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MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/18/2016

增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思[模擬設(shè)計][消費電子]

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016

什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。耗盡型MOS場效應(yīng)管，是在制造過程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016

新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

?摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)，分析了解決耐壓與導(dǎo)通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。

發(fā)表于：8/18/2016

場效應(yīng)晶體管放大器[模擬設(shè)計][消費電子]

場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)場效應(yīng)管兩大類型--結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)的場效應(yīng)管放大器。以下以結(jié)型管為例給出三種基本組態(tài)放大器的等效電路和性能指標計算表達式，見表5.2-7。圖為場效應(yīng)管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構(gòu)成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。

發(fā)表于：8/18/2016

基于稀疏分解的SFM信號的時頻分析方法[微波|射頻][工業(yè)自動化]

針對正弦調(diào)頻(SFM)信號Wigner-Ville分布(WVD)存在嚴重的時頻交叉項干擾問題，提出了一種基于稀疏分解的時頻分析方法。該方法首先由信號的時頻參數(shù)構(gòu)建Gabor原子字典，然后利用匹配追蹤(MP)算法實現(xiàn)信號分解，并結(jié)合改進遺傳算法尋找最佳匹配原子，最后將每次分解得到的Gabor原子通過Wigner-Ville變換疊加得到無交叉項的信號WVD。仿真結(jié)果表明，該方法能提高對信號稀疏分解的計算效率，且Gabor原子的選取較為靈活，用少量原子可表示信號WVD。與傳統(tǒng)的時頻分析方法相比，該方法能有效抑制時頻交叉項干擾，且保持高時頻分辨率。

發(fā)表于：8/18/2016

基于ARM的四攝像頭光學觸摸屏系統(tǒng)研制[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動化]

針對目前超大觸摸屏價格昂貴、通用性差的問題，采用圖像識別技術(shù)構(gòu)建了基于ARM的四攝像頭光學觸摸屏系統(tǒng)。系統(tǒng)通過安裝在4個頂點的CMOS攝像頭同步采集觸摸屏區(qū)域圖像，ARM微處理器對采集的圖像進行觸摸點檢測，根據(jù)觸點成像位置和攝像頭標定得到觸點的方向直線，最后通過計算任意兩條直線相交于一點來確定觸點的位置。實驗表明，此系統(tǒng)對單點和兩點觸摸能達到99%的識別率，觸點坐標位置誤差小于2%。

發(fā)表于：8/18/2016

MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)[模擬設(shè)計][消費電子]

在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機的霎那間 , 此瞬間電壓會達到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運的是一般場效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計者并不需要增加額外的保護線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進而幫助設(shè)計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。

發(fā)表于：8/17/2016

增強型和耗盡型場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

　總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。

發(fā)表于：8/17/2016

電力雙極型晶體管(GTR)詳解[模擬設(shè)計][消費電子]

電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。

發(fā)表于：8/17/2016

單結(jié)晶體管工作原理[模擬設(shè)計][消費電子]

單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號和等效電呼如圖1所示。

發(fā)表于：8/17/2016

光敏晶體管工作原理[模擬設(shè)計][消費電子]

光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優(yōu)。一、光敏二極管 1．結(jié)構(gòu)特點與符號光敏二極管和普通二極管相比雖然都屬于單向?qū)щ姷姆蔷€性半導(dǎo)體器件，但在結(jié)構(gòu)上有其特殊的地方。光敏二極管在電路中的符號如圖Z0129 所示。光敏二極管使用時要反向接入電路中，即正極接電源負極，負極接電源正極。

發(fā)表于：8/17/2016

慣性MEMS 從提升生活品質(zhì)到拯救生命[嵌入式技術(shù)][醫(yī)療電子]

運動是生命中不可或缺的重要組成部分。能夠移動的人似乎在一刻不停地運動著，而不能移動的人則可能需要借助某種形式的機械助力來幫助實現(xiàn)運動。因此，不難想象，能夠測量這種運動的慣性傳感器在提供有關(guān)我們自身的有用信息方面具有重大價值。如今的音頻（麥克風）或光學（相機）傳感器就是這樣。

發(fā)表于：8/17/2016

功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理[模擬設(shè)計][消費電子]

功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。

發(fā)表于：8/17/2016

使用有安全保障的閃存存儲構(gòu)建安全的汽車系統(tǒng)

MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思[模擬設(shè)計][消費電子]

什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應(yīng)用類型[模擬設(shè)計][消費電子]

新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

場效應(yīng)晶體管放大器[模擬設(shè)計][消費電子]

基于稀疏分解的SFM信號的時頻分析方法[微波|射頻][工業(yè)自動化]

基于ARM的四攝像頭光學觸摸屏系統(tǒng)研制[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動化]

MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)[模擬設(shè)計][消費電子]

增強型和耗盡型場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

電力雙極型晶體管(GTR)詳解[模擬設(shè)計][消費電子]

單結(jié)晶體管工作原理[模擬設(shè)計][消費電子]

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