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工業(yè)GenAI的“軍備競賽”悄然打響

巨頭爭先布局！工業(yè)GenAI的“軍備競賽”悄然打響

發(fā)表于：2024/3/29

SEMI預(yù)估臺積電英特爾年內(nèi)建成2nm晶圓廠

3 月 28 日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布產(chǎn)業(yè)鏈報告，認為芯片巨頭臺積電和英特爾有望在今年年底之前建成 2 納米晶圓廠。

發(fā)表于：2024/3/28

2027年歐洲生成式人工智能支出或超300億美元

發(fā)表于：2024/3/28

ASML新款NXE:3800E EUV光刻機引入部分High-NA機型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學(xué)系統(tǒng)放大倍率本身也會因為曝光場的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場僅用減小一半。而為了進一步降低曝光時間，提升吞吐量，有必要提升光刻機載物臺的運動速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺運動系統(tǒng)。

發(fā)表于：2024/3/28

Intel Arc顯卡首次進入嵌入式領(lǐng)域

Intel Arc顯卡首次進入嵌入式領(lǐng)域 Intel Arc 銳炫顯卡自誕生以來，已經(jīng)先后進入桌面、筆記本、工作站和核顯四大領(lǐng)域，如今它又開辟了新的戰(zhàn)場——嵌入式。 Intel 最新提交的 Linux 圖形內(nèi)核代碼里，出現(xiàn)了兩款新的 Arc 產(chǎn)品，一個是 0x56BE Arc A750E，另一個是 0x56BF Arc A580E。雖然缺乏具體資料，但是目前可以確認，它們倆都是面向嵌入式市場的，比如工控、商業(yè)、標牌、邊緣等等。

發(fā)表于：2024/3/28

美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠

發(fā)表于：2024/3/28

品英Pickering公司推出最新大功率舌簧繼電器，額定功率高達 80W

高性能舌簧繼電器的領(lǐng)先制造商Pickering Electronics宣布推出最新的大功率舌簧繼電器，額定功率高達 80w，以0.25英寸間距可緊密排布，稱為144系列。單列直插式封裝(SIP)舌簧繼電器提供高達2A的開關(guān)電流，輸出功率高達60w；或1A開關(guān)電流，功率高達80w，連續(xù)承載電流高達3A。此外，它還具有耐高壓能力，10W功率水平下開關(guān)電壓可達1000VDC，耐壓可達3kV。

發(fā)表于：2024/3/28

MEAN WELL HRPG-1000N3 1000W超高峰值電源在貿(mào)澤開售

　　2024年3月20日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開售MEAN WELL的HRPG-1000N3 1000W超高峰值電源。HRP（G）系列是高端封閉式工業(yè)電源，采用雙面PCB板設(shè)計，為工程師提供了具有一整套擴展級峰值功率控制功能的完整工業(yè)電源，適用于工業(yè)自動化、機械和電氣設(shè)備、應(yīng)急照明系統(tǒng)、測試和測量儀器、激光相關(guān)機器等應(yīng)用。

發(fā)表于：2024/3/27

Vishay推出旋鈕電位器，簡化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計并優(yōu)化成本

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款內(nèi)置旋鈕開關(guān)---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC，+40 °C下額定功率為1 W，可用來簡化工業(yè)和音頻應(yīng)用設(shè)計并優(yōu)化成本。

發(fā)表于：2024/3/27

西門子和英偉達深化合作，基于生成式 AI 實現(xiàn)實時的沉浸式可視化

　　西門子今日宣布將進一步深化與英偉達的合作，此次合作將英偉達 Omniverse Cloud APIs 的沉浸式可視化功能引入西門子 Xcelerator，推動以人工智能（AI）驅(qū)動的數(shù)字孿生技術(shù)的應(yīng)用，持續(xù)構(gòu)建工業(yè)元宇宙。在英偉達年度 GTC 會議期間，西門子與英偉達攜手演示了生成式 AI 為復(fù)雜數(shù)據(jù)可視化帶來的變革，同時還展示了船舶制造巨頭 HD 現(xiàn)代如何在此技術(shù)的支持下完成新品研發(fā)。

發(fā)表于：2024/3/27

華潤116億成為長電科技實控人

3月27日消息，日前長電科技發(fā)布公告稱，磐石香港擬以116.58億元收購22.54%的股權(quán)，公司實控人將變更為中國華潤。而在本次股份轉(zhuǎn)讓完成前，長電科技無實際控制人，第一大股東和第二大股東分別為大基金和芯電半導(dǎo)體，大基金和芯電半導(dǎo)體分別持有長電科技總股本13.24%和12.79%的股份。轉(zhuǎn)讓完成后，曾經(jīng)的第一大股東大基金持股比例將降至3.5%，第二大股東芯電半導(dǎo)體則是不再持有上市公司股權(quán)。此前為了達成此項事項，長電科技已連續(xù)5個交易日停牌，經(jīng)向上海證券交易所申請，長電科技股票將于今天上午開市起復(fù)牌。截至發(fā)稿時，長電科技股價漲4.35%，總市值達到了527億元人民幣。

發(fā)表于：2024/3/27

東芝在其電機控制軟件開發(fā)套件中新增位置估算控制技術(shù)

　　中國上海，2024年3月19日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出全新 “MCU Motor Studio Ver.3.0”和“電機參數(shù)調(diào)整工具”，使得電機控制功能得到改善。全新版本的電機控制軟件開發(fā)套件“MCU Motor Studio Ver.3.0”新增位置估算控制技術(shù)，用于磁場定向控制（FOC），與此同時，“Motor Tuning Studio Ver.1.0”則用于電機參數(shù)自動計算，兩款工具將于今天開始提供。

發(fā)表于：2024/3/27

SK 海力士回應(yīng)“擬投資40億美元在美建芯片封裝廠”

3 月 27 日消息，《華爾街日報》昨日稱，SK 海力士計劃投資約 40 億美元（當(dāng)前約 289.2 億元人民幣）在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進芯片封裝廠，并計劃于 2028 年投產(chǎn)。對此，SK 海力士在一份聲明中表示，公司正審查其在美國投資先進芯片封裝的計劃，但尚未作出決定。

發(fā)表于：2024/3/27

英偉達推出LATTE3D模型

1秒生成高質(zhì)量3D形狀，英偉達LATTE3D模型來了，現(xiàn)場演示效果驚艷一年前，AI模型需要1小時才能生成這種質(zhì)量的3D視覺效果，而目前的技術(shù)水平大約是10到12秒

發(fā)表于：2024/3/27

詳解ASML High-NA EUV光刻機

英特爾率先拿到該設(shè)備，無疑會極大地提升其芯片制造能力和效率。光刻機一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。 ASML官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由ASM與imec合作開發(fā)，將于2024年安裝在ASML與imec的聯(lián)合實驗室中，預(yù)計2025年投入量產(chǎn)。另一個由英特爾在2018年訂購， 2023 年 12 月，ASML正式向英特爾交付了首個High-NA EUV 光刻系統(tǒng)——TWINSCAN EXE:5000的首批模塊。

發(fā)表于：2024/3/27