Counterpoint：預(yù)計(jì)2025年晶圓代工行業(yè)整體收入增長(zhǎng)20%

市場(chǎng)分析企業(yè) Counterpoint 在當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 3 日刊發(fā)的文章中預(yù)計(jì)，今年晶圓代工行業(yè)整體收入將實(shí)現(xiàn) 20% 的增長(zhǎng)，這一趨勢(shì)主要受到先進(jìn)制程需求激增、AI 在數(shù)據(jù)中心與邊緣的快速導(dǎo)入兩方面影響。

發(fā)表于：2025/2/8

Omdia預(yù)計(jì)中國(guó)生成式AI軟件市場(chǎng)五年增超4倍

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Omdia 今日發(fā)布報(bào)告稱，經(jīng)過兩年的快速發(fā)展，2024 年中國(guó)的生成式人工智能（GenAI）軟件收入已達(dá)到 18 億美元

發(fā)表于：2025/2/8

Vishay最新推出可滿足嚴(yán)苛要求的高精度60mm感應(yīng)式位置傳感器

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2025年2月6日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款適用于工業(yè)等應(yīng)用于嚴(yán)苛要求的基于感應(yīng)技術(shù)的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術(shù)的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對(duì)值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉(zhuǎn)速更高，達(dá)10000 rpm，而且延遲時(shí)間更短至≤ 5 μs。此外，器件對(duì)磁環(huán)境不敏感，因此可以在靠近電機(jī)的地方使用。

發(fā)表于：2025/2/7

傳臺(tái)積電將對(duì)7nm以下先進(jìn)制程芯片代工報(bào)價(jià)上調(diào)15%

2月5日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》援引市場(chǎng)人士的說法報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)美國(guó)特朗普政府計(jì)劃對(duì)全球多國(guó)加征進(jìn)口關(guān)稅可能引發(fā)的成本增長(zhǎng)，臺(tái)積電正考慮將7nm以下先進(jìn)制程芯片代工報(bào)價(jià)漲幅由原本預(yù)計(jì)的5%～10%調(diào)高至15%以上。

發(fā)表于：2025/2/7

AMD預(yù)計(jì)其AI GPU未來幾年將產(chǎn)生數(shù)百億美元收入

2月6日消息，處理器大廠AMD 在最近的2024財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上概述了其 AI 路線圖，并表示AMD Instinct AI GPU 系列將在未來幾年產(chǎn)生“數(shù)百億美元”的收入。 據(jù)AMD介紹，其MI300及MI3000X已經(jīng)被微軟、IBM和Meta等國(guó)內(nèi)公司以及 El Capitan 系統(tǒng)等大規(guī)模 AI 和 HPC 集群所采用。但是，AMD已決定在今年年中開始量產(chǎn)其下一代 MI350 AI加速器，最初計(jì)劃于 2025 年下半年進(jìn)行。此舉是鑒于英特爾取消 Falcon Shores GPU 和 AMD 對(duì)人工智能市場(chǎng)的樂觀態(tài)度而做出的。 AMD表示，基于早期的硅片進(jìn)展，客戶對(duì) MI350 系列的反饋非常強(qiáng)烈，這推動(dòng)了與現(xiàn)有和全新超大規(guī)?？蛻暨M(jìn)行更深入、更廣泛的客戶互動(dòng)，為大規(guī)模部署 MI350 做準(zhǔn)備?！拔覀儸F(xiàn)在計(jì)劃在本季度對(duì)主要客戶提供樣品，并有望將生產(chǎn)出貨速度加快到年中?！?/a>

2024年規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入16.19萬億元

2 月 6 日消息，工信部今日公布 2024 年電子信息制造業(yè)運(yùn)行情況。2024 年，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng) 11.8%，增速分別比同期工業(yè)、高技術(shù)制造業(yè)高 6 個(gè)和 2.9 個(gè)百分點(diǎn)。12 月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng) 8.7%。

