工業(yè)自動化最新文章 Intel拋售全部Arm持股籌集約1.47億美元 Intel拋售全部Arm持股！籌集約1.47億美元 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士將轉向4F2結構的3D DRAM 為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉向“4F2”結構的3D DRAM 發(fā)表于：8/14/2024 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士DDR5被曝漲價15~20% 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。 今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲。 發(fā)表于：8/14/2024 HBM帶動三大內存原廠均躋身2024Q1半導體IDM企業(yè)營收前四 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。 發(fā)表于：8/14/2024 寧德時代全固態(tài)電池2027年有望小批量生產 寧德時代：全固態(tài)電池技術我們行業(yè)領先 2027年有望小批量生產 發(fā)表于：8/14/2024 英飛凌推出PSOC? Control MCU系列 【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉換系統(tǒng)應用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產品、工業(yè)驅動器，以及照明和計算/通信電源等。 發(fā)表于：8/13/2024 復旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝 8 月 13 日消息，據(jù)復旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將速度提升一千倍以上，實現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現(xiàn)規(guī)模集成、走向實際應用極具挑戰(zhàn)。 從界面工程出發(fā)，復旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發(fā)表于：8/13/2024 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 發(fā)表于：8/13/2024 傳臺積電將在高雄建設1.4nm晶圓廠 因應全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術設廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術生產土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。 針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調表示不回應市場傳言。 發(fā)表于：8/13/2024 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產。 發(fā)表于：8/13/2024 美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。 發(fā)表于：8/13/2024 武漢光谷實驗室研發(fā)量子點光刻膠 8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發(fā)出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業(yè)領先水平。 發(fā)表于：8/13/2024 日本研究團隊提出EUV光刻新方案 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！ 發(fā)表于：8/13/2024 英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板 英國牛津大學推出柔性多結太陽能電池板，轉換效率有望達到45% 發(fā)表于：8/13/2024 ?…100101102103104105106107108109…?
