工業(yè)自動(dòng)化最新文章 Intel 18A两大核心关键制程技术解析 半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。 年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。 那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。 發(fā)表于：2025/3/24 苹果中国供应商闻泰科技全面退出ODM市场 3月23日消息，近日，苹果中国供应商闻泰科技宣布，将旗下五家子公司出售给立讯精密，全面退出ODM市场。 2025年3月20日，闻泰科技披露重大资产出售预案显示，公司拟以现金交易的方式向立讯精密及立讯通讯（上海）有限公司转让公司下属的昆明闻讯、黄石闻泰、昆明闻耀、深圳闻泰、香港闻泰（含印尼闻泰）的100%股权，下属公司无锡闻泰、无锡闻讯、印度闻泰的业务资产包，本次交易预计构成重大资产重组。 發(fā)表于：2025/3/24 九峰山实验室氮化镓材料制备领域新突破 3月24日消息，据报道，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。 这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术垄断，更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的技术支持，将推动下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术的快速发展。 氮化镓晶体结构的极性方向对器件性能和应用具有决定性影响，主要分为氮极性氮化镓和镓极性氮化镓两种极化类型。 發(fā)表于：2025/3/24 IDC：2025年全球半导体市场将同比增长15.9% 3月21日消息，据市场研究机构IDC最新预测显示，2025年全球半导体市场同比增长率将达15.9%，虽然相比去年20%增长率略有放缓，但仍维持了健康发展。 發(fā)表于：2025/3/21 浙江大学研发出微米和纳米钙钛矿LED 浙江大学研发出微米和纳米钙钛矿 LED，为迄今为止已公开最小 LED 像素 發(fā)表于：2025/3/21 下一代HBM4和HBM4E内存冲击单颗64GB 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。 發(fā)表于：2025/3/21 测试与测量专家——品英Pickering2024年度总结 作为电子测试与验证领域中模块化信号开关和仿真解决方案的领先供应商，Pickering公司满怀感激地回顾了过去12个月所取得的成就，并对2025年充满期待。尽管2024年的全球经济环境充满挑战，但Pickering通过不断推出新产品并强化全球客户支持，依然实现了稳定的收入增长，并在测试与测量市场中赢得了宝贵的份额。 發(fā)表于：2025/3/21 博通对HBM需求暴增推动SK海力士M15X晶圆厂提前装机 3月20日消息，据韩国韩媒The Elec报道，由于来自客户（特别是博通）的高带宽內存（HBM）订单量暴增，SK海力士正计划提前两个月在全新的M15X晶圆厂导入设备，从而快速提升产能。同时，原计划为每月3.2万片晶圆的产能，现在可能计划增加到接近翻倍，不过新的产能目标将于下个月才能最终确定。 發(fā)表于：2025/3/21 黄仁勋否认有意参与收购英特尔代工业务 黄仁勋否认有意参与收购英特尔代工业务 發(fā)表于：2025/3/20 台积电称董事会从未讨论过收购英特尔晶圆厂 3月19日，针对近期传闻的台积电将联合英伟达、AMD和博通入股英特尔晶圆代工业务并负责运营的传闻，台积电董事刘镜清正式回应称，台积电董事会从来没有讨论过这个议题。 發(fā)表于：2025/3/20 软银宣布65亿美元全现金收购美国芯片设计公司Ampere 软银宣布65亿美元全现金收购美国芯片设计公司Ampere 發(fā)表于：2025/3/20 我国科学家攻克超低温量子接口技术 我国科学家攻克超低温量子接口技术：首提无需修调的超低温低功耗 CMOS 电压基准，成果登顶刊 JSSC 發(fā)表于：2025/3/20 西门子计划全球裁员6000人 德国西门子计划全球裁员6000人：数字化部门受重创 發(fā)表于：2025/3/20 新思科技通过英伟达Blackwell平台将芯片设计加速30倍 新思科技通过英伟达Blackwell平台将芯片设计加速30倍 發(fā)表于：2025/3/20 基于碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路设计 针对碳化硅MOSFET驱动电路设计难度较大、门极易受串扰、保护功能不齐全以及全国产化的问题，基于国产芯片设计了一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。重点分析总结了碳化硅MOSFET有源米勒钳位保护、退饱和保护以及桥臂互锁保护原理与模型。在隔离原边信号与副边信号的同时，采用18 V/-3.3 V的高低电平，实现对上、下桥臂碳化硅MOSFET的控制，同时集成了欠压锁定、退饱和保护、桥臂互锁、有源米勒钳位保护的功能。与国际先进水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驱动板CGD1200HB2P-BM2进行了参数对比和功能测试。实验结果表明，该电路开关参数与CGD1200HB2P-BM2驱动板相近，满足碳化硅MOSFET驱动需求，并能可靠触发保护功能。电路已实际应用于碳化硅MOSFET的驱动中。 發(fā)表于：2025/3/19 <…96979899100101102103104105…>
