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子陣級(jí)LCMV循環(huán)優(yōu)化自適應(yīng)波束形成算法研究[通信與網(wǎng)絡(luò)][其他]

在傳統(tǒng)LCMV波束形成器以及子陣空間部分自適應(yīng)陣的基礎(chǔ)上，提出了一種新穎的降維方法。首先將大規(guī)模陣列按照子陣劃分的某種規(guī)則劃分為若干組子陣列，每一組子陣列使用相同的權(quán)值。在權(quán)值優(yōu)化過(guò)程中，每一次只更新權(quán)向量的一部分，通過(guò)多次迭代更新使系統(tǒng)搜索得到最優(yōu)權(quán)值，避免了全維相關(guān)矩陣的求逆運(yùn)算。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，與傳統(tǒng)方法相比，該方法在大規(guī)模陣列波束形成時(shí)能夠獲得更高的信干噪比，并減小了求逆矩陣的維數(shù)，在一定程度上降低了計(jì)算復(fù)雜度及硬件成本。

發(fā)表于：7/10/2019

基于FPGA的高清視頻采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)[可編程邏輯][工業(yè)自動(dòng)化]

設(shè)計(jì)了一種基于HDMI接口的全高清(分辨率1 920×1 080)視頻采集與顯示系統(tǒng)，該系統(tǒng)以Xilinx公司Spartan6系列FPGA作為控制芯片，采用500萬(wàn)像素級(jí)別CMOS攝像頭OV5640作為前端數(shù)據(jù)源，能夠采集全高清視頻信號(hào)；為了解決由于高速大容量視頻數(shù)據(jù)緩存容量和速率不足導(dǎo)致的拖影現(xiàn)象，該系統(tǒng)采用了一塊Micron公司4 Gbit容量的DDR3 SDRAM作為緩存介質(zhì)，再結(jié)合乒乓操作，能妥善解決高速大容量數(shù)據(jù)的緩存問(wèn)題；該系統(tǒng)選用Silion Image公司的SiI9134作為HDMI接口芯片，能有效支持全高清視頻信號(hào)輸出。該系統(tǒng)可應(yīng)用于軍用監(jiān)控系統(tǒng)、民用多媒體系統(tǒng)以及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

發(fā)表于：7/9/2019

基于TMS320C6748的多路串行通信接口設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[測(cè)試測(cè)量][工業(yè)自動(dòng)化]

在嵌入式飛行控制系統(tǒng)中，為了滿(mǎn)足小型化和集成化的要求，需要控制多個(gè)串口與外部設(shè)備通信。采用TMS320C6748作為核心處理器，通過(guò)EMIF總線(xiàn)實(shí)現(xiàn)和異步通信協(xié)議芯片TL16C754并行通信，采用3-8譯碼器74LS138擴(kuò)展多位片選信號(hào)，實(shí)現(xiàn)集成擴(kuò)展多路串行通信接口的功能。底層驅(qū)動(dòng)基于TI的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)內(nèi)核SYS/BIOS進(jìn)行開(kāi)發(fā)，可減小設(shè)計(jì)的難度，并縮短了開(kāi)發(fā)周期。試驗(yàn)結(jié)果表明，該設(shè)計(jì)方法能夠?qū)崿F(xiàn)多路數(shù)據(jù)的完整接收，數(shù)據(jù)傳輸完整可靠。

發(fā)表于：7/9/2019

一種基于MDP理論的武器火控系統(tǒng)精度可靠性增強(qiáng)方法研究[測(cè)試測(cè)量][其他]

火控系統(tǒng)的精度是一個(gè)非常重要的戰(zhàn)術(shù)技術(shù)指標(biāo)，而慣導(dǎo)系統(tǒng)的可靠性則對(duì)保證火控系統(tǒng)的精度起著重要的作用，冗余技術(shù)是提高慣導(dǎo)系統(tǒng)可靠性的有力保證。以陀螺儀為例建立了慣性導(dǎo)航設(shè)備冗余度優(yōu)化設(shè)計(jì)的馬氏決策控制模型，并進(jìn)行了驗(yàn)證分析，證明對(duì)此模型應(yīng)用策略迭代算法的科學(xué)性與合理性。仿真結(jié)果表明，所建立的模型能夠反映慣性導(dǎo)航設(shè)備冗余度優(yōu)化設(shè)計(jì)的實(shí)質(zhì)，仿真結(jié)果能夠?yàn)镾INS(捷聯(lián)慣性導(dǎo)航系統(tǒng))冗余結(jié)構(gòu)性設(shè)計(jì)提供一定的工程參考。

