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MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會(huì)造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì)更加明顯。尤其在電源開機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì)達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運(yùn)的是一般場效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計(jì)者并不需要增加額外的保護(hù)線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

發(fā)表于：8/17/2016

增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。

發(fā)表于：8/17/2016

電力雙極型晶體管(GTR)詳解[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。

發(fā)表于：8/17/2016

單結(jié)晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號和等效電呼如圖1所示。

發(fā)表于：8/17/2016

光敏晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優(yōu)。一、光敏二極管 1．結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與符號光敏二極管和普通二極管相比雖然都屬于單向?qū)щ姷姆蔷€性半導(dǎo)體器件，但在結(jié)構(gòu)上有其特殊的地方。光敏二極管在電路中的符號如圖Z0129 所示。光敏二極管使用時(shí)要反向接入電路中，即正極接電源負(fù)極，負(fù)極接電源正極。

發(fā)表于：8/17/2016

慣性MEMS 從提升生活品質(zhì)到拯救生命[嵌入式技術(shù)][醫(yī)療電子]

運(yùn)動(dòng)是生命中不可或缺的重要組成部分。能夠移動(dòng)的人似乎在一刻不停地運(yùn)動(dòng)著，而不能移動(dòng)的人則可能需要借助某種形式的機(jī)械助力來幫助實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)。因此，不難想象，能夠測量這種運(yùn)動(dòng)的慣性傳感器在提供有關(guān)我們自身的有用信息方面具有重大價(jià)值。如今的音頻（麥克風(fēng)）或光學(xué)（相機(jī)）傳感器就是這樣。

發(fā)表于：8/17/2016

功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏鳌崛萘啃?，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。

發(fā)表于：8/17/2016

單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。

發(fā)表于：8/17/2016

光敏二極管和光敏晶體管結(jié)構(gòu)原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?光敏二極管的結(jié)構(gòu)與一般二極管相似。它裝在透明玻璃外殼中, 其PN結(jié)裝在管的頂部, 可以直接受到光照射。光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態(tài)（見圖8-6所示）, 在沒有光照射時(shí), 反向電阻很大, 反向電流很小, 這反向電流稱為暗電流。當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí), 光子打在PN結(jié)附近, 使PN結(jié)附近產(chǎn)生光生電子和光生空穴對。它們在PN結(jié)處的內(nèi)電場作用下作定向運(yùn)動(dòng), 形成光電流。光的照度越大, 光電流越大。因此光敏二極管在不受光照射時(shí), 處于截止?fàn)顟B(tài), 受光照射時(shí), 處于導(dǎo)通狀態(tài)。

發(fā)表于：8/17/2016

絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù) 絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。

發(fā)表于：8/17/2016

程控單結(jié)晶體管(PUT)應(yīng)用及原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管，程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門控晶閘管的功能，但因它與單結(jié)晶體管的用途相近，故納入單結(jié)管之列。它與單結(jié)晶體管也有重工區(qū)別。單結(jié)管一經(jīng)制成，從外部就無法改變r(jià)B1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等參數(shù)值，加之工藝的離散性導(dǎo)致同類單結(jié)管的ηV值總會(huì)存在一定的偏差，這就給用記帶來不便。程控單結(jié)晶體管圓滿解決了上述問題，它是用外部電阻R1、R2取代內(nèi)基極電阻rB1、rB2，只需改變二者的電阻比，即可從外部調(diào)整其參數(shù)值。正是由于PUT器件使用靈活，用途廣泛，因此頗受使用者歡迎。

發(fā)表于：8/17/2016

“簡潔至上”的晶體管甲類音頻功率放大器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Hi－Fi界有一句至理名言，就是“簡潔至上”。這就是說，假如能用一個(gè)元件或器件做成的電路，就盡量不用兩個(gè)。電子電路中常用的電子元件有電阻、電容、電感等，常用的電子器件有二極管、三極管及集成電路等。電阻、電容都屬于線性元件，在放大電路中可以認(rèn)為不會(huì)因它們而產(chǎn)生非線性失真。但是，目前用于放大的電子器件，不論是電子管、晶體管，還是集成電路，統(tǒng)統(tǒng)都是非線性器件，它們是放大電路中產(chǎn)生非線性失真的根源。因此，在放大電路中應(yīng)盡量少用管子。要做到這一點(diǎn)也并非容易，所以通常所見到的放大電路都比較復(fù)雜。要想“簡潔”，必須解決兩個(gè)問題：一是放大倍數(shù)要足夠大，至少應(yīng)該在接CD機(jī)時(shí)能夠達(dá)到額定的輸出功率；二是非線性失真要盡量小些，在不加負(fù)反饋或只加少量的負(fù)反饋時(shí)，諧波失真系數(shù)能夠達(dá)到Hi－Fi要求。

發(fā)表于：8/17/2016

22納米3D晶體管技術(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：8/17/2016

5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重成本之高超乎想象[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)（FP），這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。

發(fā)表于：8/16/2016

基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾龋珻CM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造成具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

發(fā)表于：8/16/2016