頭條 模擬芯片大廠ADI宣布全系產(chǎn)品漲價 12月18日消息，模擬芯片大廠亞德諾半導(dǎo)體（ADI）近日向客戶發(fā)出漲價通知，計劃于2026年2月1日起對全系列產(chǎn)品進(jìn)行漲價。 而根據(jù)業(yè)內(nèi)消息顯示，ADI此次漲價將會針對不同客戶層級及料號推出差異化調(diào)價方案，整體的漲價幅度約為15%。其中，近千款軍規(guī)級MPNs產(chǎn)品（后綴/883）漲幅或高達(dá)30%，具體執(zhí)行細(xì)則正處于最終敲定階段。 最新資訊 AMD：無法兼容Intel Wi-Fi 7網(wǎng)卡 Intel 近日發(fā)布了新版 Wi-Fi 7 無線網(wǎng)卡驅(qū)動，增加新功能，修復(fù)已知 Bug，但遺憾的是，依然和 AMD 系統(tǒng)不對付。 新驅(qū)動在 Windows 10/11 64 位下版本號為 23.30.0，Windows 10 32 位下版本號為 22.160.0。 發(fā)表于：2024/3/4 三星SDI敲定匈牙利第三工廠計劃 據(jù) TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計劃。三星 SDI 正在擴(kuò)建現(xiàn)有的匈牙利第二工廠，預(yù)計將在 9 月竣工。 消息人士稱，該公司預(yù)計今年將在整體設(shè)施擴(kuò)建上花費超過 6 萬億韓元（當(dāng)前約 324 億元人民幣），其中超過 1 萬億韓元（當(dāng)前約 54 億元人民幣）將用于建設(shè)第三工廠。據(jù)稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。 發(fā)表于：2024/3/4 多通道優(yōu)先級放大器的設(shè)計與應(yīng)用 圖1所示的模擬優(yōu)先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進(jìn)行設(shè)計，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級通道的電壓。該放大器的另一個應(yīng)用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對多個輸入命令中優(yōu)先級最高的一個作出響應(yīng)。 發(fā)表于：2024/3/1 貿(mào)澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書 2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 技術(shù)與設(shè)備相關(guān)應(yīng)用的討論。 發(fā)表于：2024/2/29 全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線” 助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實現(xiàn)？ 全球首款可自動切換網(wǎng)絡(luò)的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備掉線！ 發(fā)表于：2024/2/29 消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好 據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來制程節(jié)點。 傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。 BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。 發(fā)表于：2024/2/29 美光推出緊湊封裝型UFS 4.0 美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內(nèi)存基于先進(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)， 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達(dá) 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗。 發(fā)表于：2024/2/29 淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效 淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效 發(fā)表于：2024/2/28 TI裁掉低端電源芯片研發(fā)團(tuán)隊 據(jù)“芯視點”可靠消息，TI于最近裁掉了其其位于北京的一個芯片設(shè)計團(tuán)隊。據(jù)了解，TI這個北京團(tuán)隊主要負(fù)責(zé)較為低端的電源芯片研發(fā)，團(tuán)隊人數(shù)約為50人左右。 知情人士表示，TI這個裁員一方面可能受到整個消費端市場需求不振的影響；另一方面，國內(nèi)包括電源芯片在內(nèi)的內(nèi)卷，也推動TI做出了這樣的決定；此外，當(dāng)前中美關(guān)系的影響，讓TI最終走上了這樣一條道路。 發(fā)表于：2024/2/28 三星開發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲芯片 三星2月27日宣布開發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片，這也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品，達(dá)36GB，帶寬高達(dá)1280GB/s。與8層堆疊HBM3產(chǎn)品相比，這款新品在容量、帶寬方面都提高了50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練、推理速度。 發(fā)表于：2024/2/28 ?…238239240241242243244245246247…?
