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數(shù)字示波器模擬輸入帶寬測試方法研究

分析了數(shù)字示波器帶寬的概念，研究分析兩種示波器帶寬測試方法。搭建示波器帶寬測試專用硬件平臺(tái)，并實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化測試。測試了指定示波器產(chǎn)品的帶寬，使用提出的方法得到對(duì)應(yīng)的波特圖，驗(yàn)證了方法的可行性。該硬件平臺(tái)和自動(dòng)化測試方法不僅適用于示波器帶寬測試，而且適用于各類數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的模擬輸入帶寬測試。

發(fā)表于：2025/1/20

適用于超聲電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的雙H橋電路設(shè)計(jì)

超聲電機(jī)作為新型電機(jī)，其電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。基于0.18 μm高壓CMOS工藝設(shè)計(jì)了一款適用于超聲電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的雙H橋集成電路，本集成電路包含兩個(gè)相同的獨(dú)立裸芯，搭配簡單的外圍電路能夠?qū)崿F(xiàn)兩路不同相位電壓的輸出。同時(shí)，內(nèi)部集成了邏輯控制模塊可兼容TTL、CMOS兩種輸入電平，集成自適應(yīng)死區(qū)控制可避免同一橋臂直通。最后，通過驗(yàn)證板實(shí)測可滿足100 kHz的兩路不同相位電壓的輸出，可完成對(duì)超聲電機(jī)的有效驅(qū)動(dòng)。

發(fā)表于：2025/1/20

一種基于AHB總線DMA控制器驗(yàn)證方法

發(fā)表于：2025/1/20

SerDes鏈路協(xié)同仿真與無源鏈路優(yōu)化設(shè)計(jì)

隨著SerDes鏈路信號(hào)傳輸速率的提升，信道鏈路經(jīng)過芯片封裝和印刷電路板過孔、AC電容和連接器等，會(huì)導(dǎo)致信號(hào)完整性（Signal Integrity， SI）挑戰(zhàn)進(jìn)一步增大。提出基于SerDes 32 Gbps-NRZ信道傳輸系統(tǒng)，優(yōu)化無源信道中的BGA過孔、AC耦合電容焊盤、FMC連接器（FPGA Mezzanine Card Connector）處Pin腳設(shè)計(jì)，提升了通道阻抗的一致性，建立了更為準(zhǔn)確的無源鏈路通道模型，并結(jié)合芯片有源IBIS-AMI模型，對(duì)比分析優(yōu)化前后鏈路信道對(duì)眼圖的影響，保證了32 Gbps-NRZ高速信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

發(fā)表于：2025/1/20

基于ERNIE-CAB-CNN的稀土專利文本分類模型

針對(duì)稀土專利文本專業(yè)性強(qiáng)的特點(diǎn)以及現(xiàn)有的文本分類方法存在的不足，鑒于類別注意力在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和取得的良好效果，提出了一種用于文本分類的類別注意力模塊（Category Attention Module，CAB），并結(jié)合預(yù)訓(xùn)練模型ERNIE和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Convolutional Neural Networks，CNN）構(gòu)建了一個(gè)用于稀土專利文本分類的創(chuàng)新模型ERNIE-CAB-CNN。模型使用ERNIE對(duì)專利文本進(jìn)行向量化，得到語義信息更加豐富的向量表示后，通過CAB為文本中各個(gè)類別的重要特征賦予較高權(quán)值，使模型可以更準(zhǔn)確地區(qū)分不同類別的特征。最后用CNN進(jìn)一步提取文本中其他關(guān)鍵局部特征，得到的最終文本向量表示用于分類。通過Patsnap專利數(shù)據(jù)庫官方網(wǎng)站檢索下載稀土專利數(shù)據(jù)構(gòu)建數(shù)據(jù)集進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，稀土專利文本分類模型ERNIE-CAB-CNN在測試集上分類的準(zhǔn)確率、精確率、F1分?jǐn)?shù)分別為82.68％、83.2％、82.06％，取得了良好的分類效果。

發(fā)表于：2025/1/20

基于動(dòng)態(tài)自適應(yīng)計(jì)算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)加速器設(shè)計(jì)

