6 月 20 日消息，據(jù)日經(jīng)亞洲報道，美光正在全球多個生產(chǎn)基地擴(kuò)建或計劃擴(kuò)建 HBM 內(nèi)存產(chǎn)線，在 AI 熱潮中從處理器廠商手中拿下更多利潤豐厚的訂單。

美光表示，其目標(biāo)是到 2025 年將在 HBM 領(lǐng)域市場的市場份額快速提升至約 20%，看齊其在 DRAM 行業(yè)整體營收中的份額。

作為參考，根據(jù)分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今年 3 月份的數(shù)據(jù)，美光去年 HBM 內(nèi)存晶圓的產(chǎn)能僅占到市場整體的約 3%。

美光目前最大的 HBM 內(nèi)存生產(chǎn)基地位于臺灣地區(qū)臺中市，其正在臺中廠區(qū)增加產(chǎn)能。

消息人士透露，美光目前正在其位于美國愛達(dá)荷州博伊西的總部擴(kuò)建與 HBM 相關(guān)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)施，包括技術(shù)驗(yàn)證產(chǎn)線和量產(chǎn)線。

此外，美光還考慮首次在馬來西亞建設(shè) HBM 生產(chǎn)能力。美光目前在馬來西亞建設(shè)有芯片測試和組裝設(shè)施，可能的產(chǎn)能建設(shè)預(yù)計也將集中在后端工藝部分。

摩根士丹利的數(shù)據(jù)顯示，AI 計算芯片巨頭英偉達(dá)同樣是 HBM 內(nèi)存的最大買家，今年將購入全球 HBM 產(chǎn)能的約 48%。

美光已于今年 2 月宣布其 8Hi 24GB HBM3E 內(nèi)存進(jìn)入量產(chǎn)階段，向英偉達(dá) H200 芯片供貨。美光宣稱該內(nèi)存功耗相對競品降低了 30%，有助于降低數(shù)據(jù)中心運(yùn)營成本。