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鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)合自熱效應(yīng)的電遷移分析[電源技術(shù)][其他]

在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)工藝相對(duì)于平面技術(shù)提供了在功耗、性能與面積上的優(yōu)勢(shì)。但相對(duì)地，F(xiàn)inFET也會(huì)引起局部晶體管電流密度的驟增的問(wèn)題，這也意味著信號(hào)線和電源地網(wǎng)絡(luò)的金屬電遷移可靠性會(huì)受到更大的沖擊。隨著FinFET的熱分布對(duì)互聯(lián)金屬線的溫度影響上升，電遷移失效概率上升的次級(jí)效應(yīng)也由之產(chǎn)生。如今，熱效應(yīng)的影響已經(jīng)成為了廣大設(shè)計(jì)公司不得不考慮的因素之一，在生產(chǎn)商的引導(dǎo)之下，Cadence Voltus提供了針對(duì)熱效應(yīng)帶來(lái)影響的精準(zhǔn)、強(qiáng)大并且靈活的解決方案?；诖它c(diǎn)對(duì)高平均翻轉(zhuǎn)率的芯片進(jìn)行熱效應(yīng)影響的檢查與分析，并且對(duì)電源的結(jié)構(gòu)規(guī)劃和設(shè)計(jì)的物理實(shí)現(xiàn)進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)表于：8/12/2019 10:06:00 AM

基于Innovus提升芯片性能的物理實(shí)現(xiàn)方法[模擬設(shè)計(jì)][其他]

對(duì)于規(guī)模日益增大，工作頻率不斷增加的高性能芯片設(shè)計(jì)，性能一直是物理設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。緩沖器的插入是為了最小化信號(hào)線延時(shí)，進(jìn)而優(yōu)化時(shí)序，提升性能。描述了使用Cadence Innovus工具建立物理設(shè)計(jì)流程，減少各步驟間的偏差。同時(shí)在此流程的基礎(chǔ)上提出二次布局優(yōu)化方法，在16 nm下，通過(guò)一個(gè)高性能芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證了該流程與方法，實(shí)例結(jié)果表明，設(shè)計(jì)性能得到很大改善，其中時(shí)序優(yōu)化達(dá)85.07%，該流程及方法可有效提升高性能芯片性能。

發(fā)表于：8/12/2019 9:49:00 AM

基于深度學(xué)習(xí)的人臉活體檢測(cè)算法[嵌入式技術(shù)][其他]

身份認(rèn)證技術(shù)有了很大的發(fā)展，隨之不斷出現(xiàn)的是各種偽造合法用戶信息的欺詐手段。針對(duì)這一問(wèn)題，提出一種基于深度學(xué)習(xí)人臉活體檢測(cè)算法，分析了真實(shí)人臉和欺詐人臉之間的區(qū)別，將真實(shí)人臉和照片進(jìn)行數(shù)據(jù)去中心化、zca白化去噪聲、隨機(jī)旋轉(zhuǎn)等處理；同時(shí)，利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)照片的面部特征進(jìn)行提取，提取出來(lái)的特征送入神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練、分類。算法在公開的數(shù)據(jù)庫(kù)NUAA上進(jìn)行了驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該方法降低了計(jì)算的復(fù)雜度，提高了識(shí)別準(zhǔn)確率。

發(fā)表于：8/2/2019 3:05:00 PM

基于FPGA的深度學(xué)習(xí)目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[可編程邏輯][其他]

針對(duì)當(dāng)前深度學(xué)習(xí)目標(biāo)檢測(cè)算法計(jì)算復(fù)雜度高和內(nèi)存需求大等問(wèn)題，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種基于FPGA的深度學(xué)習(xí)目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)。設(shè)計(jì)對(duì)應(yīng)YOLOv2-Tiny目標(biāo)檢測(cè)算法的硬件加速器，對(duì)加速器各模塊的處理時(shí)延建模，給出卷積計(jì)算模塊的詳細(xì)設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，與CPU相比，CPU+FPGA的異構(gòu)系統(tǒng)是雙核ARM-A9能效的67.5倍，Xeon的94.6倍；速度是雙核ARM-A9的84.4倍，Xeon的5.5倍左右。并且，當(dāng)前設(shè)計(jì)在性能上超過(guò)之前的工作。

發(fā)表于：8/2/2019 2:52:00 PM

一種改進(jìn)的RefineDet多尺度人臉檢測(cè)方法[可編程邏輯][安防電子]

