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英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！

早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會(huì)上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時(shí)的預(yù)計(jì)，2024年英偉達(dá)將交付10億個(gè)內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。在此次RISC-V中國峰會(huì)上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會(huì)成員和技術(shù)委員會(huì)代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個(gè)IP中，每年出貨量超過10億個(gè)RISC-V MCU。

第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)將于2023年11月5-10日在上海舉辦

品英Pickering將于2023年11月5日到10日參展第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)（CIIE）。Pickering展臺(tái)位于技術(shù)裝備展區(qū)，上海國家會(huì)展中心4.1號(hào)館B0-02號(hào)。會(huì)上將展示集團(tuán)旗下三家公司：高性能舌簧繼電器制造商Pickering Electronics、開關(guān)和仿真產(chǎn)品制造商Pickering Interfaces，以及連接產(chǎn)品制造商Pickering Connect的眾多先進(jìn)產(chǎn)品。

發(fā)表于：10/24/2023

新思科技提供跨臺(tái)積公司先進(jìn)工藝的參考流程

? 新思科技AI驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)解決方案可實(shí)現(xiàn)電路優(yōu)化，在提高設(shè)計(jì)質(zhì)量的同時(shí)，節(jié)省數(shù)周的手動(dòng)迭代時(shí)間。 ? 新思科技可互操作工藝設(shè)計(jì)套件（iPDK）適用于臺(tái)積公司所有FinFET先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，助力開發(fā)者快速上手模擬設(shè)計(jì)。 ? 新思科技攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設(shè)計(jì)參考流程，能夠?yàn)楝F(xiàn)代射頻集成電路設(shè)計(jì)提供完整解決方案。

發(fā)表于：10/24/2023

H.265/HEVC熵解碼的分組并行流水線實(shí)現(xiàn)

針對(duì)高效視頻編碼（H.265/HEVC）中CABAC熵解碼模塊的高資源消耗和數(shù)據(jù)依賴性，設(shè)計(jì)了一種多路并行的高效FPGA實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。根據(jù)不同類型語法元素特性，采用分組并行數(shù)據(jù)調(diào)度方法，減少數(shù)據(jù)處理等待時(shí)間和內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問次數(shù)，同時(shí)利用流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)運(yùn)算加速。評(píng)估驗(yàn)證結(jié)果表明，熵解碼模塊吞吐量可以達(dá)到1.64位元/時(shí)鐘周期，滿足當(dāng)下超高清視頻實(shí)時(shí)解碼的要求。

發(fā)表于：10/23/2023

新思科技攜手臺(tái)積公司加速2nm工藝創(chuàng)新，為先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)提供經(jīng)認(rèn)證的數(shù)字和模擬設(shè)計(jì)流程

? 新思科技經(jīng)認(rèn)證的數(shù)字和模擬設(shè)計(jì)流程可提高高性能計(jì)算、移動(dòng)和AI芯片的產(chǎn)品質(zhì)量。 ? Synopsys.ai? EDA解決方案中的模擬設(shè)計(jì)遷移流程可實(shí)現(xiàn)臺(tái)積公司跨工藝節(jié)點(diǎn)的快速設(shè)計(jì)遷移。 ? 新思科技接口IP和基礎(chǔ)IP的廣泛產(chǎn)品組合正在開發(fā)中，將助力縮短設(shè)計(jì)周期并降低集成風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)表于：10/19/2023

重磅！美國同意三星和SK海力士向中國工廠無限期提供芯片設(shè)備

據(jù)央視新聞，北京時(shí)間10月9日下午：韓國總統(tǒng)辦公室宣布，美國政府已同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，而且無限期豁免、無需其它許可。

發(fā)表于：10/10/2023

2023年中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)呈現(xiàn)哪些變化？未來走向如何？權(quán)威報(bào)告即將在ICCAD上隆重發(fā)布

11月10-11日，中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2023年會(huì)暨廣州集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇（第29屆ICCAD設(shè)計(jì)年會(huì)）即將在廣州保利世貿(mào)博覽館召開。

發(fā)表于：10/10/2023

一種基于SiP技術(shù)的高性能信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)

系統(tǒng)級(jí)封裝（System in a Package，SiP）已成為后摩爾時(shí)代縮小電子器件體積、提高集成度的重要技術(shù)路線，是未來電子設(shè)備多功能化和小型化的重要依托。針對(duì)信號(hào)處理系統(tǒng)小型化、高性能的要求，采用SiP技術(shù)設(shè)計(jì)了一種高性能信號(hào)處理電路。該SiP電路集成了多種裸芯，包括DSP、NOR Flash、DDR3和千兆網(wǎng)PHY芯片，實(shí)現(xiàn)了一種通用的信號(hào)處理核心模塊的小型化，相比于傳統(tǒng)板級(jí)電路在同樣的功能和性能的條件下，該SiP電路的體積和重量更小。

發(fā)表于：9/22/2023

C波段高效率內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)*

闡述了一款內(nèi)匹配功率放大器的設(shè)計(jì)過程和測(cè)試結(jié)果。該放大器工作在5~5.8 GHz，采用氮化鎵HEMT工藝，在28 V漏極供電電壓下實(shí)現(xiàn)了48 dBm輸出功率和55%功率附加效率。同時(shí)，該內(nèi)匹配放大器將柵極和漏極偏置電路設(shè)計(jì)在芯片內(nèi)部，無需在外部設(shè)計(jì)偏置電路，在保證功放性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化。該設(shè)計(jì)充分體現(xiàn)了GaN內(nèi)匹配電路的高功率、高效率、小型化的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：9/22/2023

一種基于CLASS-AB類運(yùn)放的無片外電容LDO設(shè)計(jì)*

介紹了一種基于CLASS-AB類運(yùn)放無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。電路在高擺率誤差放大器（EA）的基礎(chǔ)上，通過構(gòu)建動(dòng)態(tài)偏置電路反饋到EA內(nèi)部動(dòng)態(tài)偏置管，大幅改善了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)能力，且動(dòng)態(tài)偏置電路引入的左半平面零點(diǎn)保證了LDO的環(huán)路穩(wěn)定性。同時(shí)，EA采用過沖檢測(cè)電路減小了輸出過沖，縮短了環(huán)路穩(wěn)定時(shí)間。電路基于65 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)和仿真。仿真結(jié)果表明，在負(fù)載電流10 μA~50 mA、輸出電容0~50 pF條件下，LDO輸出穩(wěn)定無振蕩。在LDO輸入2.5 V、輸出1.2 V、無片外電容條件下，控制負(fù)載在10 μA和50 mA間跳變，LDO輸出恢復(fù)時(shí)間為0.7 μs和0.8 μs，下沖和上沖電壓為58 mV和15 mV。

發(fā)表于：9/22/2023

杰華特如何全方位打造高性能模擬芯片

杰華特如何全方位打造高性能模擬芯片杰華特微電子受邀出席第五屆中國模擬半導(dǎo)體大會(huì)，并發(fā)表題為“全要素打造高性能模擬芯片”的演講自成立以來，杰華特始終致力于提供高集成度、高性能與高可靠性的電源管理等芯片產(chǎn)品，為客戶提供一站式采購服務(wù)。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合、廣泛的市場(chǎng)布局以及嚴(yán)格的質(zhì)量管控。目前，產(chǎn)品涵蓋DC-DC、AC-DC、線性電源、電池管理、信號(hào)鏈等產(chǎn)品線；應(yīng)用范圍涉及汽車電子、新能源、計(jì)算與通訊、工業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域，并已獲得眾多頭部客戶資源及認(rèn)可。

發(fā)表于：9/22/2023