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消息称三星将从头设计新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韩媒 ETNews 今日报道称，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写），专注改进能效和散热表现，这与三星此前的第六代 V-NAND 改进版制程 V6P 采用了相同的命名逻辑。

發(fā)表于：2025/1/22

韩国系统半导体市占率今年将跌至2%

1月21日消息，据Businesskorea报道，韩国下一代智能半导体专案小组的研究报告显示，韩国在全球系统半导体营收市占率将从2023年的2.3%，下降至2025年的2%，预计到2027年将进一步下降到1.6%。

發(fā)表于：2025/1/22

电力物联网下终端密钥全生命周期安全管理方案

针对电力物联网下的终端规模化接入及终端通信安全问题，提出了一种电力物联网下终端密钥全生命周期安全管理方案。首先，方案基于国密算法采用两级密钥分发架构，实现了电力终端在不同阶段的安全接入认证；其次，方案基于逻辑密钥层次结构采用组密钥管理模式，实现了对单播和广播数据的轻量级加密，保障电力终端的通信安全；另外，方案按照密钥用途不同采取不同的存储和访问管理策略，实现了终端密钥的混合式存储和管理，缩短终端密钥的访问时间。通过性能分析可知，相较于传统的接入认证和基于逻辑密钥层次结构的密钥管理方案，所提方案优化了终端计算量，减少了计算开销，简化了密钥更新过程，相较于常规终端密钥的存储和管理方式，所提方案在不改变现有硬件平台的基础上提升了密钥访问性能。

發(fā)表于：2025/1/21

数字化F-P前端的仿真验证

提出一种基于差分电容原理的新型数字化F-P滤波器电路控制系统，并基于FPGA对该系统进行了理论分析以及硬件验证，验证结果表明该系统避免了现有F-P滤光器模拟电路控制系统的系统时间稳定性差的问题，具有极高的抗干扰能力，为高稳定无漂移的F-P控制系统提供了新思路。

發(fā)表于：2025/1/21

超大规模复杂嵌入式系统智能电源健康管理方案的研究与实现

随着嵌入式系统朝着多元化的方向发展，以及技术的不断进步和应用需求的不断增长，嵌入式系统的硬件平台也呈现出多元化的发展趋势。从最初的简单处理器，到现在的多核处理器、FPGA、ASIC等，嵌入式系统的硬件平台越来越复杂。电源完整性面临着严峻的挑战，伴随着嵌入式系统的电源通道越来越多、功耗急剧增加、上电时序要求苛刻和复位信号分类复杂，智能数字电源健康管理单元显得越来越重要。基于TI公司的数字电源上电顺序控制电路UCD9090、数字PWM系统控制电路UCD9244实现14路电源上电顺序控制、电压监控、温度监控、复位信号及配置信号的控制。此方案与传统智能数字电源健康管理方案相比控制灵活、实现简单，且无需编写复杂代码，其在系统中的应用缩减了产品的上市时间。

發(fā)表于：2025/1/21

基于改进YOLOv8的轻量化杂草识别算法研究

针对目前田间杂草识别模型精度低，以及参数多难以满足在计算资源有限的移动设备和嵌入式设备中部署的问题，提出一种基于YOLOv8的轻量化田间杂草识别模型。该模型使用改进后的PP-LCNet替代原有主干网络，保证精度的前提下减少模型的计算量；其次引入Effcient-RepGFPN来作为颈部网络，并将上采样前的两个CSPStage模块使用RFAConv来替代，利用不同尺度的特征来提高目标检测的性能；最后，更换MPDIoU损失函数，增强了模型的收敛性和稳定性。实验结果表明，改进模型与原模型相比准确率提升了2.1%，召回率提升了2.8%，mAP值提升了0.2%，同时模型的大小与计算量分别减少为原始模型的68.2%和62.6%，体现了改进算法的有效性。