發(fā)表于：7/8/2019

基于SRAM型FPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法[可編程邏輯][其他]

為提高輻射環(huán)境中電子系統(tǒng)的可靠性，提出了一種基于SRAM型FPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)方法。該設(shè)計(jì)方法采用粗粒度三模冗余結(jié)構(gòu)和細(xì)粒度三模冗余結(jié)構(gòu)對(duì)系統(tǒng)功能模塊進(jìn)行容錯(cuò)設(shè)計(jì)；將一種細(xì)粒度的故障檢測(cè)單元嵌入到各冗余模塊中對(duì)各冗余模塊進(jìn)行故障檢測(cè)；結(jié)合動(dòng)態(tài)部分重構(gòu)技術(shù)可在不影響系統(tǒng)正常工作的前提下實(shí)現(xiàn)故障模塊的在線(xiàn)修復(fù)。該設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)于Xilinx Virtex-6 FPGA中進(jìn)行了設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明系統(tǒng)故障修復(fù)時(shí)間和可靠性得到顯著提高。

發(fā)表于：7/8/2019

一種基于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的流水SHA256硬件實(shí)現(xiàn)電路[模擬設(shè)計(jì)][其他]

提出了一種新型的基于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的SHA256全流水?dāng)?shù)據(jù)迭代方式。在全流水SHA256結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)壓縮器中的狀態(tài)寄存器每次更新時(shí)只需要計(jì)算A和E，而狀態(tài)寄存器B-D和F-H則可以直接從前一輪中的A-C和E-G得到。且每輪新產(chǎn)生的A和E在經(jīng)歷四級(jí)流水傳遞后將不再被使用，因此A和E生命周期為4個(gè)時(shí)鐘周期。在傳統(tǒng)數(shù)據(jù)迭代的方式中，每次數(shù)據(jù)更新將會(huì)導(dǎo)致A-H共8組寄存器同時(shí)翻轉(zhuǎn)。因此，為了減小寄存器的翻轉(zhuǎn)次數(shù)，繼而降低寄存器的翻轉(zhuǎn)功耗，提出了一種存儲(chǔ)方案，即采用鎖存器存儲(chǔ)每級(jí)新產(chǎn)生的A和E，當(dāng)后級(jí)需要使用時(shí)，通過(guò)選擇器選擇前級(jí)鎖存器存儲(chǔ)的A和E數(shù)據(jù)，用于產(chǎn)生本級(jí)新的A和E。由此，在進(jìn)行數(shù)據(jù)迭代時(shí)，每輪只有A和E兩組存儲(chǔ)器更新，從而可以降低電路的動(dòng)態(tài)功耗。在所提方案中，采用鎖存器代替觸發(fā)器作為存儲(chǔ)單元，同時(shí)通過(guò)由傳輸門(mén)構(gòu)成的選擇器來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的選擇。仿真結(jié)果表明：在28 nm工藝下，采用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)代替寄存器翻轉(zhuǎn)后的SHA256全流水結(jié)構(gòu)功耗降低約27.5%，面積減少約49.2%。

發(fā)表于：7/6/2019

基于深亞微米的低成本高可靠BOD電路[嵌入式技術(shù)][其他]

經(jīng)常在MCU等應(yīng)用系統(tǒng)中遇到系統(tǒng)電源電壓出現(xiàn)欠壓或意外掉電的情況，導(dǎo)致MCU的程序“跑飛”或丟失重要的數(shù)據(jù)。為了盡量避免這些情況的出現(xiàn)，掉電檢測(cè)電路能夠檢測(cè)到系統(tǒng)供電電源異常，以提高系統(tǒng)的抗干擾能力和穩(wěn)定性。提出一種基于180 nm工藝設(shè)計(jì)的掉電檢測(cè)電路，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定可靠、版圖面積小的優(yōu)點(diǎn)，可集成在MCU等微處理器內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)電源電壓監(jiān)測(cè)，減少系統(tǒng)的外圍器件，降低系統(tǒng)成本。該電路結(jié)構(gòu)可以非常容易地遷移至其他工藝節(jié)點(diǎn)，具備良好的工藝遷移特性和應(yīng)用廣泛性。

