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用于FPGA平臺(tái)上圖像快速旋轉(zhuǎn)的改進(jìn)CORDIC算法

坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)數(shù)字算法（CORDIC）被廣泛應(yīng)用于消旋、相機(jī)邊框等系統(tǒng)中。在對傳統(tǒng)CORDIC算法分析的基礎(chǔ)上提出了重編碼預(yù)測和多倍迭代優(yōu)化的方法，并用MATLAB進(jìn)行了仿真，又在VIVADO上進(jìn)行了FPGA驗(yàn)證與對比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，上述優(yōu)化相對傳統(tǒng)CORDIC算法以及VIVADO自帶的CORDIC IP核顯著減少了迭代次數(shù)，消耗了更少的資源，計(jì)算的精度也有了一定的提升。

發(fā)表于：2024/3/20

基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對比性能測試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：2024/3/20

一種高效能可重構(gòu)1 024位大數(shù)乘法器的設(shè)計(jì)

在SM9加密等算法中經(jīng)常使用大數(shù)乘法，為了解決大數(shù)乘法中關(guān)鍵電路延遲過高、能耗過大的問題，設(shè)計(jì)了一種基于流水線的可重構(gòu)1 024位乘法器。使用64位乘法單元和128位先行進(jìn)位加法單元，分20個(gè)周期流水產(chǎn)生最終結(jié)果，緩解了傳統(tǒng)乘法器中加法部分的延時(shí)，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)用，有效減小能耗。在SMIC 0.18 μm工藝庫下，關(guān)鍵電路延遲2.5 ns，電路面積7.03 mm2 ，能耗576 mW。

發(fā)表于：2024/3/20

基于負(fù)載追蹤補(bǔ)償?shù)拇箅娏鱈DO設(shè)計(jì)

提出一種有效提升大電流輸出應(yīng)用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術(shù)，采用負(fù)載追蹤補(bǔ)償方式消除電路輸出端與負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)對環(huán)路穩(wěn)定性的影響，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點(diǎn)阻抗，從而達(dá)到同時(shí)提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負(fù)載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩(wěn)定時(shí)間小于56.3 μs。全負(fù)載電流范圍內(nèi)，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：2024/3/20

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測儀研發(fā)及應(yīng)用

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測儀廣泛應(yīng)用于核設(shè)施的放射性測量，基于目前正在開展的國產(chǎn)化研發(fā)項(xiàng)目，對硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測儀的總體設(shè)計(jì)研發(fā)、儀表主要硬件設(shè)計(jì)、軟件功能設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹，同時(shí)對硅半導(dǎo)體和氣體探測器主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行了對比，自主研發(fā)的硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測儀可滿足不同堆型眾多場景劑量率監(jiān)測的要求，具有良好的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：2024/3/20

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場。日前，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過板級制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：2024/3/20

消息稱臺(tái)積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今年將全力擴(kuò)增 3nm 產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底前該工藝的利用率將提升至 80%。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)已拿下蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這意味著臺(tái)積電在 3nm 制程世代完勝三星、英特爾等競爭企業(yè)。展望未來 2nm 制程世代，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2025 年開始提供相關(guān)晶圓代工服務(wù)，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺(tái)積電總裁魏哲家先前在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，全球主要大廠中僅有一家不是臺(tái)積電 2nm 制程客戶。外界推測這一客戶指的是三星電子，但總體看來，臺(tái)積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢。

發(fā)表于：2024/3/20

臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，由于建筑成本上升和勞動(dòng)力短缺，臺(tái)積電和英特爾的五家供應(yīng)商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設(shè)項(xiàng)目。這一挫折與供應(yīng)商最初的計(jì)劃背道而馳，此前他們計(jì)劃跟隨英特爾和臺(tái)積電在該州新建芯片生產(chǎn)設(shè)施的計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)。臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國亞利桑那州建廠

發(fā)表于：2024/3/20

AI大模型催生海量算力需求 HBM正進(jìn)入黃金時(shí)代

發(fā)表于：2024/3/20

全球工業(yè)機(jī)器人龍頭ABB積極布局AI

全球工業(yè)機(jī)器人龍頭ABB積極布局AI 機(jī)構(gòu)看好AI賦能機(jī)器人趨勢

發(fā)表于：2024/3/20

AMD MI300X即將大量出貨：有望搶下7％AI市場

雖然NVIDIA目前仍是AI芯片市場的霸主，不過年中開始，挑戰(zhàn)者AMD的最強(qiáng)AI芯片MI300X也即將大批量出貨，可能將會(huì)搶下部分NVIDIA的市場，并再次影響從晶圓代工到服務(wù)器的AI產(chǎn)品供應(yīng)鏈。根據(jù)日本瑞穗證券報(bào)告，在目前的AI芯片市場，NVIDIA的市占率高達(dá)95%，“遠(yuǎn)比AMD和英特爾的份額相加還要高”。 NVIDIA在2023年第四季僅數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的營收就高達(dá)184億美元，較前一年同期增加了409%。

發(fā)表于：2024/3/19

ARM開始提供汽車芯片設(shè)計(jì)方案

ARM開始提供汽車芯片設(shè)計(jì)方案，不想太過依賴智能手機(jī)市場

發(fā)表于：2024/3/19

英偉達(dá)發(fā)布全球首款人型機(jī)器人模型

英偉達(dá)發(fā)布全球首款人型機(jī)器人模型！正式進(jìn)軍人形機(jī)器人行業(yè) 3月19日消息，在英偉達(dá)年度 GTC 開發(fā)者大會(huì)上，黃仁勛宣布推出推出了Project GR00T人型機(jī)器人項(xiàng)目，其中就包括全球首款人型機(jī)器人基礎(chǔ)模型。黃仁勛表示，基于GR00T人型機(jī)器人基礎(chǔ)模型，可以實(shí)現(xiàn)通過語言、視頻和人類演示，來理解自然語言，模仿人類動(dòng)作，進(jìn)而快速學(xué)習(xí)協(xié)調(diào)性、靈活性以及其他的技能，進(jìn)而能夠融入現(xiàn)實(shí)世界并與人類進(jìn)行互動(dòng)。

發(fā)表于：2024/3/19

一文讀懂英偉達(dá)GTC

一文讀懂英偉達(dá)GTC：黃仁勛曬“AI核彈”，人型機(jī)器人模型也來了

發(fā)表于：2024/3/19

2nm時(shí)代來臨：ASML發(fā)布第三代EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：2024/3/18