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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。

基于JTAG的高效調(diào)試系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)

為了給自研處理器芯片提供一種高效方便的調(diào)試方法，提出了一種基于JTAG的片內(nèi)調(diào)試系統(tǒng)設(shè)計方法。該調(diào)試系統(tǒng)在遵循JTAG標準協(xié)議的基礎(chǔ)上，簡化片內(nèi)調(diào)試硬件模式設(shè)計，以較少的硬件開銷和精簡高效的專用調(diào)試指令設(shè)計，不僅實現(xiàn)了調(diào)試中斷、指令/數(shù)據(jù)斷點設(shè)置、單步執(zhí)行及寄存器/存儲器數(shù)據(jù)讀寫等基本調(diào)試功能，還支持現(xiàn)場保護與恢復(fù)、Trace Buffer、指令插入執(zhí)行等高級調(diào)試功能。經(jīng)實際芯片測試證明，該調(diào)試系統(tǒng)具有兼容JTAG協(xié)議、功能全面、靈活高效、結(jié)構(gòu)簡單、便于操作等特點。

發(fā)表于：5/8/2023

國產(chǎn)PLC發(fā)展現(xiàn)狀及展望

綜述了國內(nèi)PLC的發(fā)展歷史，介紹了國內(nèi)PLC市場現(xiàn)狀、主流國產(chǎn)PLC、PLC標準以及相關(guān)國家政策，分別從功能性能、邏輯編程軟件、網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、產(chǎn)品譜系以及標準化等方面分析了國內(nèi)外PLC的差距。針對存在的差距，結(jié)合歐系、美系和日系PLC的特點，提出了一種中國系PLC的發(fā)展思路，瞄準國防軍工、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施等行業(yè)需求，通過重大項目和重點領(lǐng)域的帶動，基于國產(chǎn)自主軟硬件生態(tài)開展國產(chǎn)PLC研制和應(yīng)用推廣工作。

發(fā)表于：5/8/2023

邏輯芯片，未來15年的路線圖

本文是2022年更新的IRDS路線圖，以幫助大家了解芯片產(chǎn)業(yè)當前面臨的挑戰(zhàn)和未來發(fā)展方向。

發(fā)表于：5/5/2023

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品 2023年4月27日——上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/27/2023

AI+EDA，提升芯片驗證覆蓋率的利器

現(xiàn)代芯片發(fā)展的方向是什么？這是一個很大的問題，可以從多個角度去回答。如果從應(yīng)用端去而言，那就是數(shù)智化，囊括了大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、AI、5G及自動駕駛等創(chuàng)新方向。數(shù)智化芯片有兩大明顯的特征，功能更復(fù)雜以及對安全性要求更高，這就對芯片驗證提出了更大的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：4/19/2023

獨立式有源 EMI 濾波器 IC 如何縮小共模濾波器尺寸

　　功率密度是汽車車載充電器和服務(wù)器電源等高度受限系統(tǒng)環(huán)境中的主要指標。務(wù)必要減小電磁干擾（EMI）濾波器元件的體積，從而確保解決方案能夠滿足嚴苛的外形尺寸要求。

發(fā)表于：4/4/2023

康耐視為全新DataMan 280系列讀碼器增添功能強大的光源選項以改進DPM碼讀取

作為全球工業(yè)機器視覺領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者之一，康耐視公司（納斯達克：CGNX）發(fā)布了全新的DataMan®282固定式讀碼器，此讀碼器配備康耐視的高功率集成式火炬形光源（HPIT）和圓頂照明附件選項。這些照明組件可優(yōu)化照明對比度，并顯著減少眩光和背景干擾，從而增強此讀碼器讀取直接部件標識（DPM碼）的功能。 DPM碼通?？逃≡谇婊蚬鉂山饘俦砻嫔希珉妱悠嚕‥V）部件、消費電子產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備，非常難以讀取。這些棘手表面導(dǎo)致讀碼器接收到太多眩光，無法充分照亮組件，或者代碼被遮擋。

發(fā)表于：4/3/2023

基于服務(wù)架構(gòu)的OpenFOAM求解客戶端設(shè)計

針對OpenFOAM解算軟件缺乏GUI功能用戶交互體驗性差問題，研究設(shè)計了一個OpenFOAM求解客戶端軟件。設(shè)計了基于服務(wù)的“云+端”計算架構(gòu)，設(shè)計開發(fā)了一個OpenFOAM求解器服務(wù)，GUI客戶端遠程調(diào)用訪問求解器服務(wù)，并集成可視化服務(wù)實現(xiàn)了數(shù)據(jù)可視化分析功能，實現(xiàn)了云端協(xié)同的求解計算功能；研究設(shè)計了基于界面模板的動態(tài)GUI界面生成方法，實現(xiàn)了客戶端軟件界面用戶自定義配置功能。該軟件支持基于服務(wù)的功能擴展集成，支持用戶界面自定義、求解器用戶設(shè)置界面自定義功能，用戶界面友好，可擴展性強。通過實際的算例進行解算，驗證表明了客戶端軟件能夠通過遠程調(diào)用云端求解服務(wù)、可視化服務(wù)實現(xiàn)完整的求解計算流程。

發(fā)表于：3/29/2023

一種片外電容交叉充放電型振蕩電路設(shè)計

CMOS環(huán)形振蕩器具有版圖面積小、調(diào)諧范圍大、電路簡單便于集成等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于各類電源系統(tǒng)及電子通信應(yīng)用中。在常規(guī)的環(huán)形振蕩電路基礎(chǔ)上，設(shè)計了獨立的充放電控制通路，實現(xiàn)了一種交叉充放電型環(huán)形振蕩電路，并通過外接片外電容的方式，得到更低頻率的振蕩周期?；?.18 μm工藝，采用HSIM工具對電路進行功能仿真，經(jīng)過后端物理實現(xiàn)后，版圖面積為172 μm×76 μm，對電路進行提參后仿，結(jié)果表明：在3.3 V電壓及25 ℃條件下，外接10 nF接地電容時，電路獲得約1.2 ms的穩(wěn)定振蕩周期。在Vcc=2.7 V~5.5 V、T=-55 ℃~125 ℃條件下，時鐘周期的最大偏移為5.83%。該電路已成功應(yīng)用于某電源控制芯片中。

發(fā)表于：3/29/2023

基于PCIE轉(zhuǎn)SATA多通道高速存儲電路設(shè)計與原型驗證

針對傳統(tǒng)SATA控制器接口單一且無法充分發(fā)揮固態(tài)盤性能的問題，設(shè)計了一款基于PCIE轉(zhuǎn)SATA多通道高速存儲電路。充分利用PCIE總線高帶寬低延時特性，并遵循AHCI協(xié)議，大幅縮短硬盤無用的尋道次數(shù)和數(shù)據(jù)查找時間，提高固態(tài)盤的讀寫性能，同時本設(shè)計可支持4路SATA通道，具有良好的可拓展性。設(shè)計結(jié)合PCIE和SATA協(xié)議特點，介紹了PCIE轉(zhuǎn)SATA高速存儲電路的系統(tǒng)架構(gòu)，詳細闡述了基于AHCI協(xié)議的數(shù)據(jù)流傳輸過程。最后基于FPGA原型驗證對電路進行測試，電路的單盤讀寫速率分別為562 MB/s和527 MB /s，相比傳統(tǒng)SATA控制器的讀寫性能具有較大提升，測試結(jié)果表明設(shè)計的PCIE轉(zhuǎn)SATA高速存儲電路讀寫性能優(yōu)異，且具備良好的穩(wěn)定性和可拓展性。

發(fā)表于：3/29/2023