現(xiàn)有面向高效輕量化MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)的加速方法通常采用高度定制的計(jì)算引擎進(jìn)行模型計(jì)算，從而限制了加速器的可擴(kuò)展性使其僅適用于小型網(wǎng)絡(luò)或資源豐富的硬件平臺(tái)。針對(duì)此問題，提出了基于動(dòng)態(tài)自適應(yīng)計(jì)算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡(luò)加速器。首先，設(shè)計(jì)了局部感知區(qū)域卷積的流水線推理架構(gòu)實(shí)現(xiàn)特征、權(quán)重的高度并行處理和緩沖調(diào)度。其次，提出全局自適應(yīng)的點(diǎn)卷積方法優(yōu)化點(diǎn)卷積，并結(jié)合空間探索獲得最優(yōu)的參數(shù)配置以實(shí)現(xiàn)最大計(jì)算并行性。此外，加速器可以根據(jù)模型參數(shù)變化動(dòng)態(tài)配置以適應(yīng)不同場景。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示加速器推理速度為8 F/s，是現(xiàn)有方法速度的2.7倍。

發(fā)表于：2025/1/20

我國專家成功當(dāng)選國際電工委員會(huì)核儀器儀表技術(shù)委員會(huì)主席

1 月 20 日消息，據(jù)央視新聞今日援引國家標(biāo)準(zhǔn)委消息，經(jīng)國際電工委員會(huì)（IEC）相關(guān)技術(shù)委員會(huì)及 IEC 標(biāo)準(zhǔn)化管理局兩輪投票選舉，近日，來自我國中核集團(tuán)的專家肖晨當(dāng)選國際電工委員會(huì)核儀器儀表技術(shù)委員會(huì)（IEC / TC 45）主席。

發(fā)表于：2025/1/20

力積電將攜手臺(tái)積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術(shù)

1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺(tái)積電認(rèn)證，將協(xié)同臺(tái)積電打入英偉達(dá)、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈，并攜手臺(tái)積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術(shù)，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術(shù)比三星更強(qiáng)，有望抓住AI商機(jī)，推動(dòng)業(yè)績?cè)鲩L。

發(fā)表于：2025/1/20

傳臺(tái)積電將再建兩座CoWoS先進(jìn)封裝廠

1月20日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)旺盛的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求，傳聞臺(tái)積電計(jì)劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺(tái)幣2,000億元。如果再加上臺(tái)積電正在嘉科園區(qū)建設(shè)的CoWoS新廠，業(yè)界預(yù)期，臺(tái)積電短期內(nèi)總計(jì)將擴(kuò)充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)回應(yīng)此前的CoWoS砍單傳聞。

發(fā)表于：2025/1/20

美國商務(wù)部宣布投資14億美元支持四個(gè)先進(jìn)封裝項(xiàng)目

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月17日消息，美國商務(wù)部宣布，“芯片法案”國家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃（NAPMP）已敲定 14 億美元的獎(jiǎng)勵(lì)資金，以加強(qiáng)美國在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并使新技術(shù)得到驗(yàn)證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎(jiǎng)項(xiàng)將有助于建立一個(gè)自給自足、大批量的國內(nèi)先進(jìn)封裝行業(yè)，其中先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片在美國制造和封裝。

發(fā)表于：2025/1/20

SK海力士有望2月啟動(dòng)業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)

1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱，SK 海力士近日已成功完成內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn) 1c 納米制程 DRAM 的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以 25 塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求。 SK 海力士有望在完成量產(chǎn)交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動(dòng) 1c 納米 DRAM 量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/1/20

臺(tái)積電確認(rèn)已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片

1 月 18 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 報(bào)道，臺(tái)積電確認(rèn)其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進(jìn)入大批量生產(chǎn) 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。

發(fā)表于：2025/1/20

全國首條AMOLED用第8.6代金屬掩膜版生產(chǎn)線開建

1 月 19 日消息，據(jù)“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線項(xiàng)目在黃石經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開工?，F(xiàn)場，中國科學(xué)院院士歐陽鐘燦介紹，作為全球首批、全國首條第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線，項(xiàng)目將填補(bǔ)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈空白。

發(fā)表于：2025/1/20

美國商務(wù)部宣布向ADI等提供2.464億美元補(bǔ)貼

美國商務(wù)部宣布向ADI/Coherent/IntelliEPI/Sumika提供2.464億美元補(bǔ)貼

發(fā)表于：2025/1/20

日本2024年度芯片設(shè)備銷售額首度突破4萬億日元

中國大陸及AI需求旺盛，日本2024年度芯片設(shè)備銷售額首度突破4萬億日元

發(fā)表于：2025/1/20