發(fā)表于：2025/2/7

芝奇宣布再次打破內(nèi)存超頻世界紀(jì)錄

2 月 6 日消息，芝奇官方今日宣布，美國(guó)超頻大師 Splave 成功在華擎 Z890 Taichi OCF 主板上實(shí)現(xiàn)了新的內(nèi)存超頻世界紀(jì)錄 ——6367.5 MHz，即 12735MT/s。

發(fā)表于：2025/2/7

埃森哲某煙企智能制造與卓越運(yùn)營(yíng)體系的全新戰(zhàn)略藍(lán)圖設(shè)計(jì)方案

【精品方案】破局與躍升：埃森哲某煙企智能制造與卓越運(yùn)營(yíng)體系的全新戰(zhàn)略藍(lán)圖設(shè)計(jì)方案（86頁P(yáng)PT），推薦閱讀

發(fā)表于：2025/2/7

中科宇航力擎二號(hào)針?biāo)òl(fā)動(dòng)機(jī)完成首臺(tái)交付

2月6日消息，中科宇航今日宣布，力擎二號(hào)110噸針?biāo)òl(fā)動(dòng)機(jī)已成功完成首臺(tái)交付。 作為力箭系列可重復(fù)使用火箭的一級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)，力擎二號(hào)采用液氧煤油推進(jìn)劑組合，燃?xì)獍l(fā)生器和推力室均采用針?biāo)▏娮⒓夹g(shù)，具備大范圍的推力變比能力。

發(fā)表于：2025/2/7

憶阻器的概念

憶阻器最早由阻變存儲(chǔ)器，即RRAM實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，因此經(jīng)常以RRAM作為憶阻器的代表。

發(fā)表于：2025/2/6

傳臺(tái)積電將在臺(tái)南建3座1nm和3座0.7nm晶圓廠

2月3日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞稱，臺(tái)積電最先進(jìn)的1nm制程晶圓廠將落戶臺(tái)南沙侖，預(yù)計(jì)規(guī)劃打造可容納六座12英寸生產(chǎn)線的超大型晶圓廠（Giga-Fab），藉此放大現(xiàn)有南科先進(jìn)制程生產(chǎn)集群效應(yīng)，并北接嘉義，南連高雄、屏東等國(guó)科會(huì)積極推動(dòng)的科學(xué)園區(qū)，成為 “大南方新硅谷推動(dòng)方案”的核心指標(biāo)投資案。

發(fā)表于：2025/2/6

Rapidus宣布4月1日試產(chǎn)2nm

Rapidus宣布4月1日試產(chǎn)2nm！

發(fā)表于：2025/2/6

消息稱軟銀接近達(dá)成收購(gòu)芯片設(shè)計(jì)公司Ampere的協(xié)議

消息稱軟銀接近達(dá)成收購(gòu)芯片設(shè)計(jì)公司 Ampere 的協(xié)議，后者估值 65 億美元

發(fā)表于：2025/2/6

DDR4內(nèi)存價(jià)格持續(xù)下跌 NAND閃存減產(chǎn)效果未顯現(xiàn)

2 月 6 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)近期表現(xiàn)各異。 DRAM 方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)后依然疲軟，導(dǎo)致 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格下跌；而 NAND 閃存市場(chǎng)交易低迷，供應(yīng)商減產(chǎn)的效果尚未在市場(chǎng)端顯現(xiàn)。 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：需求疲軟，DDR4 價(jià)格持續(xù)下滑 春節(jié)假期后，消費(fèi)者對(duì) DRAM 的需求依然低迷，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)低位徘徊。不過，由于部分買家的特殊需求，DDR5 產(chǎn)品出現(xiàn)了臨時(shí)價(jià)格上漲。IT之家附上相關(guān)圖片如下：

發(fā)表于：2025/2/6

西湖大學(xué)新研究助太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)23.4%

2月5日，據(jù)報(bào)道，西湖大學(xué)王睿團(tuán)隊(duì)在柔性疊層太陽電池領(lǐng)域取得突破，成功將鈣鈦礦與銅銦鎵硒材料疊合，使光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.4%。

發(fā)表于：2025/2/6