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一種基于TLD的顧客進(jìn)店實(shí)時(shí)檢測算法[嵌入式技術(shù)][其他]

結(jié)合人臉檢測算法和跟蹤學(xué)習(xí)檢測算法（Tracking Learning Detection, TLD）完成多個(gè)人臉的檢測跟蹤，用來實(shí)現(xiàn)對(duì)汽車4S店顧客的實(shí)時(shí)進(jìn)店檢測。由于采集圖像序列幀率低，導(dǎo)致幀間人臉姿態(tài)變化大，容易出現(xiàn)目標(biāo)丟失現(xiàn)象。本文采用Kalman濾波和最鄰近數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)方法，提出一種改進(jìn)的基于TLD的顧客進(jìn)店實(shí)時(shí)檢測算法，有效改善了目標(biāo)短暫丟失現(xiàn)象，增強(qiáng)了算法的魯棒性。實(shí)驗(yàn)證明，該算法具有抵抗光線變化、小范圍形變和短暫遮擋的優(yōu)點(diǎn)，能夠解決復(fù)雜環(huán)境中的實(shí)際問題。

發(fā)表于：8/21/2016

FPGA設(shè)計(jì)寶典之提高算法速度的六大絕招[可編程邏輯][其他]

面積和速度這兩個(gè)指標(biāo)貫穿著FPGA設(shè)計(jì)的始終,是設(shè)計(jì)質(zhì)量評(píng)價(jià)的終極標(biāo)準(zhǔn)。“面積”：指一個(gè)設(shè)計(jì)所消耗的FPGA的邏輯資源數(shù)量。FPGA中的邏輯資源,也就是觸發(fā)器( FF)和查找表(LUT) ?！八俣取保菏侵冈O(shè)計(jì)結(jié)果在芯片上穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的最高頻率,這個(gè)頻率由設(shè)計(jì)的時(shí)序狀況決定。與設(shè)計(jì)滿足的時(shí)鐘周期、PAD to PAD Time、建立時(shí)間、保持時(shí)間和時(shí)鐘到輸出延時(shí)等眾多時(shí)序特征向量密切相關(guān)。

發(fā)表于：8/19/2016

基于FPGA的多節(jié)點(diǎn)1553B總線協(xié)議處理器的實(shí)現(xiàn)[可編程邏輯][物聯(lián)網(wǎng)]

研究設(shè)計(jì)了一種多節(jié)點(diǎn)的1553B總線協(xié)議處理器，可以模擬整套1553B總線系統(tǒng)，既可以作為測試設(shè)備，也可作為總線上的多個(gè)節(jié)點(diǎn)在實(shí)際應(yīng)用中使用。針對(duì)總線協(xié)議處理器邏輯與存儲(chǔ)資源占用高、難以單片實(shí)現(xiàn)的問題，提出了多核MIMD架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)思路，有效地降低了邏輯資源的使用量，使其可以在單片F(xiàn)PGA上實(shí)現(xiàn)?；谲浻布诤系睦砟?，通過自定義專用指令集增加指令并行度來提高指令執(zhí)行的效率，增強(qiáng)了系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性，使其可以在低頻時(shí)鐘下運(yùn)行，從而降低了系統(tǒng)的功耗。

發(fā)表于：8/19/2016

基于STM32的有感直流無刷電機(jī)控制器[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

設(shè)計(jì)了基于STM32處理器的有位置傳感器的直流無刷電機(jī)控制器，采用電子換相取代傳統(tǒng)有刷電機(jī)的電刷換相，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)有刷電機(jī)壽命短、發(fā)熱嚴(yán)重問題。直流電機(jī)轉(zhuǎn)子位置信息通過霍爾傳感器檢測，根據(jù)電機(jī)換相原理，控制器輸出PWM波到智能逆變器IPM驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。移植網(wǎng)絡(luò)協(xié)議LWIP對(duì)工業(yè)現(xiàn)場電機(jī)進(jìn)行統(tǒng)一管理。

發(fā)表于：8/19/2016

一種小型履帶式排爆機(jī)器人的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)]

設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一套功能高度集成的無線遙控機(jī)器人平臺(tái)，由履帶排爆機(jī)器人和手持控制終端組成。機(jī)器人自身搭載的傳感器可以對(duì)環(huán)境狀態(tài)進(jìn)行偵測，并發(fā)送給手持終端。手持終端則遠(yuǎn)程控制機(jī)器人的動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)危險(xiǎn)爆炸物的排除和危險(xiǎn)有害環(huán)境的監(jiān)測，防止人員遭受傷害。該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)方案具有成本低、體積小、功耗低、可移植性和擴(kuò)展性強(qiáng)等特點(diǎn)。

發(fā)表于：8/19/2016

四路串行CMOS復(fù)接器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)[嵌入式技術(shù)][其他]

