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芯片里面有幾千萬的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的？[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1. 當(dāng)前CPU上的晶體管已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是千萬級(jí)別的概念，而是數(shù)個(gè)billion。 2. 目前最先進(jìn)的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說是技術(shù)上的一個(gè)飛躍了。關(guān)于所謂的14nm，實(shí)際只能初略的反映工藝的一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，真正的溝道長(zhǎng)度要比14nm要長(zhǎng)一些。

發(fā)表于：8/16/2016

晶體管出現(xiàn)的意義[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。　　同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性：　?、倬w管的構(gòu)件是沒有消耗的。無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

發(fā)表于：8/16/2016

晶體管工作原理是什么?[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。

發(fā)表于：8/16/2016

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器)，并從中收獲諸多好處。

發(fā)表于：8/16/2016

一個(gè)小型晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

Q3是一個(gè)PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開關(guān)，與本文無關(guān)。　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓。這個(gè)電路的問題在于Q3對(duì)Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒有問題，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況。

發(fā)表于：8/16/2016

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

發(fā)表于：8/16/2016

激光技術(shù)用于可穿戴顯示器的薄膜晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)訊韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(KAIST)材料科學(xué)與工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究小組采用無機(jī)激光剝離法開發(fā)了用于柔性顯示器有源矩陣背板的超薄透明氧化物薄膜晶體管(TFT)。

發(fā)表于：8/16/2016

一種基于CP-ABE多屬性授權(quán)中心的隱私保護(hù)方案[嵌入式技術(shù)][信息安全]

針對(duì)云計(jì)算環(huán)境下用戶隱私保護(hù)的問題，提出一種基于CPABE多屬性授權(quán)中心隱私保護(hù)方案（PPMACPABE）。方案中采用多個(gè)屬性授權(quán)中心代替單一中央授權(quán)服務(wù)器，避免了由單一中央授權(quán)服務(wù)器引起的安全性問題。方案設(shè)計(jì)了一種交互式的密鑰生成算法，利用承諾方案和零知識(shí)證明的方法，實(shí)現(xiàn)了用戶密鑰獲取過程中用戶的屬性以及全局身份標(biāo)識(shí)不被泄露，安全性分析表明PPMACPABE方案能夠保護(hù)用戶隱私，并給出了方案的正確性證明。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，與DCPABE方案相比，在保護(hù)用戶隱私信息的前提下，本方案有較高的效率。

發(fā)表于：8/16/2016

基于F28M36的EtherNet/IP從站設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][其他]

分析了一種全新的工業(yè)以太網(wǎng)協(xié)議EtherNet/IP，并從源代碼的角度闡明了其基本原理?；赥I的DSP+ARM雙核芯片F(xiàn)28M36設(shè)計(jì)了一款采用以太網(wǎng)傳輸?shù)乃欧刂葡到y(tǒng)控制卡，移植了UCOSII操作系統(tǒng)、CIP協(xié)議、嵌入式TCP/IP協(xié)議和網(wǎng)絡(luò)芯片驅(qū)動(dòng)，最終實(shí)現(xiàn)了工業(yè)以太網(wǎng)協(xié)議EtherNet/IP協(xié)議的成功移植。

發(fā)表于：8/16/2016

基于Rossle混沌平均互信息特征挖掘的網(wǎng)絡(luò)攻擊檢測(cè)算法[通信與網(wǎng)絡(luò)][信息安全]

傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)攻擊檢測(cè)方法中，通常使用混沌系統(tǒng)結(jié)合高斯混合模型實(shí)現(xiàn)同步控制檢測(cè)，當(dāng)待檢測(cè)的攻擊信號(hào)具有高斯線性特征時(shí)，這種方法的檢測(cè)效果理想。隨著網(wǎng)絡(luò)攻擊信號(hào)向著非線性隨機(jī)序列方向發(fā)展，傳統(tǒng)檢測(cè)模型無法實(shí)現(xiàn)有效的攻擊檢測(cè)。提出一種基于Rossle混沌模型的平均互信息特征潛質(zhì)挖掘算法，并根據(jù)挖掘的互信息這種非線性特征解，實(shí)現(xiàn)對(duì)具有非線性隨機(jī)特性的網(wǎng)絡(luò)攻擊信號(hào)有效檢測(cè)。法進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)攻擊檢測(cè)，檢測(cè)性能明顯提高，檢測(cè)概率達(dá)到97.8%，展示了算法優(yōu)越的檢測(cè)性能和網(wǎng)絡(luò)安全防御價(jià)值。

發(fā)表于：8/16/2016

基于LCD和改進(jìn)SVM的軸承故障診斷方法[測(cè)試測(cè)量][工業(yè)自動(dòng)化]

針對(duì)滾動(dòng)軸承極易損傷，振動(dòng)信號(hào)表現(xiàn)出非線性、非平穩(wěn)性等特點(diǎn)，提出一種基于局部特征尺度分解(LCD)和改進(jìn)支持向量機(jī)(SVM)的滾動(dòng)軸承故障診斷算法。首先對(duì)采集到的軸承振動(dòng)信號(hào)進(jìn)行LCD，分解得到一系列內(nèi)稟尺度分量(ISC)，通過與經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解(EMD)對(duì)比研究，證明了LCD方法的優(yōu)越性；然后計(jì)算所有分量的能量熵值，提取出軸承信號(hào)的敏感特征集，輸入到經(jīng)過遺傳算法(GA)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)選后的SVM識(shí)別模型進(jìn)行軸承狀態(tài)的診斷識(shí)別。實(shí)驗(yàn)研究表明，基于LCD和改進(jìn)SVM的軸承診斷算法能較好地提取出軸承故障特征信息，對(duì)4種軸承狀態(tài)的識(shí)別率高達(dá)90%，是一種較為有效的軸承故障診斷方法。

發(fā)表于：8/16/2016

窄帶HPM強(qiáng)電磁環(huán)境中控制系統(tǒng)的EMC分析和設(shè)計(jì)[微波|射頻][工業(yè)自動(dòng)化]

針對(duì)窄帶高功率微波(HPM)強(qiáng)電磁環(huán)境對(duì)控制系統(tǒng)的性能影響，采用理論分析和實(shí)驗(yàn)測(cè)試等方法對(duì)電磁干擾(EMI)的干擾源和耦合途徑進(jìn)行研究，提出控制系統(tǒng)電磁兼容性的設(shè)計(jì)方法，從電磁屏蔽、濾波和接地等方面進(jìn)行分析并采取措施。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了控制系統(tǒng)在屏蔽、濾波和接地等方面采取的措施，對(duì)抑制窄帶HPM源強(qiáng)電磁環(huán)境下的電磁干擾有效可行，控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)滿足HPM源的工作要求。同時(shí)窄帶HPM控制系統(tǒng)的電磁兼容性(EMC)分析和設(shè)計(jì)也為強(qiáng)電磁環(huán)境下儀器設(shè)備防護(hù)加固提供技術(shù)支撐。

發(fā)表于：8/16/2016

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。

發(fā)表于：8/16/2016

回顧晶體管歷史歲月[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。 1953年：第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng)，即助聽器。

發(fā)表于：8/15/2016

晶體管的分類及重要性[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

電力晶體管　　電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

發(fā)表于：8/15/2016