發(fā)表于：2025/1/21

基于自主创新的并行可切换控制系统设计

我国持续推动科技自立自强、技术自主创新。在工业控制领域，自主安全将成为未来一段时间的主旋律。在此背景下，提出了一种双控制系统切换的工业控制系统核心控制器自主创新能力建设方案。系统选用了主流进口PLC产品和全国产PLC产品，设计搭建了一套并行可切换的双控制系统，对现场各类终端设备进行信号采集与切换控制。通过对比两套PLC控制系统的功能、性能，验证该方案能够实现国产PLC可达到进口PLC同等技术水平、实现同等功能，且系统运行稳定、可靠。该方案在不破坏现有工控系统场景的情况下，以低成本的方式逐步进行验证推广，为工业控制系统核心控制器国产化提供技术支撑。

發(fā)表于：2025/1/21

消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年

1 月 21 日消息，韩媒 MoneyToday 当地时间昨日表示，三星电子已将其 1c nm DRAM 内存开发的良率里程碑时间从 2024 年底推迟至 2025 年 6 月，而这一变化可能会影响到三星对 HBM4 内存的规划。

發(fā)表于：2025/1/21

全国首个异构人形机器人训练场正式启用

1 月 21 日消息，中国人形机器人发展突飞猛进。国家地方共建人形机器人创新中心表示，今日上午，全国首个异构人形机器人训练场在上海浦东正式启用。未来，上海将重点推进“1+N”虚实融合训练场建设、加速应用落地、推动人形机器人与大模型融合。此次启用的训练场是“1+N”格局中的核心，首期部署超 100 台异构人形机器人，助力技术突破和应用落地。

發(fā)表于：2025/1/21

GlobalFoundries宣布5.5亿美元建硅光芯片封测中心

近日，美国晶圆代工大厂GlobalFoundries 宣布，它计划在其位于美国纽约马耳他的制造工厂内建立一个基于硅光子技术的先进封装和芯片测试中心。 GlobalFoundries表示，在美国商务部和纽约州的资助支持下，这个史无前例的中心旨在使半导体能够完全在美国陆上安全地制造、加工、封装和测试，以满足对格芯硅光子学和其他关键终端市场所需的基本芯片日益增长的需求，包括人工智能、汽车、航空航天和国防以及通信。

發(fā)表于：2025/1/21

台积电已经拿到15亿美元美国芯片法案补贴

1月21日消息，近日晶圆代工大厂台积电首席财务官黄仁昭在接受美国媒体CNBC采访时透露，台积电已于2024年四季度获得了美国政府15亿美元的补贴款，并认为新上台的美国特朗普政府将继续为台积电在美投资计划提供已经敲定的补贴资金。

發(fā)表于：2025/1/21

我国2024年电子及通信设备制造业增加值实现两位数增长

1月20日消息，在1月17日举行的国务院新闻办新闻发布会上，国家统计局局长康义介绍，2024年我国各方面都在积极推动科技创新与产业创新的深度融合，大力推动产业的高端化、智能化、绿色化转型，促进科技的创造力向社会的生产力转化，我国新质生产力稳步发展，为高质量发展注入了源源不断的新动能。具体表现在以下几个方面：

發(fā)表于：2025/1/21

台积电被曝2000亿新台币加码CoWoS封装

驳斥砍单传闻：台积电被曝 2000 亿新台币加码 CoWoS 封装，迎战 AI 浪潮

發(fā)表于：2025/1/21

是德科技亮相DesignCon 2025，展示人工智能创新加速解决方案

是德科技（Keysight Technologies, Inc.）将在DesignCon 2025大会上，展示一系列加速智能网络发展的解决方案。其中包含用于速度高达800G 和 1.6T的电/光传输和数据中心互联应用的仿真和测试解决方案，以及用于小芯片互联的设计和仿真解决方案。

發(fā)表于：2025/1/21

欧洲1nm和光芯片试验线启动

1月20日消息，近日，欧洲四大顶尖研究机构的负责人举行会晤，启动首批五条欧盟芯片法案试点生产线。比利时 imec 的 Luc Van den hove、法国 CEA-Leti 的 François Jacq、德国 Fraunhofer-Gesellschaft 的 Albert Heuberger、意大利 Consiglio Nazionale delle Ricerche 的 Stefano Fabris 和西班牙 ICFO 的 Valerio Pruneri 与新任欧盟委员会副主席 Henna Virkkunen 会面。试验生产线旨在弥合研究创新与制造之间的差距，加强 CMOS 的半导体生态系统。

發(fā)表于：2025/1/21