發(fā)表于：7/6/2019

一種高可靠性高速可編程異步FIFO的設(shè)計(jì)[可編程邏輯][其他]

基于一款國(guó)產(chǎn)FPGA芯片的研發(fā)，提出了一種具有高可靠性、高速及可編程性的異步FIFO電路結(jié)構(gòu)。通過(guò)增加近空滿(mǎn)示警閾值和近空滿(mǎn)狀態(tài)位的方式用以提高異步FIFO的可編程性，同時(shí)內(nèi)部通過(guò)使用格雷碼指針進(jìn)行比較的結(jié)構(gòu)用以提高電路的可靠性。并在此基礎(chǔ)上，提出了一種新的空滿(mǎn)判斷標(biāo)準(zhǔn)，使系統(tǒng)速度和邏輯利用率得到了進(jìn)一步的提升?；赨MC 28 nm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，采用全定制方法進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明，提出的異步FIFO在1 V的標(biāo)準(zhǔn)電壓下，最高工作頻率為666.6 MHz，平均功耗為7.1 mW。

發(fā)表于：7/5/2019

基于半監(jiān)督學(xué)習(xí)的多示例多標(biāo)簽改進(jìn)算法[嵌入式技術(shù)][其他]

多示例多標(biāo)簽學(xué)習(xí)框架是一種針對(duì)解決多義性問(wèn)題而提出的新型機(jī)器學(xué)習(xí)框架，在多示例多標(biāo)簽學(xué)習(xí)框架中，一個(gè)對(duì)象是用一組示例集合來(lái)表示，并且和一組類(lèi)別標(biāo)簽相關(guān)聯(lián)。E-MIMLSVM+算法是多示例多標(biāo)簽學(xué)習(xí)框架中利用退化思想的經(jīng)典分類(lèi)算法，針對(duì)其無(wú)法利用無(wú)標(biāo)簽樣本進(jìn)行學(xué)習(xí)從而造成泛化能力差等問(wèn)題，使用半監(jiān)督支持向量機(jī)對(duì)該算法進(jìn)行改進(jìn)。改進(jìn)后的算法可以利用少量有標(biāo)簽樣本和大量沒(méi)有標(biāo)簽的樣本進(jìn)行學(xué)習(xí)，有助于發(fā)現(xiàn)樣本集內(nèi)部隱藏的結(jié)構(gòu)信息，了解樣本集的真實(shí)分布情況。通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn)可以看出，改進(jìn)后的算法有效提高了分類(lèi)器的泛化性能。

發(fā)表于：7/5/2019

基于深度學(xué)習(xí)的圖像風(fēng)格化算法研究綜述[嵌入式技術(shù)][其他]

隨著“人工智能”時(shí)代的到來(lái)，“深度學(xué)習(xí)”一詞也逐漸走進(jìn)大眾的視野，一些基于深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的圖像處理方法也隨之產(chǎn)生，圖像風(fēng)格化作為其中一個(gè)重要的分支也獲得了廣泛的關(guān)注。目前，研究學(xué)者提出了很多基于深度學(xué)習(xí)的圖像風(fēng)格化算法，而且都能較好地完成風(fēng)格化任務(wù)。全面概述了深度學(xué)習(xí)在圖像風(fēng)格化領(lǐng)域的進(jìn)展，對(duì)比了不同算法之間的優(yōu)劣，最后探討了當(dāng)前基于深度學(xué)習(xí)的圖像風(fēng)格化研究的局限性及未來(lái)的研究方向。

發(fā)表于：7/4/2019

基于二硫化碳的超材料太赫茲透射特性調(diào)控[微波|射頻][其他]

