工業(yè)自動化最新文章 第三家1萬億美元市值半導(dǎo)體企業(yè)出現(xiàn) 12月12日美股盤后，芯片大廠博通發(fā)布了截至11月3日的第四財(cái)季及2024財(cái)年財(cái)報(bào)。受益于人工智能（AI）旺盛需求的推動，博通當(dāng)季業(yè)績及下季指引基本符合預(yù)期。2024財(cái)年總營收及調(diào)整后利潤均創(chuàng)下歷史新高，特別是來自AI的收入整個(gè)財(cái)年同比暴漲了220%。 值得注意的是，ASIC定制服務(wù)一直是博通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一項(xiàng)重要收入來源，特別是在AI的驅(qū)動之下，博通來自與AI相關(guān)的ASIC定制服務(wù)營收正快速增長。 發(fā)表于：12/16/2024 臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo) 12月15日消息，IEDM 2024大會上，臺積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。 發(fā)表于：12/16/2024 意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET 2024 年 11 月 29日，中國——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。 發(fā)表于：12/16/2024 慶祝顯示技術(shù)30年創(chuàng)新歷程 2024年10月，應(yīng)用材料公司慶祝顯示器制造設(shè)備創(chuàng)新30周年！我們在推動關(guān)鍵顯示技術(shù)變革方面有悠久的傳統(tǒng)，并且有能力在下一次重大技術(shù)變革中也處于領(lǐng)先地位——即將高端智能手機(jī)中先進(jìn)的OLED顯示技術(shù)應(yīng)用于成千上百萬的設(shè)備，從AR/VR頭顯到平板電腦、個(gè)人電腦和電視。 發(fā)表于：12/16/2024 RCL完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇 RCL完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇 發(fā)表于：12/13/2024 RCL完整測試所需儀器介紹 RCL完整測試所需儀器 發(fā)表于：12/13/2024 電感的重要參數(shù)介紹 電感的重要參數(shù)介紹 發(fā)表于：12/13/2024 電容的主要參數(shù)介紹 電容器的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： ?1.電容值（Capacitance Value）： 表示電容器儲存電荷的能力，通常以法拉（F）為單位，但在實(shí)際應(yīng)用中更常用的單位是微法拉（μF）、皮法拉（pF）等。 2.額定電壓（Rated Voltage）： 指電容器能夠安全工作的最大電壓，超過這個(gè)電壓可能會導(dǎo)致電容器擊穿或損壞。 3.容差（Tolerance）： 指電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍，通常以百分比表示。 發(fā)表于：12/13/2024 電阻的主要參數(shù)介紹 電阻的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： 1.阻值（Resistance Value）： 這是電阻的基本特性，表示電阻對電流流動的阻礙程度，通常以歐姆（Ω）為單位。 2.額定功率（Rated Power）： 指電阻在正常工作條件下能夠承受的最大功率，超過這個(gè)功率可能會導(dǎo)致電阻過熱甚至損壞。功率以瓦特（W）為單位。 3.容差（Tolerance）： 指電阻的實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值之間的允許偏差范圍。容差通常以百分比表示，例如5%或1%。 4.溫度系數(shù)（Temperature Coefficient）： 發(fā)表于：12/13/2024 電感的主要類型介紹 電感器是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的一種電磁感應(yīng)組件，是電子電路中不可或缺的重要元件之一，它在儲能、濾波、調(diào)諧等方面發(fā)揮著重要作用。 發(fā)表于：12/13/2024 電容的主要類型介紹 電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件，是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件，主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲能、隔直流等電路中。 發(fā)表于：12/13/2024 電阻的主要類型介紹 電阻表示導(dǎo)體對電流阻礙的大小，是電子電路中不可或缺的元件，其類型繁多，不同類型的電阻適用于不同的電路和環(huán)境。 發(fā)表于：12/13/2024 詳解ASML收購Mapper背后的四方暗斗 近日，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關(guān)注。 這位工程師曾是電子束光刻設(shè)備廠商Mapper的員工，后來這家公司被ASML收購，于是包括該工程師在內(nèi)很多員工也就成為了ASML的員工，Mapper公司及其產(chǎn)品線也被關(guān)閉。那么，為何這位工程師在竊取ASML資料的同時(shí)，還會去竊取已經(jīng)“作古”的Mapper的資料呢？ 發(fā)表于：12/13/2024 Rapidus與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議 12月12日消息，日本晶圓代工大廠Rapidus近日宣布，其已與EDA大廠Synopsys 和 Cadence Design Systems 簽署了合作協(xié)議，后者將為其 2nm 代工業(yè)務(wù)提供EDA設(shè)計(jì)工具，并獲取 AI 制造數(shù)據(jù)。Synopsys將有權(quán)訪問Rapdius的人工智能工具制造數(shù)據(jù)，而Cadence將提供針對背面電源傳輸進(jìn)行優(yōu)化的內(nèi)存和接口IP。 發(fā)表于：12/13/2024 臺積電美國廠制造成本比中國臺灣高出30% 12月13日消息，晶圓代工大廠臺積電亞利桑那州晶圓廠一期工程即將于2025年初量產(chǎn)4nm，而根據(jù)麥格理銀行的最新研究顯示，臺積電亞利桑那州的晶圓廠的制造成本可能將比中國臺灣工廠高出30%。 發(fā)表于：12/13/2024 ?…113114115116117118119120121122…?
