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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2025-02-20
來源:芯智訊
關鍵詞: 三星 DRAM 18nm 半導體

2月19日,韓國首爾中央地方法院第25刑事部(主審法官池貴淵)以違反《防止信息泄漏及保護產業(yè)技術相關法律》為由,對因涉嫌向中國企業(yè)泄露韓國核心半導體技術的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑。

曾任三星電子部長金某,被指控在 2016 年跳槽至中國新成立的半導體公司時,泄露了三星電子 18nm DRAM 相關的半導體工藝的信息,并將其用于產品開發(fā);方某曾擔任三星電子旗下半導體設備供應商A公司的團隊負責人,被指控與金某等人合謀將該公司尖端技術——半導體沉積設備的設計技術數據竊取給該中國公司。

法院認定檢方對于被告的大多數指控成立,稱“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數據,并將其用于為一家中國公司制造芯片”、“金某泄露了三星電子的技術數據并加以利用”。

法院在解釋量刑理由時還表示,“這是妨礙相關領域良好競爭和貿易秩序的嚴重犯罪,對韓國國家產業(yè)競爭力造成重大負面影響。……考慮到中國競爭對手已經從開發(fā)階段進入量產階段,不難預測三星電子的損失將達到巨大數額?!?/p>


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