前透露，正在與40家客戶洽談，預計明年以后才能對外公布。 NVIDIA CEO在上個月13日暗示，未來可能考慮委托Rapidus代工生產(chǎn)AI芯片，他強調(diào)供應鏈多元化的重要性，并對Rapidus的能力有信心。 Rapidus CEO小池淳義還表示，盡管臺積電在2納米芯片的量產(chǎn)時程上領先，但Rapidus有信心在制程進度上具有優(yōu)勢，并能快速提升良率和效能，追趕上臺積電。 Rapidus于2022年8月成立，被視為日本的“半導體國家隊”，是由日本政府以及索尼、豐田、鎧俠、NTT、軟銀、NEC、電裝與三菱日聯(lián)銀行等8家日本企業(yè)共同出資組成。 發(fā)表于：2024/12/23 ?…123124125126127128129130131132…?