通信系統(tǒng)中，數(shù)字復(fù)接是提高帶寬利用率的一項(xiàng)重要技術(shù)，將多路并行低速信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楦弑忍芈实拇袛?shù)字流。首先使用Cadence軟件仿真基本門級(jí)CMOS電路，通過自下而上的FPGA設(shè)計(jì)方法和Verilog硬件描述語言，設(shè)計(jì)四路串行復(fù)接器的功能組成模塊，完成Quartus II平臺(tái)上的可綜合驗(yàn)證。最后提出了復(fù)接器CMOS集成電路的設(shè)計(jì)思路。

發(fā)表于：8/19/2016

Linux下實(shí)時(shí)文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][數(shù)據(jù)中心]

Linux下常見的十余種文件系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性都不理想。針對(duì)歸檔存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的特點(diǎn)，提出一種實(shí)時(shí)文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，并且設(shè)計(jì)了一種按照時(shí)間點(diǎn)檢索的檢索算法。文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)以減少讀寫文件時(shí)的不確定延遲為目的，主要減少寫時(shí)尋道時(shí)間，簡化索引機(jī)制，簡化空閑磁盤塊管理。

發(fā)表于：8/19/2016

基于分層隊(duì)列歷史性能建模的云系統(tǒng)資源管理[嵌入式技術(shù)][其他]

為評(píng)定企業(yè)級(jí)云系統(tǒng)在負(fù)載下的響應(yīng)處理能力，需要對(duì)其有直接影響的資源管理能力進(jìn)行評(píng)估和預(yù)測。而這種評(píng)估的有效性在對(duì)緊急資源請(qǐng)求、動(dòng)態(tài)負(fù)載變化、消費(fèi)者并行調(diào)節(jié)等協(xié)同需求因素綜合考慮的情況下將顯得更加有效。然而，目前尚沒有對(duì)這些因素進(jìn)行比較系統(tǒng)的研究報(bào)告。針對(duì)上述需求，以分層隊(duì)列和歷史建模技術(shù)為模型及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)，以大量數(shù)據(jù)實(shí)例為背景進(jìn)行了分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，以分層隊(duì)列模型及歷史性能建模為指導(dǎo)的新架構(gòu)可以達(dá)到70%的預(yù)測準(zhǔn)確度。以此為基礎(chǔ)，給出了一個(gè)基于預(yù)測模型的云負(fù)載和資源管理算法。

發(fā)表于：8/19/2016

MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/19/2016

P溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

發(fā)表于：8/19/2016

N溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

發(fā)表于：8/19/2016

利用動(dòng)態(tài)二進(jìn)制分析方法實(shí)現(xiàn)內(nèi)存自動(dòng)檢測[嵌入式技術(shù)][其他]

發(fā)表于：8/18/2016

一種實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的研究[嵌入式技術(shù)][數(shù)據(jù)中心]

為了適應(yīng)國產(chǎn)化指揮顯示控制系統(tǒng)中對(duì)大批量過程數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)快速存儲(chǔ)管理的需求，結(jié)合實(shí)時(shí)系統(tǒng)技術(shù)和數(shù)據(jù)庫技術(shù)，在自主研究設(shè)計(jì)的力數(shù)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，研究設(shè)計(jì)了適合當(dāng)前背景的內(nèi)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、磁盤歷史數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)模型，它能夠更好地滿足當(dāng)前指揮顯示系統(tǒng)的實(shí)際需求。

發(fā)表于：8/18/2016

壓縮感知在無線傳感網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用綜述[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，近些年壓縮感知技術(shù)格外引人矚目，在圖像視頻編碼、雷達(dá)及微波輻射成像、氣象衛(wèi)星、圖像加密、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的功能與發(fā)展前景。首先介紹了壓縮感知在無線傳感網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的發(fā)展及研究現(xiàn)狀，然后從壓縮感知仿真實(shí)驗(yàn)和實(shí)例、壓縮感知的測量方案、壓縮感知的解壓縮方案、壓縮感知在無線傳感網(wǎng)絡(luò)的具體應(yīng)用四個(gè)方面闡明了壓縮感知在無線傳感網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的優(yōu)勢，最后對(duì)壓縮感知的前景進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：8/18/2016

在線社交網(wǎng)絡(luò)研究概述[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

在線社交網(wǎng)絡(luò)是伴隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)發(fā)展產(chǎn)生的，它屬于眾多復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中的一種。近年來，對(duì)于在線社交網(wǎng)絡(luò)的研究不斷深入，研究方向可以細(xì)分為網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涮卣鞯姆治觥⑻摂M社區(qū)劃分算法的研究、傳播動(dòng)力學(xué)研究、網(wǎng)絡(luò)采樣與重構(gòu)、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)渥R(shí)別等。大數(shù)據(jù)研究的興起使得在線社交網(wǎng)絡(luò)的研究更加受到人們的關(guān)注。當(dāng)前，人們的日常生活幾乎離不開在線社交網(wǎng)絡(luò)，也因此每天都會(huì)有大量的用戶數(shù)據(jù)產(chǎn)生，分析、利用這些數(shù)據(jù)可以幫助人們了解自己并創(chuàng)造更多的價(jià)值。

發(fā)表于：8/18/2016