目前，光控太赫茲波超材料主要是利用激光改變半導(dǎo)體材料的載流子濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。半導(dǎo)體材料的復(fù)合壽命一般為納秒量級(jí)，因此調(diào)控時(shí)間受到了限制。與半導(dǎo)體材料相比，二硫化碳(CS2)的光響應(yīng)速度很快，只有1.68 ps，并且也具有較大的光學(xué)非線(xiàn)性。以亞波長(zhǎng)周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，提出了利用CS2來(lái)實(shí)現(xiàn)超材料太赫茲透射調(diào)控的方案。具體利用時(shí)域有限差分法(FDTD)研究了該結(jié)構(gòu)的太赫茲波透射調(diào)控。

發(fā)表于：7/4/2019

助力高級(jí)光刻技術(shù)：存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)[EDA與制造][工業(yè)自動(dòng)化]

本文介紹了為 EUV 光刻設(shè)計(jì)光罩盒所面臨的內(nèi)在挑戰(zhàn)，并提出了解決方案以便讓更多晶圓廠(chǎng)能夠在其工廠(chǎng)中采用先進(jìn)的光刻節(jié)點(diǎn)。

發(fā)表于：7/4/2019

太赫茲片上集成放大器研究進(jìn)展[微波|射頻][其他]

針對(duì)當(dāng)前太赫茲科學(xué)與技術(shù)發(fā)展的狀態(tài)和瓶頸問(wèn)題，重點(diǎn)討論太赫茲電路中的核心部件——片上集成放大器的研究進(jìn)展情況。根據(jù)太赫茲芯片設(shè)計(jì)和加工不同基底材料，比較了磷化銦和砷化鎵制成化合物太赫茲放大單片與體硅和鍺化硅制成的硅基片上集成放大器兩大類(lèi)，并對(duì)不同材料體系下的電路拓?fù)浜椭笜?biāo)進(jìn)行了分析和總結(jié)。

發(fā)表于：7/3/2019

基于平面肖特基二極管的300 GHz平衡式二倍頻器[微波|射頻][通信網(wǎng)絡(luò)]

設(shè)計(jì)了肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和尺寸，采用點(diǎn)支撐空氣橋結(jié)構(gòu)降低器件在高頻下的損耗，根據(jù)二極管測(cè)試結(jié)果和實(shí)際結(jié)構(gòu)，分別建立了肖特基結(jié)的非線(xiàn)性模型和三維電磁場(chǎng)模型。依據(jù)此模型，采用平衡式電路設(shè)計(jì)，將二極管放置在波導(dǎo)內(nèi)，利用模式正交性很好地實(shí)現(xiàn)輸入與輸出信號(hào)的隔離，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，降低了損耗，成功設(shè)計(jì)并制作出300 GHz二倍頻器，在312～319 GHz的倍頻效率大于5%，最大倍頻效率為10.1%@316 GHz，在307 GHz～318 GHz的輸出功率大于4 mW，最大輸出功率為8.7 mW@316 GHz。采用較高摻雜濃度材料二極管的倍頻器最大效率為13.7%，最大輸出功率為11.8 mW。該倍頻器的輸出功率與已報(bào)道水平相當(dāng)，驗(yàn)證了國(guó)產(chǎn)肖特基二極管的設(shè)計(jì)、工藝以及高頻工作等方面的能力。

發(fā)表于：7/3/2019

太赫茲梯度超表面綜述[微波|射頻][通信網(wǎng)絡(luò)]

超表面，一種新穎的人工電磁材料，由于厚度可忽略不計(jì)，也稱(chēng)二維超材料。由于電磁波的電場(chǎng)或磁場(chǎng)與超表面亞波長(zhǎng)單元結(jié)構(gòu)的共振效應(yīng)使其相位或幅度發(fā)生突變，從而經(jīng)過(guò)超表面后出射波矢量場(chǎng)的疊加實(shí)現(xiàn)了對(duì)電磁波傳播特性的調(diào)控。與三維超材料相比，超表面擁有損耗低、厚度薄、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，其巨大的應(yīng)用潛力受到全世界研究人員的關(guān)注。太赫茲超表面器件在平面超透鏡、渦旋光束、數(shù)字編碼超表面、全息成像等顯示了巨大的潛力和優(yōu)勢(shì)。從基本定律出發(fā)，總結(jié)了幾種重要的超表面器件的調(diào)控原理和應(yīng)用領(lǐng)域，并對(duì)未來(lái)超表面器件的實(shí)用價(jià)值和前進(jìn)方向進(jìn)行展望。

發(fā)表于：7/2/2019