針對(duì)車站、商場(chǎng)等大型場(chǎng)所中客流量大、背景復(fù)雜等原因?qū)е露喑叨热四槞z測(cè)精度低的問(wèn)題，建立了一種基于RefineDet多層特征圖融合的多尺度人臉檢測(cè)方法。首先利用第一級(jí)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行特征提取并在不同尺度的特征圖上粗略預(yù)估人臉位置；然后在第二級(jí)中通過(guò)特征金字塔網(wǎng)絡(luò)將低層特征與高層特征融合，進(jìn)一步增強(qiáng)小尺寸人臉的語(yǔ)義信息；最后，通過(guò)置信度和焦點(diǎn)損失函數(shù)對(duì)檢測(cè)框進(jìn)行二次抑制，達(dá)到邊框的精確回歸。實(shí)驗(yàn)中將人臉候選區(qū)域的寬高比只設(shè)置為1:1，以此來(lái)降低運(yùn)算量并提高人臉檢測(cè)精度。在Wider Face數(shù)據(jù)集上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法能有效檢測(cè)不同尺度的人臉，在Easy、Medium、Hard 3個(gè)子數(shù)據(jù)集上測(cè)試結(jié)果分別為93.4%、92%、84.4%的MAP，尤其對(duì)小尺寸人臉的檢測(cè)精度有明顯提高。

發(fā)表于：8/1/2019 1:47:00 PM

基于MOCVD生長(zhǎng)材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管[微波|射頻][工業(yè)自動(dòng)化]

為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設(shè)計(jì)了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結(jié)構(gòu)，在國(guó)內(nèi)首次采用MOCVD設(shè)備在半絕緣InP單晶片上生長(zhǎng)了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術(shù)，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測(cè)試了器件的電學(xué)特性：峰值電流密度＞400 kA/cm2，峰谷電流比(PVCR)＞2.4。

發(fā)表于：8/1/2019 1:40:00 PM

基于VO2相變特性的THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控研究進(jìn)展[微波|射頻][工業(yè)自動(dòng)化]

太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學(xué)向電子學(xué)的過(guò)渡區(qū)域，在高速寬帶通信、雷達(dá)、成像等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。但目前用于THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術(shù)的發(fā)展。VO2具有獨(dú)特的金屬—絕緣體相變特性，相變過(guò)程可以應(yīng)用于動(dòng)態(tài)調(diào)控THz波傳輸。探索超材料與VO2結(jié)合以制備高效、動(dòng)態(tài)、靈活的太赫茲功能器件也是近來(lái)的研究熱點(diǎn)。簡(jiǎn)述了VO2的相變特性，并分析了微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分等因素對(duì)相變特性的影響；系統(tǒng)回顧了VO2薄膜相變過(guò)程中的THz波調(diào)控性能研究進(jìn)展，總結(jié)了VO2與超材料不同結(jié)合方式在THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控方面的應(yīng)用；并對(duì)基于VO2相變特性的THz波調(diào)控功能器件發(fā)展前景與挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：7/31/2019 2:18:00 PM

太赫茲固態(tài)放大器研究進(jìn)展[微波|射頻][工業(yè)自動(dòng)化]

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶體管特征頻率不斷提高，已經(jīng)進(jìn)入到太赫茲（THz）頻段，使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號(hào)進(jìn)行放大，在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進(jìn)展。

發(fā)表于：7/31/2019 1:52:00 PM

車路協(xié)同的云管邊端架構(gòu)及服務(wù)研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

對(duì)智能交通業(yè)務(wù)的發(fā)展趨勢(shì)、車路協(xié)同技術(shù)及系統(tǒng)要求以及國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹；同時(shí)重點(diǎn)闡述了智能網(wǎng)聯(lián)交通體系之車路協(xié)同云管邊端架構(gòu)方案，介紹了中心云、交通專網(wǎng)/電信網(wǎng)絡(luò)、邊緣云、車載/路側(cè)終端協(xié)同的“云-管-邊-端”統(tǒng)一架構(gòu)，同時(shí)提出了基于云管邊端架構(gòu)的車路協(xié)同多源數(shù)據(jù)融合信息服務(wù)能力開放框架，并對(duì)其具體功能要求、API調(diào)用方式進(jìn)行了詳細(xì)論述。

發(fā)表于：7/30/2019 11:50:00 AM

5G中Multi-TRP based URLLC傳輸方案設(shè)計(jì)[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

超高可靠低時(shí)延通信（URLLC）作為5G的三大應(yīng)用場(chǎng)景之一，受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。車聯(lián)網(wǎng)是URLLC的主要應(yīng)用之一，對(duì)信息傳輸?shù)目煽啃杂泻芨叩男枨?。為了增?qiáng)傳輸?shù)聂敯粜院涂煽啃?，從空分、頻分和時(shí)分的角度分別介紹了多種Multi-TRP based URLLC技術(shù)方案，對(duì)比分析了其優(yōu)缺點(diǎn)。此外，設(shè)計(jì)了一種新的動(dòng)態(tài)切換傳輸方式的信令指示方案，并對(duì)多種方案進(jìn)行了性能仿真評(píng)估。仿真結(jié)果表明，動(dòng)態(tài)切換的方式能提供顯著的性能增益。

發(fā)表于：7/30/2019 11:41:00 AM